• Journal of Power Electronics
• /
• 제17권5호
• /
• pp.1382-1390
• /
• 2017

This paper presents a power supply for gate drivers, which uses a magnetic resonance wireless power transfer system. Unlike other methods where multiple antennas are used to supply power for the gate drivers, the proposed method uses a single antenna in an insulated receiver to make multiple mutually isolated power supplies. The power transmitted via single antenna is distributed to multiple power supplies for gate drivers through resonant capacitors connected in parallel that also block DC bias. This approach has many advantages over other methods, where each gate driver needs to be supplied with power using multiple receiver antennas. The proposed method will therefore lead to a reduction in production costs and circuit area. Because the proposed circuit uses a high resonance frequency of 6.78 MHz, it is possible to implement a transmitter and a receiver using a small-sized spiral printed-circuit-board-type antenna. This paper used a single phase-leg circuit configuration to experimentally verify the performance characteristics of the proposed method.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.514-519
• /
• 2015

본 논문에서는 이중 게이트 junctionless MOSFET 의 성능 최적화를 위하여 다중 게이트 형태를 적용하여 평가한다. 금속 게이트들 사이의 일함수가 서로 다르므로 다중 게이트 구조를 적용할 경우 금속게이트 길이에 따라 소스와 드레인 주변의 전위를 조절할 수 있다. 동작 전류와 누설 전류 그리고 동작 전압은 게이트 구조에 의해 조절이 가능하며 이로 인한 동작 특성 최적화가 가능하다. 본 연구에서는 반도체 소자 시뮬레이션을 통하여 junctionless MOSFET 의 최적화를 구현하고 분석하는 연구를 수행 한다.

• 한국항행학회논문지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.62-69
• /
• 2012

다중제어 Toffoli(multiple-control Toffoli, MCT) 게이트는 원시 게이트에 의존적인 양자 기술을 필요로 하는 매크로 레벨 다치(multiple-valued) 게이트이며, Galois Field sum-of-product(GFSOP)형 양자논리 함수의 합성에 사용되어 왔다. 가역 논리는 저전력 회로 설계를 위한 양자계산(quantum computing, QC)에서 매우 중요하다. 본 논문은 먼저 GF4 가역 승산기를 제안한 후 GF4 승산기 기반의 quaternary MCT 게이트 실현을 제안하였다. MCT 게이트 실현을 위한 비교에서 제안한 MCT 게이트가 다중제어 입력이 증가할수록 종전의 작은 MCT 게이트 합성 방법보다 원시 게이트 수와 게이트 지연을 상당량 줄일 수 있음을 보였다.

• 전자공학회논문지B
• /
• 제31B권3호
• /
• pp.60-68
• /
• 1994

In this paper, the multiplicative algorithm of two polynomials over finite field GF(($p^{m}$) is presented. Using the presented algorithm, the multiple-valued multiplier of the serial input-output modular structure by CCD is constructed. This multiple-valued multiplier on CCD is consisted of three operation units: the multiplicative operation unit, the modular operation unit, and the primitive irreducible polynomial operation unit. The multiplicative operation unit and the primitive irreducible operation unit are composed of the overflow gate, the inhibit gate and mod(p) adder on CCD. The modular operation unit is constructed by two mod(p) adders which are composed of the addition gate, overflow gate and the inhibit gate on CCD. The multiple-valued multiplier on CCD presented here, is simple and regular for wire routing and possesses the property of modularity. Also. it is expansible for the multiplication of two elements on finite field increasing the degree mand suitable for VLSI implementation.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제8권1호
• /
• pp.22-32
• /
• 2004

본 논문에서는 Honghai Jiang에 의해 제안된 OVAG(Output value array graphs)를 기초로 MOVAG(Multi output value array graphs)를 이용한 다치논리함수의 구성방법을 제안하였다. D.M.Miller에 의해 제안된 MDD(Multiple-valued Decision Diagram)는 주어진 다변수의 함수에서 회로 설계까지 많은 처리시간과 노력이 요구되므로 본 논문에서는 MDD의 단점을 보완하여 데이터 처리시간의 단축과 적은 복잡도를 갖도록 MOVAG를 설계하였다. 또한 MOVAG의 구성 알고리즘과 입력행렬선정 알고리즘을 제안하고 T-gate를 사용하여 다치 논리 회로를 설계, 모의 실험을 통해 그 결과를 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제47권2호
• /
• pp.32-39
• /
• 2010

기존의 셀 특성 분석은 다중 입력 변화를 고려하지 않고 셀 특성 분석을 수행한다. 다중 입력 변화가 시간적 근접성에 따라 게이트 지연 시간에 미치는 영향이 커지면서, 기존의 셀 특성 분석으로는 정확한 게이트 지연 시간을 예측하기가 어려워지게 되었다. 다중 입력 변화의 영향으로 인하여 게이트 지연 시간이 최대 46%까지 차이가 나는 것을 실험을 통하여 확인하였다. 본 논문에서는 다중 입력 변화의 시간적 근접성으로 인한 지연 시간 변화를 고려한 게이트 지연 시간 모델을 제안하였다. 제안된 모델은 Radial Basis Function (RBF)을 이용하여 지연 시간 변화량을 계산한다. 제안된 방법이 다중 입력 변화가 발생하였을 때, 보다 정확하게 게이트 지연 시간을 예측하는 것을 실험결과를 통하여 확인하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제14권5호
• /
• pp.549-556
• /
• 2014

This paper proposes a highly power-efficient single-inductor multiple-outputs (SIMO) DC-DC converter with a gate charge sharing method in which gate charges of output switches are shared to improve the power efficiency and to reduce the switching power loss. The proposed converter was fabricated by using a $0.18{\mu}m$ CMOS process technology with high voltage devices of 5 V. The input voltage range of the converter is from 2.8 V to 4.2 V, which is based on a single cell lithium-ion battery, and the output voltages are 1.0 V, 1.2 V, 1.8 V, 2.5 V, and 3.3 V. Using the proposed gate charge sharing method, the maximum power efficiency is measured to be 87.2% at the total output current of 450 mA. The measured power efficiency improved by 2.1% compared with that of the SIMO DC-DC converter without the proposed gate charge sharing method.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제15권4호
• /
• pp.25-29
• /
• 2008

Reliability and performance in metal gate/high-k device with multiple gate dielectrics were investigated. MOSFETs with a thin $HfSiO_x$ layer on a thermal Si02 dielectric as gate dielectrics exhibit excellent mobility and low interface trap density. However, the distribution of threshold voltages of $HfSiO_x/SiO_2$ stack devices were wider than those of $SiO_2$ and $HfSiO_x$ single layer devices due to the penetration of Hf and/or intermixing of $HfSiO_x$ with underlying $SiO_2$. The results of TZDB and SILC characteristics suggested that a certain portion of $HfSiO_x$ layer reacted with the underlying thick $SiO_2$ layer, which in turn affected the reliability characteristics.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제8권4호
• /
• pp.302-310
• /
• 2008

This paper puts forward an advanced consideration on the design of scaled multiple-gate FET (MuGFET); the aspect ratio ($R_{h/w}$) of the fin height (h) to fin width (w) of MuGFET is considered with the aid of 3-D device simulations. Since any change in the aspect ratio must consider the trade-off between drivability and short-channel effects, it is shown that optimization of the aspect ratio is essential in designing MuGFET's. It is clearly seen that the triple-gate (TG) FET is superior to the conventional FinFET from the viewpoints of drivability and short-channel effects as was to be expected. It can be concluded that the guideline of w < L/3, where L is the channel length, is essential to suppress the short-channel effects of TG-FET.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제25권8호
• /
• pp.992-997
• /
• 1988

A generalized coding algorithm for multiple inputs multiple-valued logic gate based on shadow-casting is proposed. Proposed algorithm can minimize the useless pixels in case the number of inputs is not 2N (N is a natural number). A detailed analysis of advantages of proposed algorithm is presented and its effectiveness is demonstrated in case of three input binary system using inputs of 8*8 data.