• 제목/요약/키워드: monolithic microwave integrated circuit

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High Output Power and High Fundamental Leakage Suppression Frequency Doubler MMIC for E-Band Transceiver

  • Chang, Dong-Pil;Yom, In-Bok
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제14권4호
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    • pp.342-345
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    • 2014
  • An active frequency doubler monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for E-band transceiver applications is presented in this letter. This MMIC has been fabricated in a commercial $0.1-{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) process on a 2-mil thick substrate wafer. The fabricated MMIC chip has been measured to have a high output power performance of over 13 dBm with a high fundamental leakage suppression of more than 38 dBc in the frequency range of 71 to 86 GHz under an input signal condition of 10 dBm. A microstrip coupled line is used at the output circuit of the doubler section to implement impedance matching and simultaneously enhance the fundamental leakage suppression. The fabricated chip is has a size of $2.5mm{\times}1.2mm$.

A D-Band Balanced Subharmonically-Pumped Resistive Mixer Based on 100-nm mHEMT Technology

  • Campos-Roca, Y.;Tessmann, A.;Massler, H.;Leuther, A.
    • ETRI Journal
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    • 제33권5호
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    • pp.818-821
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    • 2011
  • A D-band subharmonically-pumped resistive mixer has been designed, processed, and experimentally tested. The circuit is based on a $180^{\circ}$ power divider structure consisting of a Lange coupler followed by a ${\lambda}$/4 transmission line (at local oscillator (LO) frequency). This monolithic microwave integrated circuit (MMIC) has been realized in coplanar waveguide technology by using an InAlAs/InGaAs-based metamorphic high electron mobility transistor process with 100-nm gate length. The MMIC achieves a measured conversion loss between 12.5 dB and 16 dB in the radio frequency bandwidth from 120 GHz to 150 GHz with 4-dBm LO drive and an intermediate frequency of 100 MHz. The input 1-dB compression point and IIP3 were simulated to be 2 dBm and 13 dBm, respectively.

위성용 MMIC 기술 동향 (Technological Trend for Satellite Application MMIC)

  • 원영진;이진호;천용식
    • 항공우주기술
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    • 제7권1호
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    • pp.121-128
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    • 2008
  • 이동 통신 및 위성 통신 분야에 있어서 무선 통신 기술 분야는 무선 환경에서 신호를 보내고 받는 기능을 수행하는 중요한 분야이다. 이러한 무선 통신 분야에서 송수신한을 구성하는 송수신 부품은 RF 시스템의 성능을 좌우한다. 따라서 위성 통신 분야에 있어서 신뢰성을 획득하기 위해서는 고집적화와 소형화를 통한 경쟁력 확보가 필수적인데 이를 위한 기술이 MMIC 이다. MMIC란 RF 부품을 설계하고 제작하는 기술로서 본 논문은 MMIC 기술에 대한 소개와 위성 분야에서의 기술적인 동향과 전망을 기술하고 있다.

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밀리미터파 응용을 위한 완전집적 다운컨버터 MMIC (A fully integrated downconverter MMIC for millimeter wave applications)

  • 정장현;윤영
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제37권1호
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    • pp.99-104
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    • 2013
  • 본 논문에서는 밀리미터파에의 응용을 위하여, 소형화된 다운컨버터 MMIC(monolithic microwave integrated circuit)를 제안하였다. 구체적으로는, RF(radio frequency) 및 LO(local oscilator) 신호의 격리특성을 위해 Lange 커플러가 삽입되었고, ${\lambda}$/4 전송선로를 연결하여 역위상 RF와 동위상 LO 신호가 믹서부분 FET(field effect transistor)의 게이트에 인가되었다. 또한, IF(intermediate frequency) 출력 신호의 역위상의 결합과 LO 누설신호 제거를 위하여 역위상 결합용 능동 벌룬이 출력 포트에 설치되었다. 측정 결과에 따르면, 제안된 다운컨버터 MMIC는 양호한 RF 특성을 보였다. 구체적으로, 63 GHz의 RF 주파수와 60.6 GHz의 LO 주파수에서 IF 출력 포트에서의 LO 누설 전력이 .25 dBc, RF와 LO의 격리특성은 18 dB를 보였으며, 변환 이득이 10.3 dB를 보였다. 따라서, SAW 필터와 같은 LO 제거용 off-chip 소자는 제안된 다운컨버터 MMIC에서는 필요하지 않게 되었다. 모든 능동소자와 수동소자가 GaAs MMIC 내부에 집적되었으며, 전체 사이즈는 $2.2{\times}1.4mm^2$ 로써 초소형 MMIC가 구현되었다.

MMIC 상에서 초소형 무선 통신 시스템에의 응용을 위한 반전된 형태의 주기적 용량성 구조를 이용한 전송선로의 RF 특성에 관한 연구 (A Study on RF Characteristics of Transmission Line Employing Inverted Periodically Arrayed Capacitive Devices for Application to Highly Miniaturized Wireless Communication system on MMIC)

  • 김정훈;정장현;윤영
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제39권1호
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    • pp.52-57
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    • 2015
  • 본 논문에서는 MMIC(Monolithic microwave integrated circuit) 상에서 초소형 무선 통신 시스템에서의 응용을 위해 반전된 형태의 주기적으로 배치된 용량성 소자를 이용한 전송선로(IPACD, Inverted Periodically Arrayed Capacitive Devices)의 RF 특성을 연구하였다. 측정 결과, 본 논문에서 제안하는 반전된 형태의 주기적으로 배치된 용량성 소자를 이용한 전송선로는 기존의 마이크로스트립 전송선로는 선로파장의 11.85%로 단파장의 성능을 보였고, 전파상수, 유효 유전율은 기존의 전송선로에 비하여 훨씬 높은 결과를 보여주었다. PACD(periodically arrayed capacitive devices) 선로구조에 비해 삽입손실이 1~10 GHz에서 22.6%정도 개선되었다. 또한 IPACD 선로구조의 등가회로를 closed-form 방정식을 통하여 이론적으로 해석하였으며, 실질적인 대역폭의 의미를 가지는 1차 통과대역에서의 차단 주파수는 129.2 GHz로 나타나 광대역의 특성을 보여주었다.

GaAs MMIC상에서 주기적 접지구조를 가지는 결합선로의 절연특성에 관한 연구 (A Study on Characteristics of Coupled Line Employing Periodical Ground Structure on GaAs MMIC)

  • 김세호;강석엽;윤영
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제33권1호
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    • pp.159-165
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    • 2009
  • In this study, using a periodical ground structure(PGS) on GaAs monolithic microwave integrated circuit(MMIC), transmission line with a high isolation characteristic was developed for application to compact signal/bias lines of highly integrated MMIC. And the origin of the high isolation characteristic was theoretically investigated. The high isolation characteristic was originated from a resonance between adjacent microstrip lines employing PGS. With only a spacing of $20{\mu}m$, the coupled microstrip line employing PGS showed an isolation value of -47 dB at 60 GHz. The frequency range for high isolation was easily controlled by changing the PGS structure. Above results indicate that microstrip lines employing PGS are very useful for application to compact signal/bias lines of highly integrated MMIC requiring a high isolation characteristics between lines. In addition, equivalent circuit employing closed-form equation for the coupled line with PGS was also extracted.

A Ka-Band 6-W High Power MMIC Amplifier with High Linearity for VSAT Applications

  • Jeong, Jin-Cheol;Jang, Dong-Pil;Yom, In-Bok
    • ETRI Journal
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    • 제35권3호
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    • pp.546-549
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    • 2013
  • A Ka-band 6-W high power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a very small aperture terminal system requiring high linearity is designed and fabricated using commercial 0.15-${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. This three-stage amplifier, with a chip size of 22.1 $mm^2$ can achieve a saturated output power of 6 W with a 21% power-added efficiency and 15-dB small signal gain over a frequency range of 28.5 GHz to 30.5 GHz. To obtain high linearity, the amplifier employs a class-A bias and demonstrates an output third-order intercept point of greater than 43.5 dBm over the above-mentioned frequency range.

A Compact C-Band 50 W AlGaN/GaN High-Power MMIC Amplifier for Radar Applications

  • Jeong, Jin-Cheol;Jang, Dong-Pil;Han, Byoung-Gon;Yom, In-Bok
    • ETRI Journal
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    • 제36권3호
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    • pp.498-501
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    • 2014
  • A C-band 50 W high-power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a phased-array radar system was designed and fabricated using commercial $0.25{\mu}m$ AlGaN/GaN technology. This two-stage amplifier can achieve a saturated output power of 50 W with higher than 35% power-added efficiency and 22 dB small-signal gain over a frequency range of 5.5 GHz to 6.2 GHz. With a compact $14.82mm^2$ chip area, an output power density of $3.2W/mm^2$ is demonstrated.

MMIC 기술 동향

  • 김동구;박형무
    • ETRI Journal
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    • 제9권3호
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    • pp.127-138
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    • 1987
  • 본고에서는 MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)의 연구동향을 미국을 중심으로 소개한다. MMIC의 역사, 공정, 소자, 설계, packaging, 측정에 대하여 조사함으로써 차세대 화합물반도체 MMIC개발의 앞으로의 방향을 모색하고자 한다. 본고는 미국 Microwave & RF 논문지 1987년 3월호에 게재된 R. S. Pegally와 D. Maki의 논문내용을 중심으로 편역한 것이다.

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GaAs MMIC 상에서 주기적 접지구조를 가지는 미앤더 선로에 관한 연구 (A Study on a Meander line employing Periodic Patterned Ground Structure on GaAs MMIC)

  • 정보라;윤영
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제34권2호
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    • pp.325-331
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    • 2010
  • 본 논문에서는 주기적 접지구조(PPGS)를 가지는 소형 단파장의 미앤더 선로를 GaAs MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) 상에 구현하였다. PPGS구조를 이용한 미앤더 선로는 기존의 미앤더 선로에 존재하던 용량 $C_a$와 함께 추가적인 용량 $C_b$를 가짐으로써 전체적인 용량이 커지게 되어, 단파장 특성을 보여주었다. 기존의 미앤더 선로는 주기적 구조가 아닌데 반해 PPGS 구조의 미앤더 선로는 주기적 구조이므로 $\beta$값이 큰 slow-wave가 존재하며, 이로 인해 종래의 미앤더 선로에 비해 선로 상에서 훨씬 더 큰 위상변화량을 보여준다. 본 논문에서는 상기 미앤더 선로의 특성을 실험적으로 고찰하여 PPGS 구조의 미앤더 선로를 병렬 인덕터로 사용할 경우, 기존 미앤더 선로를 사용할 때 보다 높은 인덕턴스 값을 가지므로 동일한 길이의 기존 선로보다 큰 인덕턴스 값을 가지는 정합 소자로써 사용할 수 있음을 확인하였다.