• 제목/요약/키워드: mobility model

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User Behavior of Mobile Enterprise Applications

  • Lee, Sangmin
    • KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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    • 제10권8호
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    • pp.3972-3985
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    • 2016
  • Organizations have been implementing mobile applications that actually connect to their backend enterprise applications (e.g. ERP, SCM, etc.) in order to increase the enterprise mobility. However, most of the organizations are still struggling to fully satisfy their mobile application users with the enterprise mobility. Even though it has been regarded as the right direction that the traditional enterprise system should move on, the studies on the success model for mobile enterprise applications in user's acceptance perspective can hardly be found. Thus, this study focused not only to redefine the success of the mobile enterprise application in user's acceptance persepective, but also to find the impacts of the factors on user's usage behavior of the mobile enterprise applications. In order to achieve this, we adopted the Technology Acceptance Model 2 (TAM2) as a model to figure out the user's behavior on mobile applications. Among various mobile enterprise applications, this study chose mobile ERP since it is the most representing enterprise applications that many organizations have implemented in their backend. This study found that not all the constructs defined by Davis in TAM2 have a significant influence on user's behavior of the mobile-ERP applications. However, it is also found that most social influence processes of TAM2 influence user's perception of the degree of interaction by mobile-ERP applications.

상황인식 서비스 응용을 위한 동적 서비스 관리 모델 설계 (Design of Dynamic Service Management Model for Context-Aware Service Applications)

  • 정헌만;이정현
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제11권4호
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    • pp.165-174
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    • 2006
  • 상황 인식 서비스는 상황 획득 및 추론 과정 등의 기능을 지원함으로써, 상황 인식 서비스의 구현을 쉽게 하는 연구들이 진행되어 왔다. 그러나. 이들 연구에서는 유비쿼터스 컴퓨팅 환경에서 필수적으로 지원되어야 하는 사용자 및 서비스의 이동성을 효과적으로 지원하지 못하고 있다. 따라서, 본 논문에서는 서비스의 이동성을 효과적으로 지원하기 위해서 서비스간의 상호 작용을 위한 서비스 검색 및 조합, 서비스 이동성을 지원하는 동적 상황 인식 서비스 모델을 제안하고 이 모델을 기반으로 상황 인식 미들웨어를 설계 구현한다. 또한 설계하는 미들웨어는 OSGi 프레임워크 위에서 구현함으로써 UPnP. Jini 등의 표준 인터페이스 기술을 이용해서 다양한 가전과 센서 등의 외부 기기들과 연동이 가능하다.

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미시교통시뮬레이션모형을 이용한 공용 좌회전 차로의 중첩현시운영의 이동성과 안전성 평가 연구 (Evaluation of Mobility and Safety of Operating an Overlap Phase on a Shared-Left-Turn Lane Using a Microscopic Traffic Simulation Model)

  • 윤일수;한음;우석철;윤정은;박성호
    • 한국ITS학회 논문지
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    • 제11권5호
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    • pp.15-26
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    • 2012
  • 정부는 교통운영체계 선진화를 위하여 지속적인 교통시설 및 운영방식 개량, 그리고 교육 및 단속 등을 실시하여 왔다. 그러한 많은 노력에도 불구하고 우리나라 교통신호와 도로운영체계가 불합리하다는 지적이 지속적으로 제기되어 왔다. 이러한 원인 중에 하나는 정부가 제시한 대안들에 대하여 체계적이고 과학적인 사전 평가가 부족하였기 때문이다. 또한, 다양한 교통운영체계 대안에 대한 이동성 및 안전성을 종합적으로 분석할 수 있는 도구가 부족하였다. 따라서, 본 연구에서는 이러한 종합적인 평가 도구로써 미시교통분석모형의 체계적인 활용을 제안하며, 분석사례로 공용 좌회전 차로에 중첩현시가 적용 중인 대상교차로는 다양한 시나리오 하에서 안전성과 이동성을 평가하였다. 그 결과 공용 좌회전 차로에서 중첩현시의 적용은 이동성은 큰 차이가 없으나 안전성 측면에서 불리한 것으로 나타났다. 또한 전체 및 직진교통량 증가를 가정한 민감도 분석에서는 중첩현시가 가장 좋은 이동성을 보이나 안전성 측면에서 크게 나빠지는 것을 계량적으로 증명하였다.

IEEE 802.11 무선랜 환경에서의 이동성 지원 IPv6프로토콜의 성능분석 (Performance Analysis of Mobility Support Protocols for IPv6 over Wireless LAN)

  • 황승희;한연희;황종선
    • 한국정보과학회논문지:정보통신
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    • 제32권3호
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    • pp.391-403
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    • 2005
  • IPv6 기반 이동성 지원 프로토콜인 Mobile IPv6, Hierarchical Mobile IPv6, Fast Handovers over Mobile IPv6가 IETF를 통해서 제안되었다. 한편, 이동 인터넷 서비스를 위해서 IEEE 802.11 네트워크가 최근에 널리 이용되고 있다. 그래서 가까운 장래에 IEEE 802.11 네트워크에서 IPv6 이동성 지원기술은 All If 기반 이동성 지원 서비스를 실현하는 핵심 기술이 될 것이다. IPv6 이동성 지원 프로토콜들의 적절한 응용 개발을 위해서는 먼저 이들의 성능을 분석할 필요가 있다. 이런 분석에는 프로토콜에 의해 요구되는 시그널링 비용, 핸드오버시 지연 시간, 핸드오버시 손실되는 패킷의 수 및 이 손실을 줄이기 위해서 필요한 버퍼의 크기 등이 포함되어야 하며, 또한 IEEE 802.11 과 같은 하위 계층 프로토콜이미치는 영향을 분석해 볼 필요가 있다. 따라서 본 논문에서는 IEEE 802.11 네트워크에서 IPv6 이동성 지원 프로토콜들을 분석하기 위한 프레임워크를 개발하고 각각의 프로토콜들에 대한 성능 비용 함수를 제시한다. 프레임워크 제안을 위해서 본 논문에서는 패킷 트래픽 모델, 네트워크 시스템 모델 및 단말의 이동성 모델 둥을 정의한다. 또한, 다양한 파라미터를 사용하여 그들이 각 프로토콜의 성능에 미치는 영향을 분석하고 비교한다. 분석결과로서 각 프로토콜들이 각기 상호보완적인 혹은 대조적인 성능을 보이기 때문에, 임의의 프로토콜이 다른 프로토콜들 보다 비교 우위를 차지하는 일이 없음을 알 수 있다

Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성 (Dependency of Phonon-limited Electron Mobility on Si Thickness in Strained SGOI (Silicon Germanium on Insulator) n-MOSFET)

  • 심태헌;박재근
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권9호
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    • pp.9-18
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    • 2005
  • 60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다

결정적 사건기법을 이용한 프리미엄 모빌리티 고객의 이용경험 구성요인 분석 (Configuration of Premium Mobility Customer's Experience Using a Critical Incident Technique)

  • 정혜인;홍석표;정남호
    • 지식경영연구
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    • 제25권2호
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    • pp.135-153
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    • 2024
  • 최근 스마트관광도시의 등장으로 프리미엄 모빌리티가 중요한 관광분야의 교통수단으로 간주되고 있다. 그런데, 아직까지 관광목적으로 활용될 수 있는 프리미엄 모빌리티 이용고객의 이용경험에 대해서는 충분히 연구된 바가 없다. 이에 이 연구는 결정적 사건기법(critical incidents technique: CIT)을 이용하여 프리미엄 모빌리티를 이용했던 고객의 이용경험에 대한 구성요인을 분석하였다. 프리미엄 모빌리티 이용경험을 구성하는 요인을 구체적으로 파악하기 위해 총 273부의 온라인 설문조사를 통해 만족에 관한 사건수는 366건, 불만족에 관한 사건수는 13건을 수집하였다. 연구결과 고객이 프리미엄 모빌리티를 이용했던 경험을 바탕으로 CIT를 적용하여 프리미엄 이용경험 인식을 구성하는 6개 범주와 9개의 하위요인들을 도출하였다. 특히 이 연구는 6개의 범주 중 편리성이 새로운 범주로 추가되었고 9개의 하위요인 중 넓은 승차감과 고가성(高價性)은 새로운 하위요인으로 도출되었기에 기존 연구들과는 차별성이 있다. 따라서 향후 도출된 구성 요인들을 바탕으로 구조방정식과 같은 양적연구에서 활용될 수 있는 척도를 개발하고, 신뢰성과 타당성을 확보할 수 있다면 관광분야의 프리미엄 모빌리티와 관련된 주제에 다양하게 적용될 수 있을 것이다.

Derivation of Current-Voltage Equation for OLED using Device Simulation

  • Lee, Sang-Gun;Hattori, Reiji
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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    • pp.1212-1215
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    • 2009
  • The theoretical equations for J-V characteristics in an OLED was derived according to the internal carrier emission equation based on a diffusion model at Schottky barrier contact and the mobility equation based on the Pool-Frenkel model. The J-V characteristics of OLED are presented using a behavioral model for analog systems (Verilog-A language), and the accuracy of this model was verified by comparing with the device simulation results.

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