• 제목/요약/키워드: mobile memory

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Application-Adaptive Performance Improvement in Mobile Systems by Using Persistent Memory

  • Bahn, Hyokyung
    • International journal of advanced smart convergence
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    • 제8권1호
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    • pp.9-17
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    • 2019
  • In this article, we present a performance enhancement scheme for mobile applications by adopting persistent memory. The proposed scheme supports the deadline guarantee of real-time applications like a video player, and also provides reasonable performances for non-real-time applications. To do so, we analyze the program execution path of mobile software platforms and find two sources of unpredictable time delays that make the deadline-guarantee of real-time applications difficult. The first is the irregular activation of garbage collection in flash storage and the second is the blocking and time-slice based scheduling used in mobile platforms. We resolve these two issues by adopting high performance persistent memory as the storage of real-time applications. By maintaining real-time applications and their data in persistent memory, I/O latency can become predictable because persistent memory does not need garbage collection. Also, we present a new scheduler that exclusively allocates a processor core to a real-time application. Although processor cycles can be wasted while a real-time application performs I/O, we depict that the processor utilization is not degraded significantly due to the acceleration of I/O by adopting persistent memory. Simulation experiments show that the proposed scheme improves the deadline misses of real-time applications by 90% in comparison with the legacy I/O scheme used in mobile systems.

NAND Flash Memory Pattern Test를 위한 PMBIST (PMBIST for NAND Flash Memory Pattern Test)

  • 김태환;장훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권1호
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    • pp.79-89
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    • 2014
  • 최근 새롭게 보급되는 휴대기기(스마트폰, 울트라북, 태블릿 PC)로 인하여 고용량과 빠른 속도를 원하는 소비자가 증가하고 있다. 이에 따라 Flash Memory의 수요도 지속적으로 증가하고 있다. Flash Memory는 NAND형과 NOR형으로 구분되어 있다. NAND형 Flash Memory는 NOR형 Flash Memory에 비해 속도는 느리지만 가격이 저렴하다. 그렇기 때문에 NAND형 Flash Memory는 Mobile 시장에서 많이 사용되어지고 있다. 그래서 Flash Memory Test를 위한 Fault 검출은 메우 중요하다. 본 논문에서는 Fault 검출 향상을 위한 NAND형 Flash Memory의 Pattern Test를 위한 PMBIST를 제안한다.

Study on the Performance Evaluation and Analysis of Mobile Cache Memory

  • Lee, Sangmin;Kim, Jongwan;Kim, Ji Young;Oh, Dukshin
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제25권6호
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    • pp.99-107
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    • 2020
  • 본 논문에서는 모바일 기기에서 앱 실행 시 데이터 접근 속도를 향상하기 위해 사용하는 모바일 캐시의 특징을 분석하고 캐시 데이터 접근 실험을 통해 모바일 캐시의 중요성을 검증한다. 지난 10년간 모바일 기기 시장은 빠른 속도로 성장하였지만, 배터리가 제한적이고, 기기의 크기와 가격이 고려돼야 하므로 속도가 빠른 하드웨어를 사용하기 어렵다. 따라서 캐시 메모리와 같이 메모리 완충 구조를 통해 성능을 보완한다. 본 논문의 주요분석 대상은 캐시 메모리 크기, 캐시의 계층구조 그리고 교체방식과 그에 따른 모바일 성능을 확인한다. 시뮬레이션 데이터는 마이크로프로세서 시스템 연구에서 캐시 성능 확인용으로 사용한 데이터를 사용하였다. 실험결과 모바일 기기에서 캐시 메모리를 사용할 때 데이터에 대한 평균 접근 속도는 캐시 메모리가 없을 때 보다 10배의 성능향상을 보였으며 결과적으로 캐시 메모리는 같은 사양일 때 모바일 기기의 성능향상에 도움이 되는 것으로 나타났다.

Non volatile memory device using mobile proton in gate insulator by hydrogen neutral beam treatment

  • 윤장원;장진녕;홍문표
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.192.1-192.1
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    • 2015
  • We demonstrated the nonvolatile memory functionality of nano-crystalline silicon (nc-Si) and InGaZnOxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) using mobile protons that are generated by very short time hydrogen neutral beam (H-NB) treatment in gate insulator (SiO2). The whole memory fabrication process kept under $50^{\circ}C$ (except SiO2 deposition process; $300^{\circ}C$). These devices exhibited reproducible hysteresis, reversible switching, and nonvolatile memory behaviors in comparison with those of the conventional FET devices. We also executed hydrogen treatment in order to figure out the difference of mobile proton generation between PECVD and H-NB CVD that we modified. Our study will further provide a vision of creating memory functionality and incorporating proton-based storage elements onto a probability of next generation flexible memorable electronics such as low power consumption flexible display panel.

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The Improvement of the Data Overlapping Phenomenon with Memory Accessing Mode

  • Yang, Jin-Wook;Woo, Doo-Hyung;Kim, Dong-Hwan;Yi, Jun-Sin
    • Journal of Information Display
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    • 제9권1호
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    • pp.6-13
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    • 2008
  • Mobile phones use the embedded memory in LDI (LCD Driver IC). In memory accessing mode, data overlapping phenomenon can occur. These days, various contents such as DMB, Camera, Game are merged to phone. Accordingly, with more data transmission, there would be more data overlapping phenomenon in memory accessing mode. Human eyes perceive this data overlapping phenomenon as simply horizontal line noise. The cause of the data overlapping phenomenon was analysed in this paper. The data overlapping phenomenon can be changed by the speed of data transmission between the host and LDI. The optimum memory accessing position can be defined. This paper proposes a new algorithm for avoiding data overlapping.

Memory Allocation in Mobile Multitasking Environments with Real-time Constraints

  • Hyokyung, Bahn
    • International Journal of Internet, Broadcasting and Communication
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    • 제15권1호
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    • pp.79-84
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    • 2023
  • Due to the rapid performance improvement of smartphones, multitasking on mobile platforms has become an essential feature. Unlike traditional desktop or server environments, mobile applications are mostly interactive jobs where response time is important, and some applications are classified as real-time jobs with deadlines. When interactive and real-time jobs run concurrently, memory allocation between multitasking applications is a challenging issue as they have different time requirements. In this paper, we study how to allocate memory space when real-time and interactive jobs are simultaneously executed in a smartphone to meet the multitasking requirements between heterogeneous jobs. Specifically, we analyze the memory size required to satisfy the constraints of real-time jobs and present a new model for allocating memory space between heterogeneous multitasking jobs. Trace-driven simulations show that the proposed model provides reasonable performance for interactive jobs while guaranteeing the requirement of real-time jobs.

모바일 컴퓨터를 위한 플래시 메모리 스왑 시스템 (A Flash Memory Swap System for Mobile Computers)

  • 전선수;류연승
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제13권9호
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    • pp.1272-1284
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    • 2010
  • 모바일 컴퓨터가 고성능화되고 범용 컴퓨터처럼 사용되면서 모바일 컴퓨터의 운영체제에서도 주 기억장치를 효율적으로 사용할 수 있게 해주는 스왑 시스템 기능이 요구되고 있다. 모바일 컴퓨터의 저장 장치는 플래시 메모리가 널리 쓰이고 있는데 현재의 리눅스 스왑 시스템은 플래시 메모리를 고려하지 않고 있다. 스왑 시스템은 실행 중인 프로세스의 내용을 저장하기 때문에 프로세스 실행과 밀접한 관련이 있다. 이러한 성질을 고려하여, 본 논문에서는 프로세스 별로 플래시 메모리 블록을 할당하는 PASS(Process-Aware Swap System)라는 새로운 리눅스 스왑 시스템을 연구하였다. 트레이스 기반의 실험을 통해 PASS의 가비지 수집 성능이 기존 가비지 수집 기법을 사용하는 리눅스 스왑 시스템보다 우수함을 보였다.

차세대 모바일 메모리 기술의 정량적 비교 및 분석 (Quantitative comparison and analysis of next generation mobile memory technologies)

  • 윤창호;문병인;공준호
    • 한국차세대컴퓨팅학회논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.40-51
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    • 2017
  • 최근 모바일 디바이스에서 수행되는 응용 프로그램이 데이터-집약적으로 변화함에 따라, 모바일 메모리에 요구되는 대역폭 및 소모되는 에너지가 증가하고 있으며 이를 개선하기 위한 여러 연구 및 기술 개발이 진행되고 있다. 그러나, 최신 모바일 메모리 기술 (LPDDR 혹은 Wide I/O) 시스템 측면 연구는 많이 이루어지지 않은 실정이다. 특히, 컴퓨터 시스템적인 측면에서 이러한 기술들의 정량적인 평가는 모바일 메모리 기술 개선에 매우 중요한 척도가 될 수 있다. 본 논문에서는 현재 모바일 디바이스에서 사용되는 모바일 DRAM (Wide I/O and LPDDR3)을 채용한 컴퓨터 시스템을 시뮬레이션하고 이를 통해 얻은 결과를 바탕으로 차세대 모바일 DRAM의 에너지 효율 및 성능에 직접적인 영향을 주는 세부적인 요소를 정량적으로 분석하고 어느 부분이 개선점이 될 수 있는지를 보여준다.

A Memory-efficient Hand Segmentation Architecture for Hand Gesture Recognition in Low-power Mobile Devices

  • Choi, Sungpill;Park, Seongwook;Yoo, Hoi-Jun
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제17권3호
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    • pp.473-482
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    • 2017
  • Hand gesture recognition is regarded as new Human Computer Interaction (HCI) technologies for the next generation of mobile devices. Previous hand gesture implementation requires a large memory and computation power for hand segmentation, which fails to give real-time interaction with mobile devices to users. Therefore, in this paper, we presents a low latency and memory-efficient hand segmentation architecture for natural hand gesture recognition. To obtain both high memory-efficiency and low latency, we propose a streaming hand contour tracing unit and a fast contour filling unit. As a result, it achieves 7.14 ms latency with only 34.8 KB on-chip memory, which are 1.65 times less latency and 1.68 times less on-chip memory, respectively, compare to the best-in-class.

Non volatile memory TFT using mobile proton in gate dielectric by hydrogen neutral beam treatment

  • Yun, JangWon;Jang, Jin Nyoung;Hong, MunPyo
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.231-232
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    • 2016
  • We have fabricated the nc-Si, IGZO based nonvolatile memory TFTs using mobile protons, which can be generated by simple hydrogen insertion process via H-NB treatment at room temperature. The TFT devices above exhibited reproducible hysteresis behavior, stable ON/OFF switching, and non-volatile memory characteristics. Also executed hydrogen treatment in order to figure out the difference of mobile proton generation between PECVD and our modified H-NB CVD. The room temperature proton-insertion process can reveal flexible inorganic based all-in-one display panel including driving circuit and memory circuit.

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