ZnO crystals with different morphologies are synthesized through thermal evaporation of the mixture of Zn and Cu powder in air at atmospheric pressure. ZnO crystals with wire shape are synthesized when the process is performed at $1,000^{\circ}C$, while tetrapod-shaped ZnO crystals begin to form at $1,100^{\circ}C$. The wire-shaped ZnO crystals form even at $1,000^{\circ}C$, indicating that Cu acts as a reducing agent. As the temperature increases to $1,200^{\circ}C$, a large quantity of tetrapod-shaped ZnO crystals form and their size also increases. In addition to the tetrapods, rod-shaped ZnO crystals are observed. The atomic ratio of Zn and O in the ZnO crystals is approximately 1:1 with an increasing process temperature from $1,000^{\circ}C$ to $1,200^{\circ}C$. For the ZnO crystals synthesized at $1,000^{\circ}C$, no luminescence spectrum is observed. A weak visible luminescence is detected for the ZnO crystals prepared at $1,100^{\circ}C$. Ultraviolet and visible luminescence peaks with strong intensities are observed in the luminescence spectrum of the ZnO crystals formed at $1,200^{\circ}C$.
원료$(NiO,\;CuO,\;ZnO,\;Fe_{2}O_{3})$를 사용하여 원하는 조성의 NiCuZn Ferrite 를 제조하기 위해서는, 가능한 고농도 원료슬러리를 균일 혼합 및 효율적인 분쇄를 하여야 한다. 본 연구에서는 습식 볼밀을 사용하여 혼합원료 입자들의 분산상태를 유지하며, 최적의 혼합 및 분쇄조건을 확립하고자 한다. 먼저 혼합원료의 분산특성을 조사한 후, 볼밀링시 사용하고자 하는 pH 영역을 결정하고, 이 때 사용 가능한 분산제를 선택하였다. 또한, 분산제의 양, 분쇄시간, 볼밀링 가능한 슬러리의 농도 등을 조사하였다. 혼합원료의 분산거동을 조사한 결과, 혼합 및 분쇄할 때 음이온성 고분자전해질(poly acrylic ammonium salt)이 적절한 분산제였으며, 분산제 양은 0.7 wt%가 적절하였다. 이 때 최적 볼밀링 시간은 18시간이었으며 볼밀링이 가능한 슬러리의 최대 농도는 약 55 vol%이었다. 혼합원료 30 vol%슬러리에 음이온성 고분자전해질을 0.7 wt% 첨가하여 18시간 볼밀링한 결과, 혼합원료의 평균입자경은 약 $0.54\mu\textrm{m}$, 비표면적은 $12.92m^{2}/cc$이었다. 이를 $700^{\circ}C$에서 3시간 동안 하소하면 단일상의 NiCuZn Ferrite가 얻어졌다.
The phase of Cu,Zn,Al precursors strongly affects the activity of their final catalysts. Herein, the Cu,Zn,Al precursor was prepared by precipitation of $Al^{3+}$ onto primitive, amorphous Cu,Zn precipitate. This precursor turned out to be a phase mixture of zincian malachite and hydrotalcite in which the latter phase was less abundant compared to the co-precipitated precursor. The final catalyst derived from this precursor exhibited a little higher copper surface area and methanol synthesis activity than the co-precipitated counterpart. Therefore, the two precursor phases need to be mixed in an adequate proportion for the preparation of active $Cu/ZnO/Al_2O_3$ catalyst.
The absorption properties of Cu-Zn ferrite/rubber composite microwave absorbers with PZT(Lead Zirconate Titanate) additive were evaluated. The composite specimens have prepared by molding and curing the mixture of matrix rubber and Cu-Zn ferrite powders which are synthesized by the coprecipitation method using Fe Cl/sub 3/ .center dot. 6H/sub 2/O, CuCl/sub 2/ .center dot. 2H/sub 2/O and Zn Cl/sub 2/ as a starting raw materials. PZT is used as another filler particles to adjust the material constants of Cu-Zn ferrite/rubber composite specimens. We have found that the material constants of specimens could be controlled by various PZT mixing ratio. On the Cu-Zn ferrite/rubber composite specimens with PZT 10[wt%] additive, the reflection losses were larger than 30[dB] in the frequency range from 2.72 to 4.4[GHz]' by adjusing the thickness.
Water dispersible ZnS based nanocrystals: ZnS (blue), ZnS:Cu (green) and ZnS:Mn (yellow-orange) were synthesized by capping the surface of the nanocrystals with a mercaptopropionic acid (MPA) molecule. The MPA capped ZnS based nanocrystal powders were characterized by using XRD, HR-TEM, EDXS, FT-IR, and FT-Raman spectroscopy. The optical properties of the colloidal nanocrystals were also measured by UV/Vis and photoluminescence (PL) spectroscopies in aqueous solvents. The PL spectra showed broad emission peaks at 440 nm (ZnS), 510 nm (ZnS:Cu) and 600 nm (ZnS:Mn), with relative PL efficiencies in the range of 4.38% to 7.20% compared to a reference organic dye. The measured average particle sizes from the HR-TEM images were in the range of 4.5 to 5.0 nm. White light emission was obtained by mixing these three nanocrystals at a molar ratio of 20 (ZnS):1 (ZnS:Cu):2 (ZnS:Mn) in water. The measured color coordinate of the white light was (0.31, 0.34) in the CIE chromaticity diagram, and the color temperature was 5527 K.
In this study, the inhibitory effect of toxic metals was investigated on the activated sludge of the municipal sewage treatment plant. The allowable concentration of toxic metals was also estimated for the stable operation of the biological treatment process. The single and mixture toxicity of $Cu^{2+}$, $Al^{3+}$ and $Zn^{2+}$ were evaluated for the activated sludge microorganisms. As a result, nitrifying microorganisms were more susceptible than heterotrophic microorganisms. $IC_{10}$ (Inhibition Concentration of 10%) of $Cu^{2+}$, $Al^{3+}$ and $Zn^{2+}$ for the nitrifying microorganisms was 3 mg/L, 7 mg/L and 25 mg/L, respectively. The mixture toxicity showed three times more sensitive than the single toxicity. The concentrations of $Cu^{2+}$, $Al^{3+}$ and $Zn^{2+}$ to minimize the inhibitory effect on organic matter removal and nitrification in batch experiments were found to be 1.3 mg/L, 2.5 mg/L and 6.3 mg/L.
Since P-ELD(powders type electroluminescent device) phenomena were found by G.Destriau at first In 1936, lots of studying was performed in order to realize surface emission devices and flat panel display as a backlight. Due to the problem of low luminance and color and so on, it was delayed. Recently using electric field and thermal effect which can change it\`s molecular arrangement, it can be developed using photoelectric properties of P-ELD. P-ELD in this study was prepared by casting method. Basic structure is ITO/Phosphor/insulator/Al sheet, each layer was mixed by binder, which concentration 11p(poise) for phosphor, 8p(poise) fort insulator. Dielectric properties was investigated first and emission properties of P-ELD based on ZnS:Mn,Cu/ZnS:Cu,Br mixture. P-ELD prepared in this work exhibits about 100cd/㎡ 1-kHz simusoidal excitation.
Electroluminescence(EL) come from the light emission obtained by electrical excitation energy passing through a phosphor layer under applied high electrical field. The preparation and characterizations of light emitting ACPEL(alternating-current powder electroluminescent) cell based on two kinds of phosphor mixed ZnS:Mn, Cu and ZnS:Cu phosphor. Basic structure is ITO/Mixed Phosphor/insulator/Al sheet, each layer was mixed by binder, which concentration 11p for phosphor, 8p for insulator. Dielectric properties was investigated first and emission properties of P-LED based on ZnS:Mn,Cu/ZnS:Cu,Br mixture. Emission spectra exhibits two kinds of main peaks at 100V, 1kHz sinusoidal excitation.
In this paper, The optimum oxidation conditions for the formation of Cu-Zn ferrite were investigated using precipitates obtained by the mixture of $CuCl_2{\cdot}2H_2O$, $ ZnCl_2$, $FeCl_3{\cdot}6H_2O$ and NaOH. The precipitates were prepared by coprecipitation method on various temperatures and oxidation conditions. The oxidation products were examined by SEM, XRD, and VSM. The particles obtained at 70($^{\circ}C$) were more spherical and fine than that of prepared at 25($^{\circ}C$), 50($^{\circ}C$), 60($^{\circ}C$), respectively. By $H_2O_2$ oxidation, the saturation magnetization of the powders was little influenced, But, by air oxidation the saturation magnetization of the powders was influenced intricately. According to our experimental data, the saturation magnetization of the powders increased with reaction time and was saturated at 9 hours.
In this study, $CuInSe_{2}$ (CISe) and $CuInZnSe_{2}$ (CIZSe) thin films were prepared on Corning 1737 glass by radio frequency (RF) magnetron sputtering from binary chalcogenide mixed powder targets. The targets were initially prepared by mixing appropriate weights of CuSe, InSe powder and various ZnSe contents. From the film bulk analysis result, it is observed that Zn concentration in the films increases proportionally with the addition of ZnSe in the sputtering targets. Under optimized conditions, CISe and CIZSe thin films grow as a chalcopyrite structure with strong (112), (220/204) and (312/116) reflections. Films are found to exhibit a high absorption coefficient of $10^{4}$$cm^{-1}$. An increasing of optical band gap from 1.0 eV (CISe) to 1.25 eV (CIZSe) is found to be proportional with an increasing of Zn concentration as expected. All films have a p-type semiconductor characteristic with a carrier concentration in the order of 1014 $cm^{-3}$, a mobility about $10^{1}$$cm^{2{\cdot}-1}{\cdot}s^{-1}$ and a resistivity at the range of $10^{2}-10^{6}$ W${\cdot}$m.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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