First demonstrators of bi-directional OLED microdisplay devices have been developed and integrated into see-through HMD optics. The device combines 'display' and 'imaging' by nested OLED pixels and photodetectors in a single CMOS chip. Major aim of this integration is to provide capabilities for eyetracking to achieve gaze-based human-displayinteraction.
In this paper, we describe a capacitive position sensing and motion control scheme of a MEMS scanner used for laser display application. The laser displays can be made by scanning laser beams much the same way a CRT scans electron beams. So the accuracy of the scanner motion determines the quality of the displayed image. The MEMS scanner under consideration is composed of electrostatic comb electrodes with initial gap and requires large driving voltage. Due to the under-damping and nonlinear driving characteristics, the scanner motion is subject to be an unwanted oscillation. For the linear scanner motion, we devise a differential charge amplifier and phase compensator. The experimental results show that the implemented feedback control system provides sufficient electrical damping and improves the dynamic performance of the scanner.
Hydrogel scaffolds composed of multiple components are promising platform in tissue engineering as a transplantation materials or artificial organs. Here, we present a new fabrication method for implementing multi-layered macroscopic hydrogel scaffold composed of multiple components by controlling height of hydrogel layer through precise control of ultraviolet (UV) energy density. Through the repetition of the photolithography process with energy control, we can form several layers of hydrogel with different height. We characterized UV energy-dependent profiles with single-layered PEGDA posts photocrosslinked by the modular methodology and examined the optical effect on the fabrication of multi-layered, macroscopic hydrogel structure. Finally, we successfully demonstrated the potential applicability of our approach by fabricating various macroscopic hydrogel constructs composed of multiple hydrogel layers.
This paper describes a new 160x80 passive-matrix OLED driver ASIC capable in applying multi-line addressing (MLA). Application is directed towards highly-reliable displays, e.g. in automobiles.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2005.06a
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pp.211-215
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2005
Microsystems combine several microcomponents, optimized an entire system, to provide several specific technical functions by the shape of the microstructure. Microfabrication and micromachining techniques have played the key role in the fast development and commercialization of microsystems. Microreaction technology based on microsystems is a powerful tool for the evaluating new process and reaction pathways in chemical engineering. Because of the small characteristic dimensions of microreaction devices, mass and heat transfer processes are enhanced and, in addition, reaction conditions can be precisely controlled for optimizing yield and selectivity. The paper will report on the mixer design principle and explore several application fields of microreaction technology in the chemical synthesis
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.12S
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pp.1224-1231
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2003
This paper reports on the air-gap type thin film bulk acoustic wave resonator(FBAR) using ultra thin wafer with thickness of 50$\mu\textrm{m}$. It was fabricated to realize a small size devices and integrated objects using MEMS technology for flexible microsystems. To reduce a error of experiment, MATLAB simulation was executed using material characteristic coefficient. Fabricated thin FBAR consisted of piezoelectric film sandwiched between metal electrodes. Used piezoelectric film was the aluminum nitride(AlN) and electrode was the molybdenum(Mo). Thin wafer was fabricated by wet etching and dry etching, and then handling wafer was used to prevent damage of FBAR. The series resonance frequency and the parallel frequency measured were 2.447㎓ and 2.487㎓, respectively. Active area is 100${\times}$100$\mu\textrm{m}$$^2$.Q-factor was 996.68 and K$^2$$\_$eff/ was 3.91%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.41-44
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2001
In this paper, we explain briefly polysilicon guard layer in a simple 3-D structure. Simulation was performed extensively to see interference and characterize the role of the polysilicon guard layer. Especially, we performed extensively S-parameter simulation to analysis the signal interference. The interference was characterized in terms of oxide thickness, polysilicon doping concentration, thickness, number of contact of polysilicon guard, and metal guard size.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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