Present thin film solar cells with hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiO:H) as an absorber suffer from low fill factor(FF) of 61~64 [%] in spite of its benefits related to high open circuit voltage ($V_{oc}$). Since degraded quality of a-SiO:H absorber by alloying with oxygen can affect the FF, we aimed to achieve high photosensitivity by minimizing $CO_2$ gas addition. Improving optical gap($E_{opt}$) has been attained by strong hydrogen dilution combined with lowering substrate temperature down to 100 [$^{\circ}C$]. Small amount of the $CO_2$ was added in order to disturb microcrystalline formation by high hydrogen dilution. The developed a-SiO:H has high photosensitivity (${\sim}2{\times}10^5$) and high $E_{opt}$ of 1.85 [eV], which contributed to attain remarkable FF of 74 [%] and high $V_{oc}$ (>1 [V]). As a result, high power conversion efficiency of 7.18 [%] was demonstrated by using very thin absorber layer of only 100 [nm], even though we processed all experiment at extremely low temperature of 100 [$^{\circ}C$].
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제4C권1호
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pp.26-30
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2004
Orientation control of a polyoxometalate (POM) nanoparticle in its two-dimensional arrangement was attempted by Langmuir-Blodgett (LB) technique. For their uniorientation, two carboxyl groups were introduced on one side of the POM particle, and hydrophobic long chains were attached by esterification with the carboxyl groups (C18-POM). The C18-POM layer spread on water surface showed stability against surface pressure up to 60 mN/m. The pattern of the C18-POM isotherm was quite different from stearyl alcohol (C18-OH), while the POM itself did not show any development of surface pressure on water surface. The AFM images of C18-POM LB films showed some microcrystalline structures that were noticed as dot structures by Brewster angle microscopy. The microimages for C18-POM did not completely spread out as a monolayer on the water surface. The XPS spectra indicated the presence of POM structures and stearyl ester bonds formed from about 65% of the total carboxyls. The XRD spectra showed that the unioriented POMs were not positioned with the same lattice distance but rather in a wavy surface state.
Microcrystalline Si films have been deposited by using five W-wire filaments of 0.5 mm diameter for hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). We compared the HWCVD grown films with the film exposed to transformer couple plasma system for the modification of seed layer. W-wire filament temperature was maintained below 1600$^{\circ}C$ to avoid metal contamination by thermal evaporation at the filament. Deposition conditions were varied with H$_2$dilution ratio, with and without plasma treatment. From the Raman spectra analysis, we observed that the film crystallization was strongly influenced by the H$_2$dilution ratio and weakly depended on the distance between the wire and a substrate. We were able to achieve the crystalline volume fraction of about 70% with an SiH$_4$/H$_2$ratio of 1.3%, a wire temperature of 1514$^{\circ}C$, a substrate separation distance of 4cm, and a chamber pressure of 38 mTorr. We investigated the influence of ${\mu}$c-Si film properties by using a plasma treatment. This article also deals with the influence of the H$_2$dilution ratio in crystallization modification.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
(100-x)Zn xMg alloy films are prepared onto cold-rolled steel substrates; where x ranged from 0 to about 38 atomic %. The alloy films show microcrystalline and grain structures respectively, according to preparation conditions such as composition ratio of zinc and magnesium or gas pressures etc.. And X-ray diffraction analysis indicates not only the presence of Zn-Mg thin films with forced solid solution but also the one of $MgZn_2$ alloy films partly. In addition the influence of Mg/Zn composition ratio and morphology of the Zn-Mg alloy films on corrosion behavior is evaluated by electro-chemical anodic polarization tests in deaerated 3% NaCl solution. From this experimental results, all the prepared Zn-Mg alloy films showed obviously good corrosion resistance to compare with 99.99% Zn and 99.99% Mg Ingots for evaporation metal. It is thought that the Zn-Mg films with effective forced solid solution prepared by plasma enhanced PVD method, produces smaller and denser grain structure so that may improve the formation of homogeneous passive layer in corrosion environment.
Superstrate pin amorphous silicon thin-film(a-Si:H) solar cells are prepared on $SnO_2:F$ and ZnO:Al transparent conducting oxides(TCO) in order to see the effect of TCO/p-layers on a-Si:H solar cell operation. The solar cells prepared on textured ZnO:Al have higher open circuit voltage VOC than cells prepared on $SnO_2:F$. Presence of thin microcrystalline p-type silicon layer(${\mu}c-Si:H$) between ZnO:Al and p a-SiC:H plays a major role by causing improvement in fill factor as well as $V_{OC}$ of a-Si:H solar cells prepared on ZnO:Al TCO. Without any treatment of pi interface, we could obtain high $V_{OC}$ of 994mV while keeping fill factor(72.7%) and short circuit current density $J_{SC}$ at the same level as for the cells on $SnO_2:F$ TCO. This high $V_{OC}$ value can be attributed to modification in the current transport in this region due to creation of a potential barrier.
Solid dispersion (SD) system of everolimus (EVR) with Gelucire 50/13 (Stearoyl polyoxyl-32 glycerides) was prepared using melt granulation technique with the aim of improving the physicochemical properties and dissolution rate. The solid state characterization using scanning electron microscopy and X-ray powder diffraction, indicated that the drug was homogeneously distributed in the surfactant carrier in a stable amorphous form. The dissolution rate of EVR from the optimized SD composed of the drug, Gelucire 50/13 and microcrystalline cellulose in a weight ratio of 1:5:10, was markedly rapid and higher than that from the drug powder and the market product (Afinitor$^{(R)}$, Novartis Pharmaceuticals) in all dissolution mediums tested from pH 3.0 to pH 6.8. The results of this study suggest that formulation of SD with Gelucire 50/13 using melt granulation procedure may be a simple and promising approach for improving the dissolution rate and oral absorption of the anti-cancer agent without the need for using an organic solvent.
Simple methods of conductometric titration and infrared spectroscopy were used to quantify the surface carboxyl content of cellulose fibrils isolated by 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-1-oxyl radical (TEMPO)-mediated oxidation. The effects of different cellulose sources, post or assisted-sonication oxidation treatment, and the amount of sodium hypochlorite addition on the carboxyl content of cellulose were reported. This study showed that post sonication treatment had no influence on the improvement of surface carboxyl charge of cellulose macrofibrils (CMFs). However, the carboxyl content increased for the isolated cellulose nanofibrils (CNFs). Thus the carboxyl content of CNFs is different from those of their corresponding bulk oxidized cellulose and CMFs. Filter paper as a CNF source imparted a higher surface charge than did hardwood bleached kraft pulp (HWBKP) and microcrystalline cellulose (MCC). It was considered that the crystallinity and microstructure of the initial cellulose affected oxidation efficiency. In addition, the carboxyl content of cellulose was successfully controlled by applying sonication treatment during the oxidation reaction and adjusting the amount of sodium hypochlorite.
Many research groups have studied tandem or multi-junction cells to overcome this low efficiency and degradation. In multi-junction cells, band-gap engineering of each absorb layer is needed to absorb the light at various wavelengths efficiently. Various absorption layers can be formed using multi-junctions, such as hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiC:H), amorphous silicon germanium (a-SiGe:H) and microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si:H), etc. Among them, ${\mu}c$-Si:H is the bottom absorber material because it has a low band-gap and does not exhibit light-induced degradation like amorphous silicon. Nevertheless, ${\mu}c$-Si:H requires a much thicker material (>2 mm) to absorb sufficient light due to its smaller light absorption coefficient, highlighting the need for a high growth rate for productivity. ${\mu}c$-SiGe:H has a much higher absorption coefficient than ${\mu}c$-Si:H at the low energy wavelength, meaning that the thickness of the absorption layer can be decreased to less than half that of ${\mu}c$-Si:H. ${\mu}c$-SiGe:H films were prepared using 40 MHz very high frequency PECVD method at 1 Torr. SiH4 and GeH4 were used as a reactive gas and H2 was used as a dilution gas. In this study, the ${\mu}c$-SiGe:H layer for triple solar cells applications was performed to optimize the film properties.
Iftiquar, Sk Md;Park, Jinjoo;Shin, Jonghoon;Jung, Junhee;Bong, Sungjae;Dao, Vinh Ai;Yi, Junsin
Current Photovoltaic Research
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제2권2호
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pp.41-47
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2014
Extensive investigation on silicon based thin film reveals a wide range of film characteristics, from low optical gap to high optical gap, from amorphous to micro-crystalline silicon etc. Fabrication of single junction, tandem and triple junction solar cell with suitable materials, indicate that fabrication of solar cell of a relatively moderate efficiency is possible with a better light induced stability. Due to these investigations, various competing materials like wide band gap silicon carbide and silicon oxide, low band gap micro-crystalline silicon and silicon germanium etc were also prepared and applied to the solar cells. Such a multi-junction solar cell can be a technologically promising photo-voltaic device, as the external quantum efficiency of such a cell covers a wider spectral range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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