Purine catabolite screening enables reliable diagnosis of certain diseases. In this regard, the development of a facile detection strategy with high sensitivity and selectivity is demanded for point-of-care applications. In this work, the simultaneous detection of uric acid (UA), xanthine (XA), and hypoxanthine (HX) was carried out as model purine catabolites by surface-enhanced Raman Spectroscopy (SERS). The detection assay was conducted by employing high-aspect ratio Au nanopillar substrates coupled with in-situ Au electrodeposition on the substrates. The additional modification of the Au nanopillar substrates via electrodeposition was found to be an effective method to encapsulate molecules in solution into nanogaps of growing Au films that increase metal-molecule contact and improve substrate's sensitivity and selectivity. In complex solutions, the approach facilitated ternary identification of UA, XA, and HX down to concentration limits of 4.33 𝜇M, 0.71 𝜇M, and 0.22 𝜇M, respectively, which are comparable to their existing levels in normal human physiology. These results demonstrate that the proposed platform is reliable for practical point-of-care analysis of biofluids where solution matrix effects greatly reduce selectivity and sensitivity for rapid on-site disease diagnosis.
Stainless steel is a metal that does not generate rust. Due to its excellent workability, economic feasibility, and corrosion resistance, it is used in various industrial fields such as ships, piping, nuclear power, and machinery. However, stainless steel is vulnerable to corrosion in harsh environments. To solve this problem, its corrosion resistance could be improved by electrochemically forming an anodized film on its surface. In this study, 316L stainless steel was anodized at room temperature with ethylene glycol-based 0.1 M NH4F and 0.1M H2O electrolyte to adjust the thickness of the oxide film using different anodic oxidation voltages (30 V, 50 V, and 70 V) with time control. The anodic oxidation experiment was performed by increasing the time from 1 hour to 7 hours at 2-hour intervals. Corrosion resistance according to the thickness of the anodic oxide film was observed. Electrochemical corrosion behavior of oxide films was investigated through polarization experiments.
산업용으로 이용하는 대면적 그래핀 시트는 주로 Cu foil 위에서 화학증기증착법(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 성장된다. 그러나 모든 면적에서 균일하게 성장되는 것은 아니므로, 품질이 불만족스러운 그래핀 필름을 제외시키는 과정이 필수적으로 요구된다. 비침습적인 반사형 광학적인 방법을 사용하면, 그래핀의 성장프로세스 도중이나 성장 후에 빠르고 편리하게 분류할 수 있다. 본 논문에서는 국소적인 그래핀 필름의 파장별 반사 대비율(reflectance contrast)이 그래핀의 품질과 밀접한 관련이 있어 품질이 불만족스러운 그래핀 필름을 제외시키는 데에 효과적인 데이터로 이용될 수 있음을 밝혔다. 파장별 반사 대비율을 계산하기 위해서, 화학적 퍼텐셜(chemical potential)과 전자간 널뛰기(hopping) 에너지, 그리고 온도 등의 요소가 성장된 그래핀의 광학적 반사 대비율에 어떠한 영향을 미치는지 조사하였다.
In the fabrication of joined materials between anodized aluminum alloy and polymer, the performance of the metal-polymer joining is greatly influenced by the chemical properties of the oxide film. In a previous study, the dependence of physical joining strength on the thickness, structure, pore formation, and surface roughness of films formed on aluminum alloys is investigated. In this study, we investigated the effect of silane coupling treatment on the joining strength and sealing performance between aluminum alloy and polymer. After a two-step anodization process with additional treatment by silane, the oxide film with chemically modified nanostructure is strongly bonded to the polymer through physical and chemical reactions. More specifically, after the two-step anodization with silane treatment, the oxide film has a three-dimensional (3D) nanostructure and the silane components are present in combination with hydroxyl groups up to a depth of 150 nm. Accordingly, the joining strength between the polymer and aluminum alloy increases from 29 to 35 MPa, and the helium leak performance increases from 10-2-10-4 to 10-8-10-9 Pa ㎥ s-1.
The studies on the effect of different plastic properties (e.g., types, shapes, presence of additivies) on the sorption of contaminants in the agricultural environment are limited. In this study, Cu and Pb, the commonly found heavy metals in the environment, were used to investigate the sorption capacities of microplastics (MPs). The Pb sorption capacity increased in the order of polystyrene (PS)<polyethylene (PE)<polyvinyl chloride (PVC). The estimated Cu sorption capacity was greater for the PE films than the PE fragments, while the sorption strength was greater for the PE fragments. This suggests that the shapes of MPs can affect the contaminant sorption capacities. With the PE fragments, the Pb sorption capacity was greater than the Cu sorption capacity by 10-12 times. Also, the Pb and Cu sorption capacities were greater for the PE fragments with additives than the PE fragment without additives. After the sorption of Pb or Cu on MPs, the toxic effects of the Pb or Cu solutions were decreased, suggesting that the toxic effects of contaminants can be affected by the co-presence of MPs in the environment. Overall, the results show that different types and shapes of MPs and the presence of additives can affect the heavy metal sorption capacities of MPs.
Oxide buffer layers for YBCO coated conductors were fabricated using MOD processing and development of microstructure and texture were investigated. A $CeO_2$ buffer layers were formed on RABiTS tape. Acetate-based precursor solution was employed to synthesize the precursor solution. Subsequently, the precursor solution was stabilized and modified with triethanolamine. $CeO_2$ precursor gel film was coated and annealed in $Ar/H_2$ atmosphere at high temperature. An annealed $CeO_2$ film shows mixed orientation with high (001) texturing. It was shown that (111) texture of $CeO_2$ layers were enhanced by multiple coating. This degradation was attributed to development of microcracks in the multiply coated $CeO_2$ films. Also discussed are the synthesis and the characterization of $La_2Zr_2O_7$ (LZO) buffer layers on RABiTS tape. A biaxially textured LZO buffer layer was fabricated with MOD processing method using metal alkoxide based precursor solution. It was shown that the LZO film were epitaxially grown on RABiTS tape and crack-free & uniform surface was obtained after annealing in $Ar/H_2$ atmosphere.
Aluminum-induced crystallization (AIC) as a route to reduce the fabrication cost and to obtain polycrystalline Si (p-Si) thin-film of large grain size is a promising alternative of single-crystalline (s-Si) substrate or p-Si thin-film obtained by conventional methods such as solid phase crystallization (SPC) and laser-induced crystallization (LIC). As the AIC process occurs at the interface between a-Si and Al thin-films, there are various process and interface parameters. Also, it directly means that there is a certain parametric window to obtain p-Si of large grain size having uniform crystal orientation. In this article, we investigate the effect of the various process and interface parameters to obtain p-Si of large grain size and uniform crystal orientation from the literature review. We also suggest the potential use of the p-Si as a virtual substrate for the growth of various compound semiconductors in a form of low-dimension as well as thin-film as a way for their monolithic integration on Si.
We report the effect of Ca doping in $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ (YBCO) thin films grown on the Rolling- Assisted, Biaxially Textured Substrates (RABiTS) with the architecture of $CeO_2/YSZ/CeO_2/Ni$. Critical currents of bilayer and trilayer structures of $YBCO/Y_{0.7}Ca_{0.3}Ba_2Cu_3O_{7-\delta}$/(YCaBCO) as well as undoped YBCO for comparison have been measured in a wide range of temperatures and fields. For $6-8^{\circ}$ grain boundaries, 30% Ca-doping in bilayer structure enhances $J_c$ as high as 35%. The enhancement is larger at low temperatures and at magnetic fields. On the other hand, 30% Ca-doping in trilayer structure reduces $J_c$ as high as 60%. Combined with slightly lower $T_c$, this indicates that Ca is overdoped in this structure and degrades GBs.
Recently, InGaN/GaN multi-quantum well grown on GaN pyramid structures have attracted much attention due to their hybrid characteristics of quantum well, quantum wire, and quantum dot. This gives us broad band emission which will be useful for phosphor-free white light emitting diode. On the other hand, by using quantum dot emission on top of the pyramid, site selective single photon source could be realized. However, these structures still have several limitations for the single photon source. For instance, the quantum efficiency of quantum dot emission should be improved further. As detection systems have limited numerical aperture, collection efficiency is also important issue. It has been known that micro-cavities can be utilized to modify the radiative decay rate and to control the radiation pattern of quantum dot. Researchers have also been interested in nano-cavities using localized surface plasmon. Although the plasmonic cavities have small quality factor due to high loss of metal, it could have small mode volume because plasmonic wavelength is much smaller than the wavelength in the dielectric cavities. In this work, we used localized surface plasmon to improve efficiency of InGaN qunatum dot as a single photon emitter. We could easily get the localized surface plasmon mode after deposit the metal thin film because lnGaN/GaN multi quantum well has the pyramidal geometry. With numerical simulation (i.e., Finite Difference Time Domain method), we observed highly enhanced decay rate and modified radiation pattern. To confirm these localized surface plasmon effect experimentally, we deposited metal thin films on InGaN/GaN pyramid structures using e-beam deposition. Then, photoluminescence and time-resolved photoluminescence were carried out to measure the improvement of radiative decay rate (Purcell factor). By carrying out cathodoluminescence (CL) experiments, spatial-resolved CL images could also be obtained. As we mentioned before, collection efficiency is also important issue to make an efficient single photon emitter. To confirm the radiation pattern of quantum dot, Fourier optics system was used to capture the angular property of emission. We believe that highly focused localized surface plasmon around site-selective InGaN quantum dot could be a feasible single photon emitter.
C-plane 사파이어 기판 위에 펄스 레이저 증착법으로 증착시킨 n-type ZnO 박막에 대한 Ti/Au 금속의 Ohmic 접합특성을 TLM (transfer length method) 패턴 전극을 통하여 연구하였다. 여기서, Ti와 Au 금속박막은 전자빔 증착기와 열 증착기로 각각 35 nm와 90 nm 두께로 증착하였으며, TLM패턴은 광 리소그래피 법으로 면적이 $100{\times}100{\mu}m^2$인 전극패턴을 6~61 ${\mu}m$ 간격으로 형성하였다. Ti/Au 금속박막과 ZnO 반도체 사이의 전기적인 성질을 개선하고 응력과 계면 결함을 감소시키기 위해, 산소 가스 분위기로 $100{\sim}500^{\circ}C$ 온도에서 각각 1분간 급속열처리를 하였다. $300^{\circ}C$의 온도에서 열처리한 시료에서 $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 가장 낮은 비저항 값을 보였는데, 이것은 열처리 동안 티타늄 산화막 형성과정에서 ZnO 박막 표면 근처에 산소빈자리가 형성됨으로써 나타나는 전자농도의 증가가 주된 원인으로 고려되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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