In flash memory, many previous garbage collection methods only merge blocks statically and do not consider the contents of buffer. These schemes may cause more unnecessary block erase operations and page copy operations. However, since flash memory has the limitation of maximum rate and life cycle to delete each block, an efficient garbage collection method to evenly wear out the flash memory region is needed. This paper proposes a memory compaction scheme based on block-level buffer for flash memory. The proposed scheme not only merges the data blocks and the corresponding log block, but also searches for the block-level buffer to find the corresponding buffer blocks. Consequently, unnecessary potential page copying operations and block erasure operations could be reduced, thereby improving the performance of flash memory and prolonging the lifetime of flash memory.
The objective of this research is to design a high-performance NAND flash memory system containing a buffer system. The proposed instruction buffer in the NAND flash memory consists of two parts, that is, a fully associative temporal buffer for temporal locality and a fully associative spatial buffer for spatial locality. A spatial buffer with a large fetching size turns out to be effective for serial instructions, and a temporal buffer with a small fetching size is devised for branch instructions. Simulation shows that the average memory access time of the proposed system is better than that of other buffer systems with four times more space. The average miss ratio is improved by about 70% compared with that of other buffer systems.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.16
no.2
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pp.1-8
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2011
NAND type Flash memory has performing much researches for a hard disk substitution due to its low power consumption, cheap prices and a large storage. Especially, the NAND type flash memory is using general buffer systems of a cache memory for improving overall system performance, but this has shown a tendency to emphasize in terms of data. So, our research is to design a high performance instruction NAND type flash memory structure by using a buffer system. The proposed buffer system in a NAND flash memory consists of two parts, i.e., a fully associative temporal buffer for branch instruction and a fully associative spatial buffer for spatial locality. The spatial buffer with a large fetching size turns out to be effective serial instructions, and the temporal buffer with a small fetching size can achieve effective branch instructions. According to the simulation results, we can reduce average miss ratios by around 77% and the average memory access time can achieve a similar performance compared with the 2-way, victim and fully associative buffer with two or four sizes.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.16
no.10
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pp.1-10
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2011
There are the large overhead of block erase and page write operations in NAND flash memory, though it has low power consumption, cheap prices and a large storage. Due to the physical characteristics of NAND flash memory, overwrite operations are not permitted at the same location, so rewriting operation require after erase operation. it cause performance decrease of NAND flash memory. Using SRAM buffer in traditional NAND flash memory, it can not only reduce effective write operation but also guarantee fast memory access time. In this paper, we proposed the small SRAM buffer management system for reducing overhead of NAND flash memory, that is, erase and write operations. The proposed buffer system in a NAND flash memory consists of two parts, i.e., a fully associative temporal buffer with the small fetching block size and a fully associative spatial buffer with the large fetching block size. The temporal buffer have small fetching blocks that referenced from spatial buffer. When it happen write operations or erase operations in NAND flash memory, the related fetching blocks in temporal buffer include a page or a block are written in NAND flash memory at the same time. The writing and erasing counts in NAND flash memory can be reduced. According to the simulation results, although we have high miss ratios, write and erase operations can be reduced approximatively 58% and 83% respectively. Also the average memory access times are improved about 84% compared with the fully associative buffer with two sizes.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.21
no.11
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pp.2850-2861
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1996
This paper describes the design of AATM switch LIS of shared buffer type with linked-list architecture to control memory access. The proposed switch LSI consists of the buffer memory, controller and FIFO memory blocks and two special circuits to avoid the cell blocking. One of the special circuit is a new address control scheme with linked-list architecture which maintains the address of buffer memory serially ordered from write address to read address. All of the address is linked as chain is operated like a FIFO. The other is slip-flag register it will be hold the address chain when readaddress missed the reading of data. The circuits control the buffer memory efficiently and reduce the cell loss rate. As a result the designed chip operates at 33ns and occupied on 2.7*2.8mm$^{2}$ using 0.8.mu.m CMOS technology.
This research is to design a high performance NAND-type flash memory package with a smart buffer cache that enhances the exploitation of spatial and temporal locality. The proposed buffer structure in a NAND flash memory package, called as a smart buffer cache, consists of three parts, i.e., a fully-associative victim buffer with a small block size, a fully-associative spatial buffer with a large block size, and a dynamic fetching unit. This new NAND-type flash memory package can achieve dramatically high performance and low power consumption comparing with any conventional NAND-type flash memory. Our results show that the NAND flash memory package with a smart buffer cache can reduce the miss ratio by around 70% and the average memory access time by around 67%, over the conventional NAND flash memory configuration. Also, the average miss ratio and average memory access time of the package module with smart buffer for a given buffer space (e.g., 3KB) can achieve better performance than package modules with a conventional direct-mapped buffer with eight times(e.g., 32KB) as much space and a fully-associative configuration with twice as much space(e.g., 8KB)
IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications
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v.10
no.3
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pp.151-156
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2015
Recently, an embedded flash memory has been widely used for the Internet of Things(IoT). Due to its nonvolatility, economical feasibility, stability, low power usage, and fast speed. With respect to power consumption, the embedded memory system must consider the most significant design factor. The objective of this research is to design high performance and low power NAND flash memory architecture including a dual buffer as a replacement for NOR flash. Simulation shows that the proposed NAND flash system can achieve better performance than a conventional NOR flash memory. Furthermore, the average memory access time of the proposed system is better that of other buffer systems with three times more space. The use of a small buffer results in a significant reduction in power consumption.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.5
no.4
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pp.262-269
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2005
Semiconductor scientists and engineers ideally desire the faster but the cheaper non-volatile memory devices. In practice, no single device satisfies this desire because a faster device is expensive and a cheaper is slow. Therefore, in this paper, we use heterogeneous non-volatile memories and construct an efficient hierarchy for them. First, a small RAM device (e.g., MRAM, FRAM, and PRAM) is used as a write buffer of flash memory devices. Since the buffer is faster and does not have an erase operation, write can be done quickly in the buffer, making the write latency short. Also, if a write is requested to a data stored in the buffer, the write is directly processed in the buffer, reducing one write operation to flash storages. Second, we use many types of flash memories (e.g., SLC and MLC flash memories) in order to reduce the overall storage cost. Specifically, write requests are classified into two types, hot and cold, where hot data is vulnerable to be modified in the near future. Only hot data is stored in the faster SLC flash, while the cold is kept in slower MLC flash or NOR flash. The evaluation results show that the proposed hierarchy is effective at improving the access time of flash memory storages in a cost-effective manner thanks to the locality in memory accesses.
Stream servers are for supplying multimedia stream data to users through the internet such as movies and music without discontinuation. A typical stream server is designed roughly by considering the characteristics of stream services and by employing processors, memory, PCI bus, Ethernet, TOE and disks. This study focuses on deciding the priority for using resources such as PCI bus, buffer memory and TOE buffer, which have limited capacities in a typical stream server. When the priorities for using limited resources are not given properly, the stream servers may not even function as originally designed. The simulation study shows that the top priority for using PCI bus for normal streaming services should be given to the operation that sends data from buffer memory to TOE buffer. Giving priority for using PCI bus to other operation such as sending data from disks to memory results in a deadlock phenomenon.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.7
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pp.784-792
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1992
In this paper we design and implement a method for application programs to allow handling of large data files in DOS environment. In this method we use extended memory and hard disk as a data buffer. And we use a part of the conventional DOS memory as a buffer cache which allows the application program to use extended memory and hard disks transparently. Using buffer cache also allows us some speed improvement for the application program.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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