Microporous polypropylene hollow fiber membrane was fabricated from isotactic polypropylene-soybean oil system by melt spinning process. Addition of nucleating agent accelerated the crystallization rate and elevated the crystallization temperature. Nucleating agent increased the number of nuclei and spherulites, which offered more inter-spherulitic amorphous sites for stretching. Benzoic acid, adipic acid, and dibenzylidene sorbitol were selected as nucleating agents, and their characteristics and effects were investigated by thermal and optical analyses. Spherulite growth and micropore formation characteristics were correlated with the kind of nucleating agent. Benzoic acid and adipic acid showed the remarkable nucleating effect, while dibenzylidene sorbitol was less effective than those. Nucleating agents also helped the sample have uniform microporous structure. Increase of nucleating agent composition enhanced the nucleation effect to some extent. Nucleating agents played very important roles in enhancing the membrane porosity and water flux.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.34
no.5
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pp.333-336
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2021
Oxide YBCO bulk superconductors are manufactured using the melt process. Because seed crystal growth method utilizes a slow-spreading layer-by-layer reaction, a long-term heat treatment is required to manufacture a single-crystal specimen of several cm. In this study, the melt process method was applied to compensate for the shortcomings of the seed crystal growth method. The thickness of the upper and lower pellets of the YBCO bulk was molded to 40 mm, and YBCO superconductor was produced by heat treatment. The measurement results of capture magnetism was in line with the literature. This results in a relationship that the higher the growth of Y211 particle in the YBCO, the higher the superconducting properties. We analyzed the YBCO superconductor, focusing on the Y2BaCuO5 particle distribution.
With an aim of comparison, single grain Y-Ba-Cu-O (YBCO) bulk superconductors were fabricated using a liquid infiltration growth (LIG) process and a conventional melt growth (MTG) process with top seeding. The MTG process uses an $YBa_2Cu_3O_{7-x}$(Y123) powder as a precursor, while the LIG process uses $Y_2BaCuO_5(Y211)/Ba_3Cu_5O_8(Y035)$ pre-forms. The growth of a single Y123 domain on the top seed was successful in the both processes. Different feature between the two processes is the interior microstructure regarding the critical current density ($J_c$). The LIG-processed YBCO sample showed a lower porosity, more uniform distribution of Y211 particles and the enhanced Y211 refinement compared to the conventional MTG process. The $J_c$ improvement in the LIG process is attributed to the dispersion of finer Y211 particles as well as lower porosity within the Y123 superconducting matrix.
Journal of the Korean Society for Industrial and Applied Mathematics
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v.4
no.1
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pp.121-131
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2000
Melt flow, heat and mass transfer of oxygen have been analyzed numerically in the process of Czochralski single crystal growth of silicon under the influence of misaligned cusp magnetic fields. Since the silicon melt in a crucible for crystal growth is of high temperature and of highly electrical-conducting, experimentation method has difficulty in analyzing the behavior of the melt flow. A set of simultaneous nonlinear equations including Navier-Stokes and Maxwell equations has been used for the modelling of the melt flow which can be regarded as a liquid metal. Together with the melt flow which forms the Marangoni convection, a flow circulation is observed near the comer close both to the crucible wall and the free surface. The melt flow tends to follow the magnetic lines instead of traversing the lines. These flow characteristics helps the flow circulation exist. Mass transfer characteristics influenced by the melt flow has been analyzed and the oxygen absorption rate to the crystal has been calculated and turned out to be rather uniform than in the case of an aligned magnetic field.
To develop a recycling process of magnesium alloy scrap, a fundamental study on the distillation of magnesium alloy melt was carried out. Melt temperature, vacuum degree and reaction time were considered as experimental variables. The amount of vaporized magnesium melt per unit surface area of melt increases with the increase of melt temperature, reaction time and vacuum degree. The vapor condensed at the tip of water cooling Cu-condenser as a form of pine cone. Magnesium and zinc were vaporized easily from the melt. However, It's difficult to separate magnesium and zinc by vacuum distillation because vapor pressure of zinc is similar to one of magnesium. The contents of aluminum, manganese and iron, etc. in residual melt increase due to the decrease of magnesium and zinc content after the distillation of magnesium alloy.
Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2002.04a
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pp.273-276
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2002
The fiber formation of conventional melt spinning is extruded by forcing the polymer melt through a spinneret by pumping mechanism usually involving high pressure. This is followed by cooling, solidification and appropriate drawing of the fiber. The spinning process is broadly applicable to polyolefin, polyamide, polyester and indeed the whole range of fibers forming thermoplastic polymers. (omitted)
Jeon, Hye Jun;Park, Ju Hong;Artemyev, Vladimir;Jung, Jae Hak
Current Photovoltaic Research
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v.8
no.1
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pp.17-26
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2020
It is clear that monocrystalline Silicon (Si) ingots are the key raw material for semiconductors devices. In the present industries markets, most of monocrystalline Silicon (Si) ingots are made by Czochralski Process due to their advantages with low production cost and the big crystal diameters in comparison with other manufacturing process such as Float-Zone technique. However, the disadvantage of Czochralski Process is the presence of impurities such as oxygen or carbon from the quartz and graphite crucible which later will resulted in defects and then lowering the efficiency of Si wafer. The heat transfer plays an important role in the formation of Si ingots. However, the heat transfer generates convection in Si molten state which induces the defects in Si crystal. In this study, a crystal growth simulation software was used to optimize the Si crystal growth process. The furnace and system design were modified. The results showed the melt-crystal interface shape can affect the Si crystal growth rate and defect points. In this study, the defect points and desired interface shape were controlled by specific crystal growth rate condition.
Kim, Kyu-Tne;Jang, Seok-Hern;Lim, Jun-Hyung;Joo, Jinho;Kim, Chan-Joong;Bong, Gye-Won;Kim, Rye-Lim;Hyun, Ok-Bae
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.42
no.6
s.277
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pp.437-442
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2005
We fabricated BSCCO-2212 (2212) bulk superconductor by melt casting process, and evaluated the dependence of the critical properties on the temperature and cooling .ate of mold and the pouring methods of melt. It was observed that the critical current (Ic) of 2212 was significantly dependent on the pre-heating temperature of the mold. At the pre-heating temperature of $500^{\circ}C$ followed by air cooling condition, Ic of 48 A at 77 K was obtained which was higher than others processed at different temperatures. In addition, the Ic improved to 132 A when tilt casting method was applied. The improved Ic is probably due to the fact that the tilt casting reduced a turbulent flow of the melt during casting causing less porosity and more homogeneous microsructure. Critical temperature was measured to be 87-89 K after the first heat treatment and it improved to 90-91 K when subsequently heat treated at $650^{\circ}C$ in a nitrogen atmosphere. This improvement was considered to be due to an optimization of the oxygen content in the range of 8.16-8.2.
Jeon, Hye Jun;Park, Ju Hong;Artemyev, Vladimir;Hwang, Seon Hee;Song, Su Jin;Kim, Na Yeong;Jung, Jae Hak
Korean Chemical Engineering Research
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v.58
no.3
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pp.369-380
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2020
Most mono-crystalline silicon ingots are manufactured by the Czochralski (Cz) process. But If there are oxygen impurities, These Si-ingot tends to show low-efficiency when it is processed to be solar cell substrate. For making single-crystal Si- ingot, We need Czochralski (Cz) process which melts molten Si and then crystallizing it with seed of single-crystal Si. For melts poly Si-chunk and forming of single-crystalline Si-ingot, the heat transfer plays a main role in the structure of Cz-process. In this study to obtain high-quality Si ingot, the Cz-process was modified with the process design. The crystal growth simulation was employed with pulling rate and rotation speed optimization. Studies for modified Cz-process and the corresponding results have been discussed. The results revealed that using crystal growth simulation, we optimized the oxygen concentration of single crystal silicon by the optimal design of the pulling rate, rotation speed and melt charge level of Cz-process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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