• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.934-940
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• 2001

Magnetic properties were investigated for Si/SiO$_2$/NiFe(300 )/A1$_2$O$_3$(t)/Co(200 ) junction related with the parameters of $Al_2$O$_3$. Insulating $Al_2$O$_3$ layer was formed by depositing a 5~40 thick Al layer, followed by a 90~120s RF plasma oxidation in an $O_2$ atmosphere. Magnetoresistance was not observed for tunnel junction with 5~10 thick Al layer, but magnetoresistance was observed large for tunnel junction with 15~40 thick Al layer. Oxidation time did not largely influence magnetoresistance. Tunnel magnetoresistance effect depended on magnetization behavior of two ferromagnetic layers. Tunneling junction was confirmed through nonlinear I-V curve. In this work, tunneling magnetoresistance(TMR) up to 30 % was observed. This apparent TMR is an artifact of the nonuniform current flow over the junction in the cross geometry of the electrodes.

• Journal of Magnetics
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• 제17권3호
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• pp.214-218
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• 2012

The water level and temperature properties for the cooling system of potassium titanyl phosphate laser systems were observed. The middle point of the GMR-SV magnetoresistance curve is set in the neighborhood of high magnetic sensitivity (2.8 %/Oe). The experimental results for resistance dependence on water height and temperature showed linear regions with rates of 0.4 ${\Omega}/mm$ and 0.1 ${\Omega}/^{\circ}C$, respectively. The proposed results were found to be for adjusting the water level and temperature in the laser cooling system.

• 한국자기학회지
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• 제4권4호
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• pp.340-346
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• 1994

(200) 우선방위를 보이는 Co/Cu 인공초격자에 주자장과 보조자장 두자장을 동시에 가하는 경우 각각의 자장의 세기에 따른 금속인공초격자의 저항변화에 대해 연구하였다. 자장의 방향이 서로 같은 방향인 경우 자기저항곡선의 수평적 이동이 발생하였으며 서로 직각인 경우는 자기저항최대점의 분리현상이 발견되었다. 두자장간의 각도가 $45^{\circ}$인 경우는 위의 두현상이 복합적으로 나타났다. 이러한 이중자장에 의한 자기저항곡선의 변화는 이 연구에서 제안된 자장에 따른 인공초격자의 거시 적인 스핀정렬 모델에 의해 설명될 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제32권1호
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• pp.61-66
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• 1999

The Spin-dependent tunneling magnetoresistance (TMR) effect was observed in $NiFe/Al_2O_3$/Co thin films. The samples were prepared by magnetron sputtering in a system with a base pressure of $3\times10^{-6}$Torr. the insulating $Al_2O_3$layer was prepared by r.f. plasma oxydation method of a metallic Al layer. The ferromagnetic and insulating layers were deposited through metallic masks to produce the cross pattern form. The junction has an active area of $0.3\times0.3\textrm{mm}^2$ and the $Al_2O_3$layer is deposited through a circular mask with a diameter of 1mm. It is very important that insulating layer is formed very thinly and uniformly in tunneling junction. The ferromagnetic layer was fabricated in optimum conditions and the surface of that was very flat, which was observed by AFM. Tunneling junction was confirmed through nonlinear I-V curve. $NiFe/Al_2O_3$/Co junction was observed for magnetization behavior and magnetoresistance property and magnetoresistance property is dependent on magnetization behavior and magnetoresistance property and magnetoresistance property is dependent on magnetization behavior of t재 ferromagnetic layer. The maximum magnetoresistance ratio was about 6.5%.

• 한국자기학회지
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• 제8권4호
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• pp.231-240
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• 1998

고밀도 자성박막헤드 및 센서용 3층 자기저항소자의 제작 및 재생신호특성에 대해 연구하였다. 컴퓨터계산모형에 의해 설계된 3층 자기저항소자의 자기저항곡선은 외부자장 -15~+22 Oe 이상에서 포화되었으며, 이 곡선은 약 4 Oe 정도 선형화영역으로 이동되었다. 실제 제작된 소자에서 자기저항곡선은 외부자장 $\pm$15 Oe 이상에서 포화되었으며, tyjs형화 영역으로 4 Oe 만큼 이동되었다. 실제소자와 계산모형에서의 MR 반응곡선은 서로 잘 일치함을 보였다. 또한 실제소자에서 재생출력신호의 실험결과는 외부자장 $\pm$4 Oe 범위 내에서 정현파를 유지하였다. 이 자장 범위 내에서 3층 자기저항소자로 제작된 헤드는 양호한 재생출력특성을 나타낼 것으로 판단된다. 이는 박막물성을 제어하는 진공증착기술과 소자제작의 효율적인 제조공정으로 사용하는데 유익할 것이다.

• Journal of Magnetics
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• 제7권3호
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• pp.98-100
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• 2002

Tunnel magnetoresistive devices using an individual multi-walled carbon nanotube were fabricated and their low-temperature electrical transport propertiers were investigated. With the ferromagnetic Co electrodes, the multi-walled carbon nanotube exhibited hysteretic magnetoresistance curve at low temperatures. Depending on the temperature and the bias current, the magnetoresistance ratio can be as high as 16% at the temperature of 2.2 K. Such high magnetoresistance ratio indicates a long diffusion length of the multi-walled carbon nanotube.

• 한국자기학회지
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• 제3권1호
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• pp.29-33
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• 1993

$1{\times}10^{-6}$Torr의 진공에서 열저항 가열식 진공증착 방법으로 제작한 $Permalloy/Al_{2}O_{3}/Co$ 강자성 터널집합의 자기저항 효과를 조사하였다. 이 논문에서는 제작한 강자성 터널접합 시료의 전류-전압 특성과 자기 valve 효과를 측정하고, 시료진동형자기계로 측 정한 자기이력곡선을 통하여 터널저항의 히스테리시스성 자장 의존성을 조사하였다. 터널링은 전류-전압 특성을 측정함으로써 확인 되어진다. 자기저항의 히스테리시스 곡선은 자화의 히스테 리시스 곡선과 잘 대응한다. 측정한 자기저항비 ${\Delta}R/R$은 실온에서 약 0.6% 였다.

• Journal of Magnetics
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• 제14권1호
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• pp.11-14
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• 2009

We investigated the I-V curves and differential tunneling conductance of two, CoFeB/MgO/CoFeB-based, magnetic tunnel junctions (MTJs): one with a low tunneling magnetoresistance (TMR; 22%) and the other with a high TMR (352%). This huge TMR difference was achieved by different MgO sputter conditions rather than by different annealing or deposition temperature. In addition to the TMR difference, the junction resistances were much higher in the low-TMR MTJ than in the high-TMR MTJ. The low-TMR MTJ showed a clear parabolic behavior in the dI/dV-V curve. This high resistance and parabolic behavior were well explained by the Simmons' simple barrier model. However, the tunneling properties of the high-TMR MTJ could not be explained by this model. The characteristic tunneling properties of the high-TMR MTJ were a relatively low junction resistance, a linear relation in the I-V curve, and conduction dips in the differential tunneling conductance. We explained these features by applying the coherent tunneling model.

• 한국자기학회지
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• 제5권3호
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• pp.210-215
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• 1995

Glass\Cr/sub 40 .angs. /\[Cr/sub 10 .angs. /\NiFe/sub 50 .angs. /]/sub N/ 다층박막을 층수 N = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 10에 따라 dc magnetron sputtering 방법에 의해 제작하였다. 이때 자기 이방성의 형성을 위해 제작 중에 자장을 200 Gauss 가했다. 전류 방향과 외부 자장이 수평, 수직에 따라 자기저항 곡선 MR(xx), MR(xy)를 조사하였다. MR(xx) 곡선의 경우 N = 1, 5, 10 경우 자기저항비가 거의 나타나지 않았으며, 나머지 층수의 경우는 외부 자장에 따라 저항이 증가하는 positive magnetoresistance 현상을 보였다. 또한 곡선의 모양도 H = 0 Oe 근처에서 특이하게 반전되는 자기정항 곡선을 보였다. 이런 현상의 물리적 해석을 NiFe 단층박막의 자기저항 곡선과 비교하여 설명 하였다.

• 한국자기학회지
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• 제23권3호
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• pp.98-103
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• 2013

NiFe/Cu/NiFe/IrMn/NiFe/Cu/NiFe 이중 거대자기저항-스핀밸브(GMR-SV) 박막의 진공 후열처리 온도의존성을 조사하여 강자성층 자화용이축을 유도하였다. 자유층과 고정층의 자화용이축에 의존하는 이중 스핀밸브 박막의 자기저항곡선은 외부자기장 각도를 다르게 하면서 측정하였다. 열처리온도가 $105^{\circ}C$일 때, $0^{\circ}$와 $90^{\circ}$ 사이 임의 측정 각도에서 약 2.0 %/Oe인 자장감응도 특성을 얻었다. 이러한 결과는 면상 강자성층과 자유층을 면상에서 서로 직교한 자화방향 유도를 통하여 이중구조 GMR-SV 박막이 고감도 바이오센서로 사용할 가능성을 제시하였다.