Design and Analysis of 16 V N-TYPE MOSFET Transistor for the Output Resistance Improvement at Low Gate Bias (16 V 급 NMOSFET 소자의 낮은 게이트 전압 영역에서 출력저항 개선에 대한 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.21 no.2
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- pp.104-110
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- 2008