순방향 전압에서 안정적인 전류 흐름을 가지고 낮은 turn-on 전압으로 구동하는 이리듐 합성물 기반의 인광 고분자 발광 다이오드를 제작하였다. Poly(N-vinylcabazole)와 tris(2-phenylpyridine)iridium 재료를 포함하는 유기 발광층은 $10{\mu}m$/s 와 $20{\mu}m$m/s의 저속도 dip-coating으로 만들었다. 제안한 방법으로 형성된 유기 발광 다이오드는 100 cd/$m^2$의 기준 휘도에서 각각 5.8 V와 6.7 V로 구동이 되었지만, 발광층을 스핀코팅으로 제작된 소자는 다소 높은 전압인 9.1 V를 기록하였다. 본 연구는 대면적, 용액 공정 기반의 고효율 특성을 요구하는 유기 발광 소자에서 발광층의 새로운 박막 형성기술로 이용될 수 있다.
The small-scale magnetospheric and ionospheric plasma experiment (SNIPE) is a mission initiated by the Korea Astronomy and Space Science Institute (KASI) in 2017 and comprises four 6U-sized nano-satellites (Korea Astronomy and Space Science Institute Satellite-1, KASISat-1) flying in formations. The main goal of the SNIPE mission is to investigate the space environment in low Earth orbit at 500-km. Because Iridium & GPS Board (IGB) is installed on the KASISat-1, a communication simulation is required to analyze the contact number and the duration. In this study, communication simulations between the Iridium satellite network and KASISat-1 are performed using STK Pro (System Tool Kit Pro Ver 11.2) from the AGI (Analytical Graphics, Inc.). The contact number and durations were analyzed by each orbit and date. The analysis shows that the average access number per day is 38.714 times, with an average of 2.533 times per orbit for a week. Furthermore, on average, the Iridium satellite communication is linked for 70.597 min daily. Moreover, 4.625 min is the average duration of an individual orbit.
국내 초소형위성의 경우 개발 사례가 지속적으로 늘어나는 것에 비해 초기의 통신 성공률이 상대적으로 낮다. 이러한 상황에서 최근 상용 위성통신망을 활용한 저궤도 위성의 통신사례가 늘고 있으며, 이에 한국천문연구원, 한국항공우주연구원 및 연세대학교에서 개발하고 있는 SNIPE 프로젝트에서는 이리디움(Iridium) 모듈을 이용한 초소형위성의 통신링크를 시험하고자 한다. 이에 본 논문에서는 이리디움 위성군에 대한 궤도 및 통신환경과 SNIPE 위성의 이리디움 모듈 및 자세지향 모드를 고려한 이리디움 모듈의 가시성을 분석하였다. 저궤도 위성의 경우 높은 고도에 따른 상대적으로 적은 이리디움 통신 커버리지 및 이리디움 통신망에서 고려하고 있는 도플러 변화량에 비해 높은 변화량에 따른 통신 가능성이 제한되었다. 이러한 이유로 인해 이리디움 위성군과의 상대적인 승교점 적경각의 차이에 따라 좀 더 많은 성능 차이를 보이는 것을 확인해 볼 수 있었다. 마지막으로 초소형위성의 초기 사출시 발생되는 회전운동 상태에 대한 통신 모듈의 가시성 분석을 통해 해당 기술에 대한 활용 가능성을 분석해 보았다.
Kirsyuk, V. V.;Turgambaeva, A. E.;Shim, Jung-Jin;Rhee, Shi-Woo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.174-177
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2003
We report four new phosphorescent iridium(III} complexes with 2,4-diphenyl-1,3-oxazole [$Ir(24dpo)_3$], 2,5-diphenyl-1,3-oxazole [$Ir(25dpo)_3$], 2-(3-thienyl) pyridine [$Ir(3thpyh)_3$] and [Ir(3thpy)2(acac)]. Three of them demonstrate good photophysical properties to be used as dopants to organic polymer matrix or to be used "as is" without a host matrix to fabricate OLEDs. Green and yellow light emission was observed for the photoluminescence: 569/525, 549/498 nm and 557,604/533 (solid state/$CH_2Cl_2$ solution) for $Ir(24dpo)_3$, $Ir(3thpyh)_3$ and $Ir(3thpyh)_2$acac respectively. Room temperature luminescent lifetimes are 2.5 and 1.8 ${\mu}s$ and quantum efficiencies 37 and 53%for $Ir(24dpo)_3$ and $Ir(3thpyh)_3$. The complexes are stable in air and sublimable at low pressure without considerable decomposition. Comparison of physicochemical properties of the reported iridium(III) cyclometalated compounds with that known from literature is carried out.
Very low contents (in the range of 10-9 g/g) of Ir in mantle-derived rock samples (komatiites) were non-destructively determined by INAA coupled with coincidence gamma-ray spectrometry using 16 Ge detectors. Aliquots of the same samples were analyzed by NiS fire-assay ICP-MS for Ir and other platinum group elements. Because the INAA procedure used in this study is non-destructive and is almost free from spectral interference in gamma-ray spectrometry, the INAA values of Ir contents obtained in this study can be highly reliable. Iridium values obtained by ICP-MS were consistent with the INAA values, implying that the ICP-MS values of Ir obtained in this study are equally reliable. Under the present experimental conditions, detection limits were estimated to be 1 pg/g, which corresponds to 0.1 pg for a sample mass of 0.1 g. These levels can be even lowered by an order of magnitude, if necessary, which cannot be achieved by ICP-MS carried out in this study.
We fabricated thermal evaporated 10 nm-Ni/(poly)Si and 10 nm-Ni/1 nm-Ir/(poly)Si films to investigate the thermal stability of nickel monosilicide at the elevated temperatures by rapid annealing them at the temperatures of $300{\sim}1200^{\circ}C$ for 40 seconds. Silicides for salicide process was formed on top of both the single crystal silicon actives and the polycrystalline silicon gates. A four-point tester is used for sheet resistance. Scanning electron microscope and field ion beam were employed for thickness and microstructure evolution characterization. An x-ray diffractometer and an auger depth profile scope were used for phase and composition analysis, respectively. Nickel silicides with iridium on single crystal silicon actives and polycrystalline silicon gates showed low resistance up to $1200^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$, respectively, while the conventional nickel monosilicide showed low resistance below $700^{\circ}C$. The grain boundary diffusion and agglomeration of silicides led to lower the NiSi stable temperature with polycrystalline silicon substrates. Our result implies that our newly proposed Ir added NiSi process may widen the thermal process window for nano CMOS process.
산성 조건에서의 산소 발생 반응(OER)의 효율 향상 및 안정적인 전기 촉매 개발은 양이온 교환 막 (PEM) 수전해 장치의 상용화를 위한 바람직한 목표다. 여기서 우리는 산성 OER에 대해 Ir 함량이 낮은 유망한 촉매로서 Ir이 도핑된 수소화 티타네이트 (Ir-HTO) 나노벨트를 보고한다. 크게 확인할 수 있는 {100}면이 있는 단결정 HTO 나노벨트에 낮은 함량의 Ir(~3.36 at %)을 추가하면 산성 조건에서 OER에 대한 촉매 활성과 안정성이 크게 향상된다. Ir-HTO는 상용적인 대조군 IrO2 촉매보다 성능이 뛰어나다. 10mA cm-2의 전류밀도에서 과전압은 Ir-HTO가 25% 감소했다. Ir-HTO 촉매 성능은 산성 OER에 대한 가장 효율적인 전기 촉매로서 자리 잡고 있다. 심층적인 전기화학적 특성화를 통해 Ir-HTO에 대해 개선된 고유한 촉매 활성 및 안정성도 확인되었다. 따라서, 우리의 실험결과는 낮은 함량의 Ir이 도핑된 단결정 HTO 나노벨트가 산성조건에서 효율적이고 내구성 있는 OER 촉매로 유망 될 수 있음을 보여준다.
We fabricated thermally-evaporated 10 -Ni/(poly)Si and 10 -Ni/1 -Ir/(poly)Si structures to investigate the microstructure of nickel monosilicide at the elevated temperatures required for annealing. Silicides underwent rapid at the temperatures of 300-1200 for 40 seconds. Silicides suitable for the salicide process formed on top of both the single crystal silicon actives and the polycrystalline silicon gates. A four-point tester was used to investigate the sheet resistances. A transmission electron microscope(TEM) and an Auger depth profile scope were employed for the determination of vertical section structure and thickness. Nickel silicides with iridium on single crystal silicon actives and polycrystalline silicon gates shoed low resistance up to 1000 and 800, respectively, while the conventional nickle monosilicide showed low resistance below 700. Through TEM analysis, we confirmed that a uniform, 20 -thick silicide layer formed on the single-crystal silicon substrate for the Ir-inserted case while a non-uniform, agglomerated layer was observed for the conventional nickel silicide. On the polycrystalline silicon substrate, we confirmed that the conventional nickel silicide showed a unique silicon-silicide mixing at the high silicidation temperature of 1000. Auger depth profile analysis also supports the presence of thismixed microstructure. Our result implies that our newly proposed iridium-added NiSi process may widen the thermal process window for the salicide process and be suitable for nano-thick silicides.
Highly efficient red phosphorescent OLEDs (PHOLEDs) with a simple, organic, triple-layer structure was developed using the narrow-bandgap fluorescent host material bis(10-hydroxybenzo[h] quinolinato)beryllium complex (Bebq2) and the deep-red dopant tris(1-phenylisoquinoline)iridium (Ir(piq)3). The maximum current and power efficiency values of 12.71 cd/A and 16.02 lm/W, respectively, with an extremely low doping technology of 1%, are demonstrated herein. The results reveal a practical, cost-saving host dopant system for the fabrication of highly efficient PHOLEDs involving the simple structure presented herein, with a reduction of expensive Ir dopants.
Brachytherapy is a method of radiotherapy in advantage to achieve better local control with minimum radiation toxicity in comparison with external irradiation because radiation dose is distributed according to the inverse square low of gamma-ray emitted from the implanted sources. The main characteristics of brachytherapy are delivering of higher dose to target volume shortening of total treatment period and sparing of normal tissue. Recent development of iridium ribbons for low dose rate implant provides improvement of technology of brachytherapy in terms of safety and efficiency. High dose rate method. on the other hand, is effective to avoid unnecessary expoure of medical personnel.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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