Silver-based systems activated by low intensity direct current continue to be investigated as an alternative antimicrobial for infection prophylaxis and treatment. However there has been limited research on the quantitative characterization of the antimicrobial efficacy of such systems. The objective of this study was to develop a semi-mechanistic pharmacokinetic/pharmacodynamic (PK/PD) model providing the quantitative relationship between the critical system parameters and the degree of antimicrobial efficacy. First, time-kill curves were experimentally established for a strain of Staphylococcus aureus in a nutrientrich fluid environment over 48 hours. Based on these curves, a modified PK/PD model was developed with two components: a growing silver-susceptible bacterial population and a depreciating bactericidal process. The test of goodness-of-fit showed that the model was robust and had good predictability ($R^2>0.7$). The model demonstrated that the current intensity was positively correlated to the initial killing rate and the bactericidal fatigue rate of the system while the anode surface area was negatively correlated to the fatigue rate. The model also allowed the determination of the effective range of these two parameters within which the system has significant antimicrobial efficacy. In conclusion, the modified PK/PD model successfully described bacterial growth and killing kinetics when the bacteria were exposed to the electrically activated silver-titanium implant system. This modeling approach as well as the model itself can also potentially contribute to the development of optimal design strategies for other similar antimicrobial systems.
Transcranial direct current stimulation (tDCS) is a neuromodulatory technique that delivers low-intensity direct current to cortical areas, thereby facilitating or inhibiting spontaneous neuronal activity. This study was designed to investigate changes in various sensory functions after tDCS. We conducted a single-center, single-blinded, randomized trial to determine the effect of a single session of tDCS with the current perception threshold (CPT) in 50 healthy volunteers. Nerve conduction studies were performed in relation to the median sensory and motor nerves on the dominant hand to discriminate peripheral nerve lesions. The subjects received anodal tDCS with 1 mA for 15 minutes under two different conditions, with 25 subjects in each groups: the conditions were as follows tDCS on the primary motor cortex (M1) and sham tDCS on M1. We recorded the parameters of the CPT a with Neurometer$^{(R)}$ at frequencies of 2000, 250, and 5 Hz in the dominant index finger to assess the tactile sense, fast pain and slow pain, respectively. In the test to measure CPT values of the M1 in the tDCS group, the values of the distal part of the distal interphalangeal joint of the second finger statistically increased in all of 2000 Hz (p=.000), 250 Hz (p=.002), and 5 Hz (p=.008). However, the values of the sham tDCS group decreased in all of 2000 Hz (p=.285), 250 Hz (p=.552), and 5 Hz (p=.062), and were not statistically significant. These results show that M1 anodal tDCS can modulate sensory perception and pain thresholds in healthy adult volunteers. The study suggests that tDCS may be a useful strategy for treating central neurogenic pain in rehabilitation medicine.
Objective: This study was conducted to investigate the intensity of the extremely low frequency magnetic fields(ELF-MF) generated inside of the cabins during subway operation. Methods: The ELF-MF intensity were investigated on 30 subway lines in Korea, including in the Greater Seoul Metropolitan Area(Seoul and Gyeonggi-do Province), Incheon, Busan, Daegu, Daejeon, and Gwangju. ELF-MF intensity was measured at 0.9 m from the floor using EMDEX II meters with a resolution of $0.01{\mu}T$. All data were collected every three seconds and analyzed with EMCALC 2013 version 3.0B software. Basic characteristics of subway operation, including alternative current(AC) or direct current(DC), voltage level, and opening year of the line were investigated. Real-time information during measurement, such as the time of departure, moving and arrival of trains, were also recorded. Results: The arithmetic mean(AM) and maximum(Max) intensity of ELF-MF were $0.62{\mu}T$ and $11.51{\mu}T$, respectively. Compared by region, the ELF-MF intensity measured inside cabin were the highest in the Seoul Metropolitan Area($AM=0.80{\mu}T$), followed by Busan($AM=0.30{\mu}T$), Daegu($AM=0.29{\mu}T$), Incheon($AM=0.14{\mu}T$), Gwangju($AM=0.04{\mu}T$) and Daejeon($AM=0.03{\mu}T$). The average ELF-MF level measured in AC trains($AM=1.36{\mu}T$) was also significantly higher than in DC trains($AM=0.28{\mu}T$). In terms of the opening year of the subway, trains opened before 1990($AM=0.85{\mu}T$) was the highest and the lowest was 2000-2009($AM=0.24{\mu}T$). Conclusions: The AC supply has the greatest influence on the generation of the ELF-MF intensity in subway cabins.
경두개직류전류자극(tDCS)은 낮은 직류 전류 강도를 사용하여 대뇌피질의 자발적인 신경학적 활동의 흥분성을 증가 또는 감소시키는 신경조절 기법이다. 본 연구의 목적은 tDCS를 적용한 후 다양한 감각 기능의 변화를 측정하는데 있다. tDCS의 효과를 측정하기 위해 CPT 검사를 50명의 건강한 대상자에게 단일 기간(8월4일에서 8월29일), 단일 공간, 단일 맹검법으로 무작위 배정하였다. 신경전도검사는 우세 손의 말초신경 병변을 구별하기 위해 정중 감각과 운동신경을 측정하였다. 대상자들은 각 25명 씩 대뇌피질의 DLPFC의 tDCS 자극군과 대뇌피질의 DLPFC의 tDCS 위자극군으로 2개의 다른 조건 아래서 1 mA의 전류강도로 15분씩 양극 tDCS로 적용하였다. 촉각, 빠른 통증과 느린 통증을 각각 평가하기 위해 우세한 제 2수지에 2000, 250, 그리고 5 Hz의 주파수로 CPT 검사인 Neurometer$^{(R)}$를 이용하여 수치들을 기록하였다. DLPFC의 양극 tDCS 자극군의 CPT 수치들에서는 250과 5 Hz에서 통계적으로 유의한 증가를 보였다. 양극 tDCS 위자극군의 모든 CPT 수치들은 감소하였다. 이러한 결과는 DLPFC의 양극 tDCS가 건강한 대상자들의 감각 지각과 통증 역치들을 조절할 수 있다는 것을 보여준다. 따라서 본 연구는 재활과 통증 치료 분야에서 유용한 치료 방법 중 하나로 제시할 수 있을 것으로 생각한다.
We have successfully used hydrophobic direct-wafer bonding, along with H-induced layer splitting of Ge, to transfer 700nm think, single-crystal Ge films to Si substrates. Optical and electrical properties have been also observed on these samples. Triple-junction solar cell structures gown on these Ge/Si heterostructure templates show comparable photoluminescence intensity and minority carrier lifetime to a control structure grown on bulk Ge. When heavily doped p$^{+}$Ge/p$^{+}$Si wafer bonded heterostructures were bonded, ohmic interfacial properties with less than 0.3Ω$\textrm{cm}^2$ specific resistance were observed indicating low loss thermal emission and tunneling processes over and through the potential barrier. Current-voltage (I-V) characteristics in p$^{+}$Ge/pSi structures show rectifying properties for room temperature bonded structures. After annealing at 40$0^{\circ}C$, the potential barrier was reduced and the barrier height no longer blocks current flow under bias. From these observations, interfacial atomic bonding structures of hydrophobically wafer bonded Ge/Si heterostructures are suggested.ested.
Kim, Byung-Woo;Chung, Hae-Geun;Min, Byoung-Koun;Kim, Hong-Gon;Kim, Woong
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제31권12호
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pp.3697-3702
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2010
We demonstrate that vertically aligned carbon nanotubes can be synthesized directly on tantalum substrate via water-assisted chemical vapor deposition and evaluate their properties as electrochemical capacitors. The mean diameter of the carbon nanotubes was $7.1{\pm}1.5\;nm$, and 70% of them had double walls. The intensity ratio of G-band to D-band in Raman spectra was as high as 5, indicating good quality of the carbon nanotubes. Owing to the alignment and low equivalent series resistance, the carbon nanotube based supercapacitors showed good rate performance. Rectangular shape of cyclic voltammogram was maintained even at the scan rate of > 1 V/s in 1 M sulfuric acid aqueous solution. Specific capacitance was well-retained (~94%) even when the discharging current density dramatically increased up to 145 A/g. Consequently, specific power as high as 60 kW/kg was obtained from as-grown carbon nanotubes in aqueous solution. Maximum specific energy of ~20 Wh/kg was obtained when carbon nanotubes were electrochemically oxidized and operated in organic solution. Demonstration of direct synthesis of carbon nanotubes on tantalum current collectors and their applications as supercapacitors could be an invaluable basis for fabrication of high performance carbon nanotube supercapacitors.
The numerical analysis of sound radiation by vibrating structure is a well known and mature technology used in many industries. Accurate methods based on the boundary or finite element method have been successfully developed over the last two decades and are now available in standard CAE tools. These methods are however known to require significant computational resources which, furthermore, very quickly increase with the frequency of interest. The low speed of most current methods is a main obstacle for a systematic use of acoustic CAE in industrial design processes. In this paper we are going to present a set of innovative techniques that significantly speed-up the calculation of acoustic radiation indicators (acoustic pressure, velocity, intensity and power; contribution vectors). The modeling is based on the well known combination of finite elements and infinite elements but also combines the following ingredients to obtain a very high performance: o a multi-frontal massively parallel sparse direct solver; o a multi-frequency solver based on the Krylov method; o the use of pellicular acoustic modes as a vector basis for representing acoustic excitations; o the numerical evaluation of Green functions related to the specific geometry of the problem under investigation. All these ingredients are embedded in the ACTRAN/AR CAE tool which provides unprecedented performance for acoustic radiation analysis. The method will be demonstrated on several applications taken from various industries.
Transverse magnetic field annealing (TFA) was carried out on $Fe_{73.5}Cu_1Nb_3Si_{15.5}B_7$ nano-crystalline magnetic core with the aim at decreasing coercivity ($H_c$) while keeping high inductance ($L_s$). The magnetic field generated by direct current (DC) was applied on the magnetic core during different selected annealing stages and it was proved that the nanocrystalline magnetic core achieved lowest $H_c$ when applying transverse field during the whole annealing process (TFA1). Although the microstructure and crystallization degree of the nanocrystalline magnetic core exhibited no obvious difference after TFA1 compared to no field annealing, the TFA1 sample showed a more uniform nanostructure with a smaller mean square deviation of grain size distribution. $H_c$ of the nanocrystalline magnetic core annealed under TFA1 decreased along with the increasing magnetic field. As a result, the certain size nanocrystalline magnetic core with low $H_c$ of 0.6 A/m, low core loss (W at 20 kHz) of 1.6 W/kg under flux density of 0.2 T and high $L_s$ of $13.8{\mu}H$ were obtained after TFA1 with the DC intensity of 140 A. The combination of high $L_s$ with excellent magnetic properties promised this nanocrystalline alloy an outstanding economical application in high frequency transformers.
낮은 강도의 전류는 골세포의 활성화 대사를 증가시키는 것으로 알려져 왔다. 이 연구는 초소형 전기 장치에 의한 전기 자극이 교정적 치아 이동에 미치는 영향을 규명하기 위하여, 체중 3kg내외의 고양이 6마리를 대상으로 가철성 교정장치와 NiTi coil spring(75gm)을 사용하여 상악 견치를 이동시켰다. 실험군측 견치에는 교정력과 간헐적인 $20{\mu}A$의 전기 자극을 가하였고, 대조군측에는 같은 크기의 교정력만을 가한 후 4주 동안의 치아 이동량을 측정하여 비교하였으며, 치아를 중심으로 조직을 절취하여 탈회하고 조직 처리 후 광학 현미경으로 치주조직의 변화를 비교하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 28일간의 실험 기간 동안 실험측의 치아 이동량은 대조군에 비하여 현저히 증가하여, 4주후에 실험측의 치아는 대조군에 비하여 37% 증가된 이동량을 기록하였다. 2. 전기 자극을 받은 치아의 치근 견인측에서 대조군에 비하여 조직학적으로 증가된 골형성 양상이 관찰되었다. 3. 28일간의 전기 자극과 교정력으로 실험측 치아의 압박측에서 대조군에 비하여 증가된 골 흡수 양상이 관찰되었다. 4. 실험군 견치 치근 주위 조직에서는 전반적으로 더 많은 수의 조골 및 파골 세포들과 모세 혈관, 골양 조직들이 관찰됨으로써 증가된 조직 세포 활성을 반영하였다. 5. 1일 5시간 동안의 간헐적 전류 자극은 치아 이동량을 증가시키고 조직 개조를 활성화시키는 효과가 있었다. 이상의 결과는 외부에서 가한 낮은 강도의 간헐적 전기 자극으로 교정적 치아 이동량이 많아지고 치주 조직의 개조 활성이 증가됨을 보이므로 초소형 전기 장치에 의한 자극은 치아 이동과 주위 조직 개조를 촉진시킬 가능성이 있을 것으로 평가되었다.
ZnO semiconductor material has been widely utilized in various applications in semiconductor device technology owing to its unique electrical and optical features. It is a promising as solar cell material, because of its low cost, n-type conductivity and wide direct band gap. In this work ZnO/Si heterojunctions were fabricated by using pulsed laser deposition. Vacuum chamber was evacuated to a base pressure of approximately $2{\times}10^{-6}Torr$. ZnO thin films were grown on p-Si (100) substrate at oxygen partial pressure from 5mTorr to 40mTorr. Growth temperature of ZnO thin films was set to 773K. A pulsed (10 Hz) Nd:YAG laser operating at a wavelength of 266 nm was used to produce a plasma plume from an ablated a ZnO target, whose density of laser energy was $10J/cm^2$. Thickness of all the thin films of ZnO was about 300nm. The optical property was characterized by photoluminescence and crystallinity of ZnO was analyzed by X-ray diffraction. For fabrication ZnO/Si heterojunction diodes, indium metal and Al grid patterns were deposited on back and front side of the solar cells by using thermal evaporator, respectively. Finally, current-voltage characteristics of the ZnO/Si structure were studied by using Keithly 2600. Under Air Mass 1.5 Global solar simulator with an irradiation intensity of $100mW/cm^2$, the electrical properties of ZnO/Si heterojunction photovoltaic devices were analyzed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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