Park, Dae-Won;Kil, Gyung-Suk;Cheon, Sang-Gyu;Kim, Sun-Jae;Cha, Hyeon-Kyu
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제7권3호
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pp.389-395
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2012
In this paper, we analyzed the frequency spectrum of the electromagnetic waves radiated by an electric discharge as a basic study to develop an on-line diagnostic technique for power equipment installed inside closed-switchboards. In order to simulate local and series arc discharges caused by an electric field concentration and poor connections, three types of electrode systems were fabricated, consisting of needle and plane electrodes and an arc generator meeting the specifications of UL 1699. The experiment was carried out in an electromagnetic anechoic chamber, and the measurement system consisted of a PD free transformer, a loop antenna with a frequency bandwidth of 150 kHz-30 MHz, an ultra log periodic antenna with a frequency bandwidth of 30 MHz-2 GHz, and an EMI test receiver with a frequency bandwidth of 3 Hz-3 GHz. According to the experimental results, the frequency spectra of the electrical discharges were widely distributed across a range of 150 kHz-400 MHz, depending on the defects, while commonly found between 150 kHz and 10 MHz. Therefore, considering the ambient noise and antenna characteristics, the best frequency bandwidth for a measurement system to monitor abnormal conditions by detecting electromagnetic waves in closedswitchboards is 150 kHz-10 MHz.
A compact current model applicable to both single-gate (SG) and double-gate (DG) tunneling field-effect transistors (TFETs) is presented. The model is based on Kane's band-to-band tunneling (BTBT) model. In this model, the well-known and previously-reported quasi-2-D solution of Poisson's equation is used for the surface potential and length of the tunneling path in the tunneling region. An analytical tunneling current expression is derived from expressions of derivatives of local electric field and surface potential with respect to tunneling direction. The previously reported correction factor with three fitting parameters, compensating for superlinear onset and saturation current with drain voltage, is used. Simulation results of the proposed TFET model are compared with those from a technology computer-aided-design (TCAD) simulator, and good agreement in all operational bias is demonstrated. The proposed SG/DG-TFET model is developed with Verilog-A for circuit simulation. A TFET inverter is simulated with the Verilog-A SG/DG-TFET model in the circuit simulator; the model exhibits typical inverter characteristics, thereby confirming its effectiveness.
현재 helix와 monopole로 구성되는 안테나를 갖는 수납형 전화기(retractble phone)가 셀룰라 이동통신에서 가장 널리 사용되고 있다. 그러나 안테나의 monopole의 길이가 약 $\lambda$/4이므로, 강한 복사 전기장이 전화기를 사용하는 인체 두부의 외이 주변에 주로 분포한다. 이러한 전기장 분포는 두부 내에 매우 높은 국부 SAR(specific abs$\alpha$ption rate)을 야기한다. 본 논문은 이동통신단말기의 안테나 배치가 반대인 전화기 형상에 대한 두부 내 전자파 흡수율을 기존의 단말기 형상의 것과 비교, 고찰한다. 이것은 단말기 옴체의 상부가 아닌 바닥 에 안테나를 배치하는 것이다. 인체와 단말기 모델을 포함하는 계산 공간의 시간-평균 전자기장 분포를 얻기 위해 시간영역 유한차분( FDTD) 기법을 사용하였다. 그리고 SAR 분포와 국부 SAR 값이 시간-명균 전기장 분포로부터 계산되었다. 실제 상황을 고려하기 위해 해부학적 인체 두부 모델과 근사된 사용자 손이 고려되었 다. 분석된 데이터는 안테나의 이 같은 배치가 인체 두부 내에 국부 SAR을 상당히 감소시킴을 보인다.
Switching an elementary excitation by injecting a single carrier would offer the exciting opportunity for the ultra-high data storage technologies. However, there has been no methodology available to investigate the interaction of low energy discrete carriers with nano-structures. In order to map out the spatial dependency of such single carrier level interactions, we developed a pulse-and-probe algorithm, combining with low temperature scanning tunneling microscopy. The new tool, which we call single carrier spectroscopy, allows us to track the interaction with the target macrostructure with tunneling carriers on a single carrier basis. Using this tool, we demonstrate that it is possible not only to locally write and erase individual bi-solitons, reliably and reversibly, but also to track of creation yields of single and multiple bi-solitons. Bi-solitons are pairs of solitons that are elementary out-of-phase excitations on anti-ferromagnetically ordered pseudo-spin system of Si dimers on Si(001)-c(42) surfaces. We found that at low energy tunneling the single bisoliton creation mechanism is not correlated with the number of carriers tunneling, but with the production of a potential hole under the tip. An electric field at the surface determines the density of the local charge density under the tip, and band-bending. However a rapid, dynamic change of a field produces a potential hole that can be filled by energetic carriers, and the amount of energy released during filling process is responsible for the creation of bi-solitons. Our model based on the field-induced local hole gives excellent explanation for bi-soliton yield behaviors. Scanning tunneling spectroscopy data supports the existence of such a potential hole. The mechanism also explains the site-dependency of bi-soliton yields, which is highest at the trough, not on the dimer rows. Our study demonstrates that we can manipulate not just single atoms and molecules, but also single pseudo-spin excitations as well.
현재 한국전력에서는 신배전정보시스템(NDIS : New Distribution Information System)이라는 배전분야의 전력설비 설계 및 유지 보수를 위한 통합시스템을 운영하고 있다. 이는 독점적으로 전력설비의 신규수용 및 유지보수를 하는 우리나라의 구조상 관련 업무를 하는 기술계직원들에게 있어 해당 시스템에 대한 숙련된 지식이 무엇보다 중요하다. 하지만, 이를 위한 교육에 있어서는 현재 한국전력 산하 교육기관인 'KEPCO Academy'의 교육과정 신청을 통한 오프라인 방식으로 교육이 진행 되다보니 관련 기술계 직원들을 위한 접근성 및 효율성이 많이 부족한 것이 현실이다. 따라서 해당 시스템 활용을 위한 보다 개선된 방식의 손쉬운 접근성을 보장해주는 효율적인 설계 시뮬레이션 교육시스템의 필요성을 인식하게 되었다. 이를 위해서 본 논문에서는 NDIS 시스템의 보다 빠른 적응과 응용력을 높이기 위하여 로컬기반의 NDIS 설계시스템을 Web을 통해 구현하고 해당 시스템을 통해 설계연습 및 결과에 대한 피드백을 받을 수 있도록 해주는 교육용 시뮬레이션 시스템개발에 관한 연구를 하게 되었다.
This work performed numerical analysis of electromagnetic field and thermal phenomena occurring in femtosecond laser irradiation of silver nanowires. The local electric field enhancement was computed to calculate the optical energy dissipation as a Joule heating source and the thermal transport was analysed based on the two-temperature model (TTM). Electron temperature increased up to 1000K after 50fs and its spatial distribution became homogeneous after 80fs at the fluence of 100mJ/cm2. The result of this work is expected to contribute to revealing the photothermal effects on silver nanowires induced by femtosecond laser irradiation. Although the highest increase of lattice temperature was substantially below the melting point of silver, the experimental results showed resolidification and fragmentation of the silver nanowire into nanoparticles, which cannot be explained by the photothermal mechanism. Further studies are thus needed to clarify the physical mechanisms.
본 논문은 전자파장해 및 복사 내성 측정에 사용되는 전자파 무반사실의 대용 방법으로 사용되는 전자파 잔향실 내의 필드 균일성에 관한 연구이다. 최근 Wireless LAN 이나 DMB 및 휴대 인터넷 사용량의 증가로 인해 전자기파 노이즈가 다른 기기나 장비에 악영향을 미칠 것으로 예상되는 2.3 GHz 대역에 초점을 맞추었다. 본 논문에서는 전자파 잔향실 내부의 전계강도 수치해석을 위하여 시간영역 유한 차분법이 사용되었으며, 전자파 잔향실의 특성과 내부 전계강도의 균일성 개선을 위하여 2D CRD의 배치와 개수를 변화시키면서 표준 편차, 공차 특성, 편파 특성을 비교분석하였다. 전자파 잔향실의 두 면에 확산기를 부착하였을 때 확산기를 사용하지 않은 전자파 잔향실에 비하여 표준 편차는 1.98 dB, 공차 특성은 3.6 dB 만큼 개선되었다.
Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)(P(VDF-TrFE)) 고체 전해질 층의 어닐링 온도가 고분자 멤리스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 형태적 분석에서 100℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (100P(VDF-TrFE)) 박막 대비 200℃ 어닐링 온도를 갖는 P(VDF-TrFE) (200P(VDF-TrFE)) 박막의 표면 거칠기가 약 5배 크고 두께는 약 20% 작은 것으로 나타났다. 100P(VDF-TrFE)를 갖는 멤리스터 (M100) 대비 200P(VDF-TrFE) 멤리스터 (M200)의 set voltage는 약 50% 감소하였고, reset voltage의 크기는 약 30% 증가하였다. 또한, M200이 M100보다 더 나은 메모리 유지 특성을 갖는 것으로 나타났다. 이러한 차이는 M100 대비 M200 내부의 강한 국소 전기장 때문인 것으로 판단된다. 본 연구는 고분자 멤리스터의 어닐링 온도의 중요성을 제시함에 의의가 있다.
Numerical analysis has been conducted to characterize deposition rates of aerosol particles onto a heated, rotating disk with electrostatic effect under the laminar flow field. The particle transport mechanisms considered were convection, Brownian diffusion, gravitational settling, thermophoresis and electrophoresis. The aerosol particles were assumed to have a Boltzmann charge distribution. The electric potential distribution needed to calculate local electric fields around the disk was calculated from the Laplace equation. The Coulomb, the image, the dielectrophoretic and the dipole-dipole forces acting on a charged particle near the conducting rotating disk were included in the analysis. The averaged particle deposition vetocities and their radial distributions on the upper surface of the disk were calculated from the particle concentration equation in a Eulerian frame of reference, along with a rotation speed of 0∼1,000rpm, a temperature difference of 0∼5K and a charged disk voltage of 0∼1000V.Finally, an approximate deposition velocity model for the rotating disk was suggested. The present numerical results showed relatively good agreement with the results of the present approximate model and the available experimental data.
For pneumatic system control, we need a data transmission system with high speed and high reliability or information interchange between main computer and solenoid valves and I/O devices. This paper presents a set of design techniques for a data communication system that is mainly used for pneumatic system control. For this purpose, we first designed hardware modules for an interface between central control module and local node that handles the operation of solenoid valves. In addition we developed a communication protocol for construction of RS-485 based multidrop network, and this protocol is basically designed with a kind of polling technique. Finally we evaluated performance of the developed system. The field test results show that, even under high noise environment, the data transmission of 375Kbps rate is possible up to 1,000m without using repeater. In addition, the system developed in this research is proved to be used easily for extension of a communication network because of its module structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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