• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제9권4호
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• pp.257-265
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• 2009

Recent progress in development of CMOS power amplifiers for mobile terminals is reviewed, focusing first on switching mode power amplifiers, which are used for transmitters with constant envelope modulation and polar transmitters. Then, various transmission line transformers are evaluated. Finally, linear power amplifiers, and linearization techniques, are discussed. Although CMOS devices are less linear than other devices, additional functions can be easily integrated with CMOS power amplifiersin the same IC. Therefore, CMOS power amplifiers are expected to have potential applications after various linearity and efficiency enhancement techniques are used.

• 한국항해항만학회지
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• 제26권3호
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• pp.295-302
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• 2002

현재의 디지털 통신시스템은 매우 다양한 디지털 변조방식을 채택하고 있다. 이러한 통신시스템에서는 인접채널에 대한 간섭을 최대한 줄이기 위해서 필연적으로 선형 전력증폭기를 요한다. 선형 전력증폭기는 매우 다양한데 그 중에서 전방궤환 전력증폭기는 구조상 광대역이면서 선형화 정도가 매우 우수하다. 전방궤환 전력중폭기에 사용되는 지연선로의 손실로 인하여 전체효율이 감소한다. 본 논문에서는 이러한 지연선로를 손실이 매우 작은 지연필터를 사용함으로써 효율과 선형성을 동시에 개선하였다. 측정된 결과 ACLR이 약 17.43dB 개선되었으며 이것은 지연필터를 사용함으로써 2.54dB 더 개선되었음을 나타낸다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2003년도 ICCAS
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• pp.122-127
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• 2003

In this paper, an adaptive predistortion scheme is proposed to compensate nonlinear distortions caused by high power amplifiers (HPA) in OFDM systems. A complex Wiener-Hammerstein model (WHM) is used to describe input-output relationship of HPA with linear dynamics. The predistorter is directly identified by complex power series model with memory, which is an approximate inverse of the HPA expressed by the WHM. The effectiveness of the proposed adaptive compensation scheme is validated by numerical simulation for 64QAM-OFDM systems.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.724-730
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• 2002

디지털 통신시스템에서는 인접채널에 대한 간섭을 최대한 줄이기 위하여 필연적으로 선형 전력증폭기가 요구된다. 선형 전력증폭기는 매우 다양하며, 그 중에서도 전방제환 전력증폭기는 구조상 광 대역이면서 선형화 정도가 매우 우수하기 때문에 많이 이용된다. 전방궤환 전력증폭기는 지연 선로의 손실로 인하여 전체효율이 감소한다. 본 논문에서는 이러한 지연 선로를 손실이 매우 작은 지연 여파기를 사용함으로써 효율과 선형성을 동시에 개선하였다. 측정 결과, ACLR이 약 17.43(dB) 개선되었으며, 이것은 지연 여파기를 사용함으로써 3.44(dB) 더 개선되었음을 나타낸다.

• ETRI Journal
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• 제29권4호
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• pp.536-538
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• 2007

We propose and describe the fabrication of a linear power amplifier (LPA) using a new analog feedforward method for the IMT-2000 frequency band (2,110-2,170 MHz). The proposed analog feedforward circuit, which operates without a pilot tone or a microprocessor, is a small and simple structure. When the output power of the fabricated LPA is about 44 dBm for a two-tone input signal in the IMT-2000 frequency band, the magnitude of the intermodulation signals is below -60 dBc and the power efficiency is about 7%. In comparison to the fabricated main amplifier, the magnitude of the third intermodulation signal decreases over 24 dB in the IMT-2000 frequency band.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.179-182
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• 2002

In this paper, 2-stage Power amplifier with external bias controller for\ulcorner IMT-2000 handsets was designed using SiGe HBT with excellent linearity to 1\ulcornereduce size and weight. The designed amplifier has 26.5 dBm output power, 33% power added efficiency, and 22 dB linear power gain in 1920-1980MHz frequency range.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권2A호
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• pp.166-173
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• 2004

위성 통신 시스템은 지상국과 위성에서 고출력의 비선형 HPA(high power amplifiers)를 사용하게 된다. 그러므로 HPA의 비선형성이 통신 시스템에 미치는 영향을 고려하는 것이 중요하다. 본 연구는 비선형성 HPA에 의한 전력 스펙트럼 밀도 변화와 IBO(input back-off)에 따라 신호의 왜곡과 하모닉 성분의 크기 변화를 구한다. 그리고 BPSK 위성 통신 시스템에서, HPA에 의한 인접 채널 간섭(ACI : adjacent channel interference) 및 외부 재밍 간섭 등에 의한 동일채널 간섭(CCI : co-channel interference)를 고려하여 성능분석을 한다. 일정한 uplink SNR(signal to noise power ratio), uplink SIR(signal to co-channel interference power ratio), downlink SIR인 상황에서, 인접 채널 간섭의 크기에 따른 BER 성능 변화를 구한다. 위성에만 비선형 HPA가 있을 경우는, 비선형에 의한 인접 채널 간섭의 크기에 따라 성능에 많은 차이가 있음을 확인하였다. 그리고 지상국과 위성에서 모두 비선형 왜곡이 있을 때, CCI와 인접 채널 간섭에 의하여 더욱 성능이 저하된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.327-330
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• 1998

A 2watts MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) SSPA(Solid State Power Amplifiers) for 20GHz band communication systems has been designed, manufactured and measured. The 0.15um pHEMT technologywith the gate size of 400um for single device was used for the fabrication of MMIC Power Amplifier chips. The precision MIC patterns for the peripherals like power combiner/divider and microstrip lines were realized using hard substrate for gold wire/ribbon bonding. The measured data shows that this MMIC SSPA has the linear gain of 18dB, output power of 33.42dBm(2.2Watts)at 20~21GHz.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권10호
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• pp.13-21
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• 1998

휘드훠워드 선형 전력 증폭기에 사용하는 적응형 주 신호 제거회로의 주 신호 제거 특성을 해석하였으며 선형 증폭기의 특성을 개선하기 위한 주 신호 제거 오차 제어방법을 제안한다. 이 해석을 통해 정상상태에서 주 신호 제거 율을 정확하게 예측함으로써 부 증폭기의 규격조건 및 주 증폭기의 백 오프 조건 등을 계산할 수 있으며 효율 및 경제성을 고려한 휘드훠워드 선형 증폭기의 최적설계가 가능하다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.118-121
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• 2003

A new approach, using MEMS, for improving the performance of high efficiency amplifiers is proposed in this paper. The MEMS tuning element is described as a variable-length shorted CPW stub. Class-E amplifiers can be optimally tuned by these MEMS tuning elements because their operation varies with the impedance of the output tuning circuit. A MEMS tuning element was simulated using full-wave EM simulators to obtain its S-parameters. A Class-E amplifier with the MEMS was designed at 8GHz. The non-linear operation of this amplifier was simulated to explore the effect of the MEMS tuning. Comparing the initially designed amplifier without MEMS, the Power Added Efficiency (PAE) of the amplifier with MEMS is improved from 46.3% to 66.9%. For the amplifier with MEMS, the nonlinear simulation results are PAE = 66.90%, $\eta$(drain efficiency) = 75.89%, and $P_{out}$ = 23.37 dBm at 8 GHz. In this paper, the concept of the MEMS tuning element is successfully applied to the Class E amplifier designed with transmission lines.