• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제21권1호
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• pp.19-34
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• 1996

It has been demonstrated that intracoronal bleaching of pulpless teeth may result in cervical root resorption. Several authors postulated that bleaching agents such as hydrogen peroxide penetrated through the dentinal tubules to damage the surrounding tissues that cause cervical root resorption. The purpose of this study was to suggest on in vitro model for direct determination of hydrogen peroxide penetration through CEJ during nonvital bleaching. In addition, this model permit the quantification of the amount of hydrogen peroxide penetrated during the procedure. Freshly extracted intact premolars, removed for orthodontic reasons were used. Root canal treatment was performed in each tooth. And then the outer surface and crown portion of the teeth was sealed with wax leaving the CEJ. The prepared teeth mounted on the wax laminates were placed in plastic assay tubes containing 1.5ml bidistilled water with their entire root, including the CEJ, submerged in the solution. The teeth were dividied into four groups. Thermo group : thermocatalytic bleaching with superoxol Walk group: walking bleaching with sodium perborate & superoxol Combi group : combination of thermocatalytic & walking bleaching Dw group : walking bleaching with sodium perborate & water The bleaching procedure was performed three times. The bleaching intervals were at 3 days. The hydrogen peroxide present in the assay system was added to ferrous ammonium sulfate resulting in ferric ion release. Upon the addition of potassium thiocyanate a ferrithiocyanate complex results, which absorbs light at the wavelength of 467nm. The radicular penetration of hydrogen peroxide in the four groups was assessed directly using spectrophotometer. The amount of hydrogen peroxide in the samples tested is determined by comparing them with a standard curve generated by known amounts of hydrogen peroxide. The results were obtained as follows : 1. In all experimental groups except the Dw group showed lower penetration amount in day 4 than day 1, there was statistical importance in the difference (P<0.05). 2. After 3rd treatment, Thermo group showed slightly increased value and narrow distribution. Walk group showed much more penetration amount and widely dispersed value. Value of Combi group showed wide distribution without regard to treatment time, but value of Dw group evenly distributed. 3. Thermo group, Walk group and Dw group showed a tendency of increasing penetration amount with increasing treatment times(P<0.01), but Combi group revealed no statistically important differences. 4. Combi group showed the highest degree of penetration. Walk group showed lower penetration than Combi group. Thermo group & Dw group showed lower than Walk group. 5. Cervical root permeability to hydrogen peroxide varied from 0 to 35 %.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권5호
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• pp.393-399
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• 2020

A series of phosphors, SrWO₄:5 mol% Dy³⁺, SrWO₄:5 mol% Sm³⁺, and SrWO₄:5 mol% Dy³⁺:x Sm³⁺ (x＝1~15 mol%), were prepared using a facile co-precipitation. The crystal structure, morphology, photoluminescence properties, and application in anti-counterfeiting fields were investigated. The crystalline structures of the prepared phosphors were found to be tetragonal systems with the dominant peak occurring at the (112) plane. The excitation spectra of the Dy³⁺ singly-doped SrWO₄ phosphors were composed of an intense charge-transfer band centered at 246 nm in the range of 210~270 nm and two weak peaks at 351 nm and 387 nm due to the ⁶H_15/2→⁶P_7/2 and ⁶H_15/2→⁴I_13/2 transitions of Dy³⁺ ions, respectively. The wavelength of 246 nm was optimum for exciting the luminescence of Dy³⁺ and Sm³⁺ co-doped SrWO₄ phosphors. The emission spectra consisted of two intense blue and yellow emission bands at 480 nm and 573 nm corresponding to the ⁴F_9/2→⁶H_15/2 and ⁴F_9/2→⁶H_13/2 transitions of Dy³⁺, and two strong emission peaks at 599 nm and 643 nm originating from the ⁴G_5/2→⁶H_7/2 and ⁴G_5/2→⁶H_9/2 transitions of Sm³⁺, respectively. As the concentration of Sm³⁺ ions increased, the emission intensities of Dy³⁺ rapidly decreased, while the emission intensities of Sm³⁺ gradually increased. These results suggest that the color of the emission light can be tuned from yellow to white by changing the concentration of Sm³⁺ ions at a fixed 5 mol% Dy³⁺. Furthermore, the fluorescent security inks were synthesized for use in anti-counterfeiting applications.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.1285-1290
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• 2017

본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 두께를 변화시켜가며 유리기판 위에 ITZO 박막을 제작하여 전기적, 광학적, 구조적 특성을 조사하였다. ITZO 박막의 두께가 증가함에 따라 면저항은 현저하게 감소하는 추세를 보였으나, 비저항은 ITZO 박막의 두께와 무관하게 $5.06{\pm}1.23{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$의 거의 일정한 값을 나타내었다. ITZO 박막의 두께가 증가할수록 투과도 곡선이 장파장 쪽으로 이동하였다. 두께 360 nm 인 ITZO 박막의 가시광 영역에서와 P3HT : PCBM 유기물 활성층의 흡수 영역에서의 재료평가지수는 각각 $8.21{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$과 $9.29{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$로 가장 우수한 값을 나타내었다. XRD와 AFM 측정을 통해, 두께에 상관없이 모든 ITZO 박막이 비정질 구조이며 표면 거칠기는 0.309에서 0.540 nm 범위로 매우 부드러운 표면을 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 본 연구를 통해 비정질 ITZO 박막이 유기박막 태양전지에 매우 유망한 재료라는 것을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.345-346
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• 2013

InGaN material is being studied increasingly as a prospective material for solar cells. One of the merits for solar cell applications is that the band gap energy can be engineered from 0.7 eV for InN to 3.4 eV for GaN by varying of indium composition, which covers almost of solar spectrum from UV to IR. It is essential for better cell efficiency to improve not only the crystalline quality of the epitaxial layers but also fabrication of the solar cells. Fabrication includes transparent top electrodes and surface texturing which will improve the carrier extraction. Surface texturing is one of the most employed methods to enhance the extraction efficiency in LED fabrication and can be formed on a p-GaN surface, on an N-face of GaN, and even on an indium tin oxide (ITO) layer. Surface texturing method has also been adopted in InGaN-based solar cells and proved to enhance the efficiency. Since the texturing by direct etching of p-GaN, however, was known to induce the damage and result in degraded electrical properties, texturing has been studied widely on ITO layers. However, it is important to optimize the ITO thickness in Solar Cells applications since the reflectance is fluctuated by ITO thickness variation resulting in reduced light extraction at target wavelength. ITO texturing made by wet etching or dry etching was also revealed to increased series resistance in ITO film. In this work, we report a new way of texturing by deposition of thickness-optimized ITO films on ITO nano dots, which can further reduce the reflectance as well as electrical degradation originated from the ITO etching process.

• 대한환경공학회지
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• 제32권12호
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• pp.1147-1153
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• 2010

본 연구에서는 Compound parabolic concentrator reactor system을 이용하여 초기농도 10 mg/L의 클로로포름을 광촉매 반응으로 처리하였다. 1000 W의 메탈할라이드 방전램프를 인공태양광원으로 사용하였으며 약 99%의 클로로포름이 광촉매반응에 의하여 90분 안에 제거되어 먹는물 수질기준인 0.08 mg/L을 만족하였다(pH 5.24, $TiO_2$ 농도 0.2 g/L). 또한 초기 pH와 $TiO_2$ 농도가 클로로포름의 분해에 미치는 영향 을 알아보기 위해 pH 4, 5, 6, 7과 $TiO_2$ 농도 0.1, 0.2, 0.4의 조건에서 실험을 수행하였으며, 각 pH 에서의 $TiO_2$ 입자크기(particle size)와 비표면적(specific surface area)을 측정하여 클로로포름 분해율과 비교하여 비표면적과 광촉매반응 활성 사이의 상관관계를 규명하고자 하였다. 그 결과 pH와$TiO_2$ 농도에 따른 클로로포름 분해율은 큰 차이를 보이지 않았다. 하지만 pH에 따라 $TiO_2$의 입자크기분포(particle distribution)와 비표면적이 변했고 pH 7은 다른 pH 영역보다 비표면적이 약 2배 정도 작은 결과를 보였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 클로로포름의 광촉매반응은 $TiO_2$의 비표면적과 상관관계가 없는 TCE-type인 것을 유추할 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.420-424
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• 2016

본 연구에서는 지속적으로 심각한 대기오염의 문제로 실내 공기청정의 중요성이 대두되는 점을 감안하여 광촉매 단위기술을 개발하고자 건식 박막 공정 중 일반적으로 사용되어지는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 $WO_3$ 단층막을 증착하였다. 초기 진공도는 $1.8{\times}10^{-6}$ [Torr]를 기준하여 최적의 스퍼터링 공정조건인 RF 100[W], 7[mTorr]진공 조건에서 Ar:$O_2$ 반응가스의 비율을 70[sccm] : 2[sccm]으로 하여 제작된 $WO_3$ 단층막은 380[nm]-780[nm]의 가시광 영역에서 80% 이상의 높고 일정한 광투과 특성을 확인하였다. 공기 청정 효과를 확인 위해 제작된 $WO_3$ 박막의 광촉매 특성을 조사하기 위해 메틸렌블루 내에서의 흡광도 및 농도변화를 광조사 시간 변화에 따라 측정하였다. 그 흡광도 측정결과 시간에 따라 흡광도 특성이 보임을 확인하였고, 5시간 경과 후 기존 메틸렌블루 농도 대비 80% 수준의 농도로 낮아지는 것을 확인하였다. 이런 결과로 부터 스퍼터링법에 의해 제작된 기능성 $WO_3$박막의 광분해 특성을 통해 형광등의 반사갓 혹은 LED등의 렌즈에 활용 된다면 차세대 조명원의 공기청정 효과를 증진시킬 수 있는 박막을 개발하였다.

• 한국토양비료학회지
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• 제42권4호
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• pp.274-279
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• 2009

지상원격탐사 센서를 이용한 황색종의 적숙엽 판단기준을 평가하기 위하여 성숙기에 중엽과 상엽부위에 대하여 수확엽의 녹색도를 5개 수준으로 구분하여 여러 가지 센서지표들의 상호관계를 평가하였다. 건조엽의 색 특성은 색차계(Colorimeter, CR-300)를 이용하여 L, a, b값을 측정하였고 건조엽의 청색도는 육안관찰에 의한 분포정도를 수치화하여 비교 검토하였다. 수확엽의 녹색도에 따른 반사율은 550nm와 675nm에서 녹색도가 증가할수록 감소되는 특성을 보였다. 건조엽의 반사율은 미숙된 엽이 건조된 후 녹색이 잔류되었기 때문에 미숙엽의 675nm 반사율이 더 낮아졌다. 그 결과 동일한 엽위에서 생엽과 건조엽의 반사율지표는 직선적인 정의 상관을 보였다. 또한 건조엽의 청색도는 모든 센서지표들과 유의성 있는 정의 상관을 보였고 명도를 나타내는 색차계 L값은 센서지표들과 유의성 있는 부의 상관을 보였다. 따라서 건조엽의 청색도로 평가된 센서 종류별 적숙엽의 기준은 엽록소 측정치 SPAD 값은 22 이하, 엽록소 측정치 CM-1000 값은 135 이하, 그리고 원격탐사센서 Crop Circle의 gNDVI 값은 0.43 이하로 평가되었다.

• 한국광학회지
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• 제31권5호
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• pp.213-217
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• 2020

본 논문에서는 아디아바틱(adiabatic) 광섬유 테이퍼의 습식 식각 기반 제조 방법에 대해 보고하고 1550 nm 파장에서의 아디아바틱 성질 및 테이퍼드 광섬유에서 HE₁₁ 모드의 전개에 대해 설명하고자 한다. 제조한 결과물은 아디아바틱 성질을 잘 만족하며 far field 패턴 측정 결과로부터 테이퍼 전체에 걸쳐 고차 모드 커플링 없이 기본 HE₁₁ 모드가 유지되는 것을 보여준다. 측정한 far field 패턴의 경우에 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 검증하였고, 테이퍼드 광섬유는 다수의 광자 응용에 적용할 수 있으며 특히 광섬유-칩 패기지에 적용할 수 있다. 시뮬레이션을 통해서 제작한 아디아바틱 광섬유 테이퍼를 모델링한 후 역방향 테이퍼드 실리콘 도파관 사이의 광 전송률 시뮬레이션을 살펴보았을 때, 1 dB 초과 손실(실리콘 도파관 각도 1°)이 약 ~60 ㎛ 길이라는 여유있는 공간 치수 공차를 보이며, 0.4 dB 미만의 삽입 손실(실리콘 도파관 각도 4°)을 보인다. 또한, 본 연구자들이 제시하는 아디아바틱 커플러가 O 밴드 및 C 밴드 대역을 넘어, 초 광대역 결합 효율 가능성을 보이는 것을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제20권6호
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• pp.267-271
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• 2010

Sol-gel법을 이용하여 초친수성이며 높은 투과율을 갖는 $TiO_2$ 박막을 UV를 조사하지 않고 제조하였다. 제조된 박막의 투과율을 높이기 위하여 계면활성제 Tween 80을 첨가하였다. $TiO_2$ 용액에서 Tween 80의 함량이 0.0, 1.0, 3.0, 5.0 wt%일 때, 파장 550 nm에서 측정된 $TiO_2$ 박막의 투과율은 각각 약 74.31%, 74.25%, 79.69%, 81.99%였다. Tween 80의 첨가유무에 따라 제조된 박막은 약 $4.0{\sim}4.5^{\circ}$의 초친수 접촉각을 나타내었다. $400^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 $TiO_2$ 박막은 아나타제 타입의 결정구조를 보였으며, UV를 조사하였을 때 메틸 오렌지 용액을 분해시키는 광촉매 특성을 보였다. Tween 80의 함량에 따라 제조된 박막의 표면구조, 광학특성 및 접촉각을 FE-SEM, XRD, UV-Vis 분광기, 접촉각 측정기를 이용하여 평가하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권1호
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• pp.26-31
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• 2000

The ~1540 nm $^4$ $I_{13}$ 2/ longrightarro $w^4$ $I_{15}$ 2/ emissions of E $r^{3+}$ in Er-implanted GaN annealed at temperatures in the 400 to 100$0^{\circ}C$ range were investigated to gain a better understanding of the formation and dissociation processes of the various E $r^{3+}$ sites and the recovery of damage caused by the implantation with increasing annealing temperature ( $T_{A}$).The monotonic increase in the intensity of the broad defect photoluminescence(PL) bands with incresing $T_{A}$ proves that these are stable radiative recombination centers introduced by the implantation and annealing process. Theser centers cannot be attributed to implantation-induced damage that is removed by post-implantation annealing. Selective wavelength pumpling of PL spectra at 6K reveals the existence of at least nine different E $r^{3+}$ sites in this Er-implanted semiconductor. Most pf these E $r^{3+}$ PL centers are attributed to complexed of Er atoms with defects and impurities which are thermally activated at different $T_{A}$. Only one of the nine observed E $r^{3+}$ PL centers can be pumped by direct 4f absorption and this indicates that it is highest concentration E $r^{3+}$ center and it represents most of the optically active E $r^{3+}$ in the implanted sample. The fact that this E $r^{3+}$ center cannot be strongly pumped by above-gap light or broad band below-gap absorption indicates that it is an isolated center, i.e not complexed with defects or impurities, The 4f-pumped P: spectrum appears at annealing temperatures as low as 40$0^{\circ}C$, and although its intensity increase monotonically with increasing $T_{A}$ the wavelengths and linewidths of its characteristic peaks asre unaltered. The observation of this high quality E $r_{3+}$PL spectrum at low annealing temperatures illustrates that the crystalline structure of GaN is not rendered amorphous by the ion implantation. The increase of the PL intensities of the various E $R_{3+}$sites with increasing $T_{A}$is due to the removal of competing nonradiative channels with annealing. with annealing.annealing.