Recently, it is widely studied to liquid crystal (LC) alignment using ion-beam exposure. Because conventional rubbing method has some problems such as defects from dust and electrostatic charges and rubbing scratch during rubbing process. Moreover rubbing method needs cleaning process to remove these defects. Therefore rubbing-free techniques like ion-beam method are strongly required. We studied LC alignment by controlling ion-beam irradiation angles and electro-optical (EO) characteristics of twisted nematic LC on the polyimide surface. In this experiment, a good uniform alignment of the nematic liquid crystal (NLC) with the ion-beam exposure on the polyimide (PI) surface was observed. We also achieved low pretilt angle as function of ion-beam irradiation angles. X-ray photoelectron spectroscopic (XPS) analysis provided chemical evidence for LC alignment by controlling ion-beam irradiation angles. In addition, it can be achieved the good EO properties of the ion-beam-aligned twisted nematic liquid crystal display (TN-LCD) on PI surface. Some other experiments results and discussion will be included in the presentation.
We used Brewster's Law to examine the mechanism of liquid crystal (LC) alignment on an organic insulation layer when subjected to ion-beam irradiation. Brewster's Law implies that the maximum rate polarized ray on a slanted insulation layers on the substrate and it illustrates the dependence of polarization and themechanical structure on the ion beam irradiation process. The pretilt angle of nematic LCs on the organic insulation surface was about $1.13^{\circ}$ for an ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 minute at 1800eV. This shows the dependence of LC alignment on the polarization ratio in a slanted organic insulation layer.
Wrinkle patterns were fabricated on styrene-butadiene-styrene (SBS) block copolymer substrates using ion-beam (IB) irradiation with various intensities. The wavelength of the wrinkle pattern increased as the IB intensity was increased from 800 to 1,600 eV. IB irradiation-induced changes in the surface properties that were confirmed via physicochemical surface analyses. X-ray photoelectron spectroscopy analysis revealed chemical surface reformation due to the IB irradiation, resulting in C-O/C=O bonds after IB irradiation that were not reported before. These results indicate that the surface chemical modification caused by IB irradiation is strongly related to the surface modulus, which is important when fabricating wrinkle patterns. Furthermore, a strong IB irradiation induced a strong compressive strain; thus the size of the wrinkle pattern was increased.
Minju Kim;Joonyoung Choi;Chang-Duk Kim;Younjung Jo
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제26권1호
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pp.5-9
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2024
This study investigated the effect of Kr ion beam irradiation on the superconducting properties of Nb thin films, which are known for their high superconducting transition temperature (Tc) at ambient pressure among single elements. Using the Stopping and Range of Ions in Matter (SRIM) program, we analyzed the distribution of Kr ions and displacement per atom (DPA) after irradiation, finding a direct correlation between irradiation amount and DPA. In samples with stronger beam energy, deeper ion penetration, fewer ions remained, and higher DPA values were observed. X-ray diffraction (XRD) revealed that the Nb (110) peak at 38.5° weakened and shifted with increasing irradiation. Tc decreased in all samples after irradiation, more significantly in those with higher beam energy. Irradiation raised resistivity of the film and lowered the residual-resistivity ratio (RRR). AC susceptibility measurements were also consistent with these findings. This research could potentially lead to more efficient and powerful superconducting devices and a better understanding of superconducting materials.
For decades, traditional mutation breeding technologies using spontaneous mutation, chemicals, or conventional radiation sources have contributed greatly to the improvement of crops and microorganisms of agricultural and industrial importance. However, new mutagens that can generate more diverse mutation spectra with minimal damage to the original organism are always in need. In this regard, ion beam irradiation, including proton-, helium-, and heavier-charged particle irradiation, is considered to be superior to traditional radiation mutagenesis. In particular, it has been suggested that ion beams predominantly produce strand breaks that often lead to mutations, which is not a situation frequently observed in mutagenesis induced by gamma-ray exposure. In this review, we briefly describe the general principles and history of particle accelerators, and then introduce their successful application in ion beam technology for the improvement of crops and microbes. In particular, a 100-MeV proton beam accelerator currently under construction by the Proton Engineering Frontier Project (PEFP) is discussed. The PEFP accelerator will hopefully prompt the utilization of ion beam technology for strain improvement, as well as for use in nuclear physics, medical science, biology, space technology, radiation technology and basic sciences.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.543-546
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2005
We have investigated the alignment ability of multi-domains by using ion beam irradiation on diamond-like carbon (DLC) thin film layers. The DLC thin films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system and the low energy ion beam is irradiated from Kaufman type ion gun. The direction of liquid crystal alignment is varied by the direction of Ar ion beam irradiation.
In this study, the nematic liquid crystal (NLC) alignment effects treated on the ZnO thin film layers using ion beam irradiation were successfully studied for the first time. The ZnO thin films were deposited on indium-tin-oxide (ITO) coated glass substrates by rf-sputter and The ZnO thin films were deposited at the three kinds of rf power. The used DuoPIGatron type ion beam system, which can be advantageous in a large area with high density plasma generation. The ion beam parameters were as follows: energy of 1800 eV, exposure time of 1 min and ion beam current of $4\;mA/cm^2$ at exposure angles of $15^{\circ}$, $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, and $60^{\circ}$. The homogeneous and homeotropic LC aligning capabilities treated on the ZnO thin film surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 min can be achieved. The low pretilt angle for a NLC treated on the ZnO thin film surface with ion beam irradiation for all incident angles was measured. The good LC alignment treated on the ZnO thin film with ion beam exposure at rf power of 150 W can be measure. For identifying surfaces topography of the ZnO thin films, atomic force microscopy (AFM) was introduced. After ion beam irradiation, test samples were fabricated in an anti-parallel configuration with a cell gap of $60{\mu}m$.
We introduce a new synthesis method to prepare small TiO2 nanoparticles with a narrow particle size distribution, which is achieved by electron beam (E-beam) irradiation. The effects of E-beam irradiation on the synthesis of TiO2 nanoparticles and the electrochemical performance of TiO2 nanoparticles as alternative anode materials for Li-ion batteries are investigated. The TiO2 nanoparticles induced by E-beam irradiation present better cycling performance and rate capability than the TiO2 nanoparticles synthesized by normal hydrolysis reaction. The better electrochemical performance is attributed to small particle size and narrow particle size distribution, resulting in the large surface area that provides innumerable reaction sites and short diffusion length for Li+ through TiO2 nanoparticles.
The effect of liquid crystal (LC) alignment on a homeotropic polyimide (PI) surface induced by ion beam (IB) irradiation and rubbing process was studied. LC alignment was not affected by IB irradiation with an exposure time of 10 s, and an IB irradiation with an exposure time of 60 s more effectively oriented the LCs on the PI layer than the rubbing process. It was assumed that the LC alignment depended on the C-O bonds created from the C=O bonds on the PI surface broken by IB irradiation after an exposure time of 60 s, which resulted in a strong surface energy that transformed the homeotropic LC alignment to homogeneous states.
As a flexible method to fabricate sub-micrometer patterns, Focused Ion Beam (FIB) instrument and Self-Assembled Monolayer (SAM) resist are introduced in this work. FIB instrument is known to be a very precise processing machine that is able to fabricate micro-scale structures or patterns, and SAM is known as a good etch resistance resist material. If SAM is applied as a resist in FIB processing fur fabricating nano-scale patterns, there will be much benefit. For instance, low energy ion beam is only needed for machining SAM material selectively, since ultra thin SAM is very sensitive to $Ga^+$ ion beam irradiation. Also, minimized beam spot radius (sub-tens nanometer) can be applied to FIB processing. With the ultimate goal of optimizing nano-scale pattern fabrication process, interaction between SAM coated specimen and $Ga^+$ ion dose during FIB processing was observed. From the experimental results, adequate ion dose for machining SAM material was identified.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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