• 제목/요약/키워드: intermodulation

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디지털 첩 발생기에서의 직교 변조 오차에 의한 대역 확장 모듈에서의 스펙트럴 재성장 분석 (Analysis on Spectral Regrowth of Bandwidth Expansion Module by Quadrature Modulation Error in Digital Chirp Generator)

  • 김세영;성진봉;이종환;이동우
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.761-768
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    • 2010
  • 본 논문에서는 주파수 체배 방식을 이용하여 고해상도 영상 레이더의 광대역 파형 생성을 위한 효율적인 기법에 대한 연구를 수행하였다. 또한 직교 변조기와 주파수 체배기를 사용한 첩 변조 파형의 대역폭 확장시 발생되는 3차 혼변조 성분에 의한 스펙트럴 재성장에 대한 근본적인 원인을 분석하였다. 또한 직교 변조기의 진폭 및 위상 불균형 오차에 대한 요구 조건을 시뮬레이션을 통하여 정의하였다. 이와 같은 해석을 통하여 임펄스 응답 특성인 거리 방향 해상도, PSLR(Peak Sidelobe Ratio) 및 ISLR(Integrated Sidelobe Ratio) 특성이 악화되는 것을 최소화시킬 수 있었다. 주파수 체배기와 메모리 맵 방식을 사용한 광대역 파형 발생장치가 제작되었으며, 진폭과 위상 오차를 최소화시킴으로써 생성된 SAR 파형의 부엽에서 발생되는 스펙트럴 재성장 성분을 최소화 시키는 보상 기법이 제시되었다. 직교 변조기의 I 및 Q 채널간의 불균형 특성을 조절함으로써, 반송파 레벨을 -28.7 dBm에서 -53.4 dBm으로 억압할 수 있었으며, S-대역에서 150 MHz 대역폭의 첩 변조 파형을 X-대역에서 600 MHz 대역폭으로 성공적으로 확장시켰다. 또한 부엽에서 발생한 스펙트럴 재성장 성분들을 대략 8~9 dB 정도 줄일 수 있었다.

A GaAs Power MESFET Operating at 3.3V Drain Voltage for Digital Hand-Held Phone

  • Lee, Jong-Lam;Kim, Hae-Cheon;Mun, Jae-Kyung;Kwon, Oh-Seung;Lee, Jae-Jin;Hwang, In-Duk;Park, Hyung-Moo
    • ETRI Journal
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    • 제16권4호
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    • pp.1-11
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    • 1995
  • A GaAs power metal semiconductor field effect transistor (MESFET) operating at a voltage as low as 3.3V has been developed with the best performance for digital handheld phone. The device has been fabricated on an epitaxial layer with a low-high doped structure grown by molecular beam epitaxy. The MESFET, fabricated using $0.8{\mu}m$ design rule, showed a maximum drain current density of 330 mA/mm at $V_{gs}$ =0.5V and a gate-to-drain breakdown volt-age of 28 V. The MESFET tested at a 3.3 V drain bias and a 900 MHz operation frequency displayed an output power of 32.5-dBm and a power added efficiency of 68%. The associate power gain at 20 dBm input power and the linear gain were 12.5dB and 16.5dB, respectively. Two tone testing measured at 900.00MHz and 900.03MHz showed that a third-order intercept point is 49.5 dBm. The power MESFET developed in this work is expected to be useful as a power amplifying device for digital hand-held phone because the high linear gain can deliver a high power added efficiency in the linear operation region of output power and the high third-order intercept point can reduce the third-order intermodulation.

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3-Way Doherty 증폭기의 선형성 및 효율 개선에 관한 연구 (A Study on Linearity and Efficiency Improvement for 3-Way Doherty Amplifier)

  • 홍용의;양승인
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권2호
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    • pp.124-128
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    • 2006
  • 본 논문에서는 CMRC(Compact Microstrip Resonants Cell)를 이용한 직렬 구조의 3-Way 도허티 증폭기를 연구하였다. CMRC는 선형성과 효율의 개선뿐만 아니라 기존의 선형성 개선 방법보다 간단하며 크기가 작고 가격이 저렴하다는 장점이 있다. 또한 기존의 병렬 구조의 3-way 도허티 증폭기가 아닌 하나의 디바이더만을 사용하는 직렬 구조의 3-Way 도허티 증폭기를 통해 그 크기를 줄일 수 있었다. 그 결과 CMRC를 사용한 제안된 3-Way 도허티 증폭기는 IMD3를 약 4.5 dB, PAE는 약 $9.2\%$ 개선시킬 수 있었다.

RF 전치 왜곡된 전력 증폭기의 변조 주파수가 혼변조 개선량에 미치는 영향 (Effect of Modulation Frequency of Power Amplifier on IMD Cancellation Performance of Predistortion Linearizer)

  • 최진철;조경준;김상희;김종현;이병제;김남영;이종철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권5호
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    • pp.450-457
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    • 2003
  • 본 논문에서는 RF 전력 증폭기에 전치왜곡 선형화기 적용을 위해 변조 주파수가 전력 증폭기 3차 혼변조 성분의 비대칭성과 이로 인한 혼변조 개선량에 미치는 영향을 연구하였다. 3차 혼변조 성분의 위상 왜곡에 의한 비대칭 정도를 알기 위한 위상 추출 회로를 제안하고, 3차 혼변조 상 .하측 성분에서 추출한 위상차를 보상하기 위한 회로를 설계 및 제작하였다. 본 논문에서 제안한 위상 보상 회로를 PCS 주파수 대역 5 W급 RF 전력 증폭기에 적용한 결과, 1.5 MHz의 변조 주파수($10^{\circ}$ 이내의 위상차) 까지에서 최대의 혼변조 개선 효과를 얻었다.

Anti-Phase IMD 선형화 기술을 이용한 W-CDMA 30 W 대전력 증폭기 (W-CDMA 30 Watts High Power Amplifier Using Anti-Phase Intermodulation Distortion Linearization Technology)

  • 강원태;도지훈;장정석;홍의석
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권7호
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    • pp.723-730
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    • 2007
  • 본 논문에서는 구동단의 IMD 특성을 종단의 IMD 특성과 반대의 값을 갖도록 하는 anti-phase IMD 정합 기법을 이용하여 대전력 증폭기의 선형성을 개선하였으며, 이의 설계 과정을 나타내었다. W-CDMA 4FA 입력 신호시 평균 출력 전력 30 W에서 ACLR -55 dBc@5 MHz offset을 얻었으며, 최대 전력 이득을 얻기 위한 최적 정합시와 측정 결과를 비교시, 약 12 dBc 이상 개선되었다. 또한, 평균 출력 전력 50 W에서도 상용 제품 규격을 만족함을 보였다.

Compensation Techniques for TWTA non-linear intermodulation of Satellite WiBro

  • ;이병섭
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제3권1호
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    • pp.15-21
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    • 2008
  • OFDM (직교 주파수 분할 다중화) 신호의 높은 PAPR은 시스템의 송신단에서 전력증폭기의 비선형적 특성으로 인해 비선형 왜곡이 불가피하게 발생한다. 이 현상은 대역 내 왜곡과 대역 외 방사를 초래한다. 본 논문에서는 다항식 (polynomial) 모델에 기반한 사전왜곡(pre-distortion) 기법으로 이러한 문제를 보상하는 기법을 제안한다. 비선형 및 역비선형 다항식 모델 추정은 LSE(Least Square Error) 알고리즘으로 수행한다. 또한 시스템의 성능 향상을 위해 피크제거와 클리핑 결합기법을 이용해 OFDM 신호가 전력증폭기의 포화 영역 근처에서 동작함으로써 발생하는 왜곡된 신호의 진폭을 제거한다.

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광대역 디지털 통신용 저왜곡 전력 증폭기 설계 (Design of Low Distortion Power Amplifier for Wideband Digital Communication)

  • 박현섭;김수경;구경헌
    • 한국항행학회논문지
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    • 제2권2호
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    • pp.116-125
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    • 1998
  • 최근의 이동 통신 시스템용 전력 증폭기는 고전력, 고효율 특성을 가지며 또한 저왜곡 특성을 갖도록 요구되고 있다. 디지털 통신 시스템의 전력 증폭기는 상호 변조와 스펙트럼 재성장에 의한 인접 채널 간섭이 생기게 되며, 특히 광대역 디지털 통신 시스템에서는 인접채널 전력비 특성이 중요하게 이용되고 있다. 전력 증폭기의 통신 시스템에 대한 영향을 분석하기 위해 22Mcps로 대역 확산된 광대역 디지털 변조 신호원을 구현하고, ISM 밴드를 이용한 전력 증폭기를 설계하여 RZ, NRZ등 코딩방법에 따른 전력 증폭기의 비선형 특성인 인접채널 전력비 특성을 비교 시뮬레이션 및 측정하였다.

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저위상 변화 감쇄기를 이용한 RF 자동 이득 조정 증폭기 설계 (The Design of a RF Automatic Gain Control Amplifier with Low Phase Shift Attenuator)

  • 박웅희;장익수;허준원;강인호
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권1호
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    • pp.15-21
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    • 1999
  • 저위상 변화 감쇄기를 이용한 RF 자동 이등 조정 증폭기 설계 방법을 제시하였다. RF 자동 이등 조정 증폭기를 사용함으로써, 증폭기의 출력 레벨을 일정하게 유지할 수 있으며 그 오차는 0.1dB 이하로 하였다. 이러한 장점 외에도, 임의의 RF 입력전력에 대하여 증폭기의 이득을 고정할 수도 있다. 만약 일정한 이득이 얻어진다면 원하는 혼변조 왜곡(IMD: Inter-modulation Distortion)을 얻는데 좀 더 신뢰성 있는 증폭기를 만들 수 있다.

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개인휴대통신을 위한 이동국 RF 수신시스템의 설계 및 성능개선에 관한 연구 (A study on the RF receiving system design and on the performance improvement for PCS mobile station)

  • 오정일;천종훈
    • 전자공학회논문지C
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    • 제34C권11호
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    • pp.66-75
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    • 1997
  • We derive the system design parameters to implement the receiving system for the PCS mobile station to satisfy the J-sTD-018 which is the PCS mobile station(MS) minimum performance. Also we analyze the system performance and intermodulation spurious due to the values of a device cause the system performance degradation, is proposed. The simulation shows the receiver's maximum system noise figure to satisfy the receiver selectivity is approximately 11 dB. While the MS noise figure is 10dB with system margin 1 dB, the minimum selectivity is -71 dB at 1.25MHz frequency offset from the carrier frequency. And the input 3rd order intercept point of the MS class I and the MS class II~V is -9.5 dBm and -14dBm respectively. When the interference power level at the receiver is small, the receiver has better performance as we increase the gain of the LNA. However, when the interference level at the receiver is large, the receiver performance is heavily affected by the spurious as we increase the gain of the LNA. Thus, we proved the effectiveness of the LNA On/Off switching technique as to reduce the effect of the spurious.

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협대역 마이크로파 광전송을 위한 전광 이중 전계흡수 광변조기의 선형특성 (Linearity of All Optical Dual EA Modulator for Narrow-band Microwave Optical Transmissions)

  • 이규웅;한상국
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권6호
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    • pp.87-96
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    • 1999
  • 협대역 마이크로파 아날로그 광전송을 위한, 이중 변조구조를 이용한 새로운 전광 전계흡수 광변조기의 선형화 방법이 제안되었으며, 이론적으로 고찰되었다. 주-변조기와 소자 길이, 흡수층의 밴드갭 파장 그리고 DC 바이어스 전압을 달리하는 부-변조기의 주-변조기와의 이중 변조구조를 적용하여, 주-변조기의 3차 비선형 왜곡 성분인 CTB(composite triple beat distortion)를 최소화하는 동작점이 작은 바이어스전압으로 이동함과 더불어 ~30dB의 CYB의 억제효과를 얻을 수 있었다. CTB의 억제에 따라 협대역 채널 대역에서의 ~20dB 동작영역의 향상을 이룰 수 있었다.

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