In this paper, a high gain-broad bandwidth MMIC distributed amplifier was designed using cascaded single section distributed amplifier configuration. The PHEMT for this studies was fabricated at our lab The PHEMT has a 0.2 $\mu\textrm{m}$ gate length. a 80 $\mu\textrm{m}$ unit gate width and 4 gate fingers. A designed MMIC amplifier have higher S$\sub$21/ gain than the common distributed amplifier using the same number of active devices. From the simulated result, we obtained that the S$\sub$21/ gain of DC ∼ 20 GHz bandwidth was 15.6 dB and flatness was ${\pm}$0.9 dB, and input and output reflection coefficient were lower than -8 dB. The simulated gain shows an improvement 7.3 dB compared with those of conventional distributed amplifier. And the chip size is 2.0 ${\times}$ 1.2 $\textrm{mm}^2$.
Kinect sensor has two output data which are produced from red green blue (RGB) sensor and depth sensor, it is called color image and depth map, respectively. Although this device's prices are cheapest than the other devices for three-dimensional (3D) reconstruction, we need extra work for reconstruct a smooth 3D data and also have semantic meaning. It happened because the depth map, which has been produced from depth sensor usually have a coarse and empty value. Consequently, it can be make artifact and holes on the surface, when we reconstruct it to 3D directly. In this paper, we present a method for solving this problem by using implicit surface representation. The key idea for represent implicit surface is by using radial basis function (RBF) and to avoid the trivial solution that the implicit function is zero everywhere, we need to defined on-surface point and off-surface point. Based on our simulation results using captured face as an input, we can produce smooth 3D face and fill the holes on the 3D face surface, since RBF is good for interpolation and holes filling. Modified anisotropic diffusion is used to produced smoothed surface.
본 논문은 Cortex-M4 기반 STM32 프로세서를 이용한 고속 데이터수집 및 융합 시스템 설계에 대해서 기술하였다. 본 논문에서 설계한 데이터수집 시스템은 산업현장에서 발생되는 각종 데이터를 4 종류까지 실시간으로 수집하여 서버 컴퓨터로 자료를 전송할 수 있으며, 각종 센서와 연결이 간편하여 설치가 간단하고 간편한 필드-프레임을 개발해서 동작 속도를 매우 향상 시켰다. 또한 각종 센서를 쉽게 연결할 수 있도록 디지털 신호 입력부와 아나로그 신호 입력부를 별도로 두어서 서로 다른 센서에서 입력된 신호를 융합할 수 있게 설계되었다. 이러한 융합형 데이터수집 시스템은 실시간으로 각종 데이터의 동시 수집과 모터제어에 잘 동작하였으며 정밀제품의 품질향상에 크게 기여하리라 판단된다.
In this study, the characteristic of a vane pump of automotive power steering system is numerically analyzed. The vane pump changes the energy level of operation fluid by converting mechanical input power to hydraulic output. To simulate this mechanism, moving mesh technique is adopted. As a result, the flow rate and pressure are obtained by numerical analysis. The flow rate agrees well with the experimental data. Moreover, the variation and oscillation of the pressure around the rotating vane are observed. As a result of flow characteristics, The difference of pressure between both side of vane tip causes the back flow into the rotor. As the rotational velocity increases, the flow rate at the outlet and the pressure in the vane tip rises with higher amplitude of oscillation. In order to reducing the oscillation, the design of devices for decreasing the cross-area of the outlet part and returning the flow from the outlet to the inlet is required.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제8권3호
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pp.129-133
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2008
An integrated passive device(IPD) technology by semi-insulating(SI)-GaAs-based fabrication has been developed to meet the ever increasing needs of size and cost reduction in wireless applications. This technology includes reliable NiCr thin film resistor, thick plated Cu/Au metal process to reduce resistive loss, high breakdown voltage metal-insulator-metal(MIM) capacitor due to a thinner dielectric thickness, lowest parasitic effect by multi air-bridged metal layers, air-bridges for inductor underpass and capacitor pick-up, and low chip cost by only 6 process layers. This paper presents the Wilkinson power divider with excellent performance for digital cellular system(DCS). The insertion loss of this power divider is - 0.43 dB and the port isolation greater than - 22 dB over the entire band. Return loss in input and output ports are - 23.4 dB and - 25.4 dB, respectively. The Wilkinson power divider based on SI-GaAs substrates is designed within die size of $1.42\;mm^2$.
본 논문에서는 2개의 입력영상장치를 통해 출력영상장치에 투영되는 실물 객체의 3D 정보를 추출하여 가상의 공간에 실물 객체를 위치한다. 객체는 모두 각 객체간 상호 3D 정보 및 위치정보를 인식함으로써 충돌처리를 유효화 시킨다. 본 논문에서 제안한 실물 객체의 3D 정보 추출 및 충돌처리는 객체간 상호작용에 있어 가장 기본적인 문제이기 때문에 증강현실에 있어서 무엇보다 선결해야 할 문제이다. 따라서 제안된 시스템에서는 이 문제를 해결하여 가상 공간에 존재하는 모든 객체간의 충돌을 유효화 시킴으로써 사용자의 현실감과 몰입감을 증대시킴을 목적으로 한다.
기존에 제안했던 실감가상시작을 위한 햅틱 다이얼 시스템을 개선하여 보다 다양하고 세련된 햅틱 효과를 주는 시스템을 제안한다. 제안된 시스템은 사용자가 실제 제품을 조작하는 듯한 느낌을 얻을 수 있도록 힘의 세기에 따른 사운드의 변화를 주며, 미리 디자인된 햅틱 효과를 GUI부 화면에서 선택하여 실시간으로 변환할 수 있다. 또한 그래픽으로 표현된 햅틱 효과에 대해 힘의 세기나 노치의 간격을 편집할 수 있다. 햅틱 다이얼에는 실제 제품에 사용되는 여러 종류의 다이얼 노브를 탈부착할 수 있어서 사용자가 실제와 같은 느낌을 받을 수 있다. 제안된 시스템은 TCP통신으로 모터부와 GUI부가 정보를 주고받기 때문에 원격 제어가 가능하다. 이 시스템은 햅틱 효과 출력 장치일 뿐만 아니라 입력 인터페이스로 사용될 수 있으므로 그 활용 범위가 넓다.
본 논문에서는 운영체제에서 지원하는 PPP 프로그램이 없는, 즉 별도의 운영체제를 사용하지 않는 임베디드 시스템에서 글로벌스타 인공위성 모뎀을 이용하기 위한 PPP 프로그램을 작성하였다. 글로벌스타를 포함한 오브컴, 인말샛과 같은 많은 위성통신 시스템은 데이터 링크 구현을 위하여 그 자체의 인터페이스를 제공하고 있다. 글로벌스타 위성 시스템과 데이터 링크를 구현하기 위해서는 글로벌스타 위성에서 사용하는 PPP를 사용해야 한다. 따라서 본 논문에서는 임베디드 프로세서 기반의 PPP를 구현하였으며, 이와 더불어 사용자 단말 장치를 개발하였다. 사용자 단말 장치는 다양한 응용분야에 사용될 수 있도록 여러 가지 입출력 장치 및 센서를 장착하여 설계 및 실현하였다. 실험 테스트를 통하여 이와 같이 구축된 모든 시스템은 글로벌스타 데이터 링크를 통해서 잘 동작함을 확인한다.
본 논문은 $0.13{\mu}m$ 기술의 디자인을 10% 축소하는데 기존의 로직 디바이스만의 축소와는 달리 로직뿐 아니라 입, 출력 회로의 축소에 관한 것이다. 게이트 산화막(1.2V)을 decoupled plasma nitridation(DPN) oxide로 변경함으로써 flicker 노이즈를 축소 전 공정에 비해 1/3-1/5배 감소됨을 확인하였다. 또한, 축소에 의한 피할 수 없는 문제는 일반적인 metal insulator metal(MIM)의 캐패시터 문제이다. 이를 해결하기 위하여 20% 높은 MIM 캐패시터($1.2fF/{\mu}m^2$)를 개선하고 그 특성을 평가하였다.
A cellular power amplifier using an APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)-grown SiGe base HBT of ETRI has been designed with a linear simulation CAD. The Si/SiGe HBT with an emitter area of 2$\times$8${\mu}{\textrm}{m}$$^2$typically has a cutoff frequency(f$_{T}$) of 7.0 GHz and a maximum oscillation frequency(f$_{max}$) of 16.1 GHz with a pad de-embedding A packaged power Si/SiGe HBT with an emitter area of 2$\times$8$\times$80${\mu}{\textrm}{m}$$^2$typically shows a f$_{T}$ of 4.7 GHz and a f$_{max}$ of 7.1 GHz at a collector current (Ic) of 115 mA. The power amplifier exhibits a Forward transmission coefficient(S21) of 13.5 dB, an input and an output reflection coefficients of -42 dB and -45 dB respectively. Up to now the III-V compound semiconductor devices hale dominated microwave applications, however a rapid progress in Si-based technology make the advent of the Si/SiGe HBT which is promising in low to even higher microwave range because of lower cost and relatively higher reproducibility of a Si-based process.ess.ess.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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