Numerical modeling for thickness uniformity improvement of ICP-CVD $SiO_2$ by optimization of gas inlet position
(Gas 주입구 위치 변화에 따른 ICP-CVD $SiO_2$ 의 두께 균일도 개선 모델링)
-
- Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
- /
- 2007.04a
- /
- pp.97-98
- /
- 2007