Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

Numerical modeling for thickness uniformity improvement of ICP-CVD $SiO_2$ by optimization of gas inlet position

Gas 주입구 위치 변화에 따른 ICP-CVD $SiO_2$의 두께 균일도 개선 모델링

  • 김영욱 (군산대학교 신소재 나노화학 공학부) ;
  • 양원균 (군산대학교 신소재 나노화학 공학부) ;
  • 고석일 (군산대학교 신소재 나노화학 공학부) ;
  • 주정훈 (군산대학교 신소재 나노화학 공학부)
  • Published : 2007.04.05
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Abstract

$SiH_4-Ar-O_2$ ICP-CVD에서 증착된 $SiO_2$막의 두께 균일도를 개선시키기 위해 반응가스 주입구의 위치가 두께 균일도에 영향을 주었을 것으로 예상하고, CFD-ACE를 이용하여 2차원 모델링을 하여 최적데이타를 도출하였다.

Keywords