• 멤브레인
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• 제22권6호
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• pp.435-440
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• 2012

본 연구에서는 용매열합성법(solvothermal method)을 이용해 나노기공 HKUST-1 분리막을 제조하였다. In-situ 용매열합성법을 이용하는 경우, 매크로 기공의 알루미나 지지체 위에 균일하고 균열이 없는 HKUST-1 층을 형성하기 어렵다. 본 연구에서는 용매열합성 전에 알루미나 지지체의 표면을 가열한 상태에서 용매열합성의 전구체 용액을 분무하므로 연속적이고 균열이 없는 HKUST-1 분리막을 제조할 수 있었다. 합성된 HKUST-1 분리막은 XRD, FE-SEM 및 단일 기체투과 실험 등을 통해 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.104-108
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• 2015

Al thin films were deposited on TiN/Si(100) via metal-organic chemical vapor deposition using N-methylpyrrolidine alane as a precursor. Characterization of the deposited films were investigated with SEM, XRD, ${\alpha}$-step, AFM, 4-point probe. The early stage of Al thin film deposition was analyzed by in-situ surface reflectance measurement with laser and photometer apparatus. The surface reflectance were changed greatly during the initial 30~40 seconds. There were two increases and two decreases in the surface reflectance, thus the sequence of Al films were deposited at 8 significant points of the surface reflectance change. Surface topograph and cross-sectional view of each film were analyzed with SEM. Al films were grown in the complex mechanism of Volmer-Weber and Stranski-Krastanov process.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.861-864
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• 2000

Ferroelectric thin film capacitors with high dielectric constant are important for the application of memory devices. In this work, thin films of PLT(28)(Pb$\sub$0.72/La$\sub$0.28/Ti$\sub$0.93/O$_3$) were fabricated on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates in-situ annealing and ex-situ annealing have been compared depending on the annealing time. We have systematically investigated the variation of grain sizes depending on the condition of post-annealing and the variation of deposition rate. C-V measurement, ferroelectric properties, leakage current and SEM were performed to investigate the electrical properties and the microstructural properties of Pb(La,Ti)O$_3$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.461-466
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• 2006

To investigate the ZnO thin films which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, the ZnO thin films were deposited by RF sputtering system. At sputtering process of ZnO thin films, substrate temperature, work pressure respectively is $100^{\circ}C$ and 15 mTorr, and the purity of target is ZnO 5 N. The ZnO thin films were in-situ annealed at $600^{\circ}C$ in $O_2$ atmosphere. The thickness of ZnO thin films has implemented about $1.6{\mu}m$ at SEM analysis after in-situ annealing process. We have investigated the crystal structure of substrates, and so structural properties of ZnO thin films has estimate by using XRD, FWHM, FE-SEM and AFM. XRD and FE-SEM showed that ZnO thin films grown on substrates had a c-axis preferential orientation in the [0001] crystal direction. XPS spectra showed that ZnO thin film was showed a peak positions corresponding to the O1s and the Zn2p. As form above XPS, we showed that the atom ratio of Zn:O related 1:1.1504 on ZnO thin film, so we could obtained useful information for p-type ZnO thin film.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.149-149
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• 2013

반도체 공정 및 디스플레이 공정에서 발생하는 오염입자는 공정 불량을 일으키는 가장 큰 인 중의 하나이며, 수십 나노에서 수 백 나노의 크기를 갖는다. 최근 반도체 산업이 발전함에 따라 회로의 선폭이 점차 감소하고 있으며 오염입자의 임계 직경(critical diameter) 또한 작아지고 있다. 또한 디스플레이 산업에서는 패널이 대형화되고 공정이 발달함에 따라 입자에 의한 패널 오염이 이슈가 되고 있는 실정이다. 현재 반도체 및 디스플레이 산업에서 사용되는 측정방법으로는 레이저를 이용하여 공정 후 표면에 남아있는 오염입자를 측정하는 ex-situ 방법이 주를 이루고 있다. Ex-situ 방법을 이용한 오염입자의 제어는 웨이퍼 전체를 측정할 수 없을 뿐만 아니라 실시간 측정이 불가능하기 때문에 공정 모니터링 장비로 사용이 어려우며 오염입자와 공정 간의 상관관계 파악에도 많은 제약이 따르게 된다. 이에 따라 저압에서 in-situ 방법을 이용한 실시간 오염입자 측정 기술 개발이 요구되고 있다. 또한 입자의 크기 뿐 아니라 성분과 형상까지 측정할 수 있는 장치의 개발 요구가 높아지고 있는 실정이다. 이를 위해 입자의 크기 및 분포를 측정할 수 있는 Particle Beam Mass Spectrometer (PBMS)와 형상을 측정할 수 있는 Scanning Electron Microscope (SEM)의 기능을 통합하여 실시간으로 나노입자의 복합특성(크기, 성분, 형상)을 측정할 수 있는 장치를 개발하였다. 또한 기존 장치들의 문제점 중 하나가 실시간으로 교정이 불가능하다는 것이었는데 이 장치의 경우 실시간으로 측정되는 결과의 조합으로 실시간 교정까지도 가능한 장점을 가지고 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제37권3호
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• pp.137-145
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• 2004

This study surveys the microscopic wear of CVD TiN coatings in repeated sliding, using the SEM Tribosystem as in-situ system. According to the research, the depth of wear groove and the specific wear amount are changed by the transition of the microscopic wear mode. This investigation leads to the fact that the change of wear characteristics produces the transition of the wear mode. In this survey, four modes are observed for CVD TiN coatings with the thickness of 1.6$\mu\textrm{m}$: ploughing, powder formation, flake formation and coating delimitation. The microscopic wear properties is quantitatively evaluated in terms with the microscopic wear mode and the specific wear amount. These relationships prove that the observation of wear modes with a SEM Tribosystem is useful to evaluate wear properties.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권5호
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• pp.225-229
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• 2015

본 연구에서는 Mn-Co-Ni 삼성분계로 이루어진 NTC 서미스터의 cubic 스핀넬 결정구조의 변화를 고찰하고자 하였다. Mn, Co, Ni로 이루어진 산화물 원재료 분말들을 혼합하고 건조한 후 In-situ XRD 장비를 이용하여 공기분위기에서 상온부터 $1400^{\circ}C$까지 가열하면서 발생하는 결정구조 변화를 분석하였다. In-situ XRD 분석 결과 cubic 스핀넬 구조는 $900^{\circ}C$부터 존재하는 것을 확인할 수 있었으나, 온도가 $1300^{\circ}C$ 이상으로 올라갔을 때는 스핀넬 결정구조로부터 NiO의 상분리 현상이 발생하기 시작함을 관찰할 수 있었다. 이러한 NiO 상의 분리가 고온에서의 NTC 서미스터의 결정성 감소의 원인임을 알 수 있었으며, 제작된 NTC 서미스터의 표면을 FE-SEM을 이용하여 관찰하여 양품과 불량품의 차이를 분석하였다.

• Elastomers and Composites
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• 제44권1호
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• pp.34-40
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• 2009

In situ 미니에멀젼 중합으로 실리카/폴리스타이렌 하이브리드 나노복합체를 만들기 위하여 9-데세노 산을 실리카 표면 개질제로 처음 도입하였다. 복합체는 나노크기의 잘 분산된 실리카를 함유하고 있었다. 실리카의 표면 개질 및 폴리스타이렌의 합성 등은 FTIR로 확인하였고 생성 라텍스 중에 존재하는 실리카의 양은 TGA 분석으로 확인하였다. 생성된 하이브리드는 실리카의 양 증가에 따라 유리전이온도가 상승하였다. SEM과 TEM으로 확인한 결과 하이브리드 복합체는 평균 직경이 55 nm 정도로 나타났다. 복합체내의 실리카의 존재는 EDS와 연결된 TEM 등으로 확인되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권4호통권37호
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• pp.281-287
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• 2005

공정조성의 SnPb 솔더 선형시편에서 electromigration 현상을 실시간 주사전자현미경을 이용하여 관찰하였다. 공정조성 SnPb 솔더시편에 대한 electronigration 실험은 ${\times}10^4A/cm^2,\;90^{\circ}C$에서 실시하였다. 주사전자현미경 챔버 내에서 진행되는 electromigration 실험 동안 음극의 보이드 형성과 양극의 힐록 성장을 실시간으로 관찰하였다. 음극에서 일어나는 보이드 크기를 실시간 관찰한 결과, 공정조성 SnPb 솔더의 electromigration 거동은 보이드 형성 전에 가지는 잠복기의 존재를 명확히 알 수 있었고, 본 결과는 electromigration 거동으로 인한 플립칩 솔더 범프의 보이드 생성에 대한 잠복기와 관련이 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권3호
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• pp.263-268
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• 1999

본 연구에서는 Al-기지 복합재료의 새로운 개념과 in-situ 공정의 가능성을 Al-Ti계의 연구결과들을 토대로 제시하고자 하였다. 가스아토마이제이션법에의해 $Al_3Ti$가 미세한 편상형상을 갖도록 Al-10%Ti 조성의 합금분말을 제조하고, 고온 압출 공정을통하여 25V/o $Al_3Ti/Al $ 복합재를 제조하였다. 복합재의 미세구조를 광학현미경, SEM, TEM 등을 이용하여 조사하였고, 상온과 고온에서의 기계적 특성을 인장시험을 통하여 측정하였다. 제조된 복합재료의 미세구조 및 고온 기계적 성질을 상용되고 있는 $SiC_w/2124$ 복합재료와 유사한 거동을 보여준다. 제조된 $Al_3Ti/Al$ 복합재료의 장점과 단점이 물성향상의 가능성과 더불어 제시되었다.