본 논문에서는 PCB Plane 레이어가 SMPS에 미치는 영향을 확인하기 위하여 일반적인 단면 PCB와 Plane을 갖는 양면 PCB를 이용한 SMPS의 출력특성을 각각 분석하였다. 그 이후 동일한 레이아웃을 갖는 PCB의 반대 면에 Ground Plane을 설치한 양면PCB를 이용하여 SMPS 기판을 작성하여 단면 PCB SMPS에 적용해서 분석한 모든 부품을 이동 실장한 후 두 SMPS의 출력특성을 전압, 전류, 고주파잡음 측면에서 비교 분석하였다. 그 결과 단면PCB의 SMPS는 100MHz대역의 고주파 잡음이 150mV인 반면, Ground Plane을 설치한 SMPS에서는 50mV로 1/3 저감되는 현상을 확인하였다. 그리고 고주파 잡음 성분 또한 감소됨을 확인하였다.
일반적으로 LED 제작에 사용되는 c-plane GaN는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받게 된다. 분극은 LED내 양자우물의 밴드를 기울게 하여 그 결과 전자와 홀의 재결합 확률을 감소시켜 낮은 내부양자효율을 가지게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위한 여러 가지 방법들이 제시되었는데 그 중에서도 특히 a-plane 혹은 m-plane면과 같은 무분극 면을 사용하는 GaN LED가 주목받고 있다. 그 이유는 무분극 면은 분극이 발생하는 c축과 수직이기 때문에 분극의 영향을 받지 않아 높은 내부 양자효율을 가질수 있다. 본 연구에서는 MOCVD 장비를 사용하여 2인치 r-plane 사파이어 기판위에 3um두께의 a-plane GaN을 성장하였다. 그위에 2um정도로 Si을 도핑하여 n-type GaN 형성한후 단일 양자우물, 그리고 Mg을 도핑하여 p-type GaN을 성장하였다. 장파장대역의 a-plane LED의 특성을 알아보기 위해서 양자우물 형성시 In의 조성비를 높였다. 일반적인 포토리소그래피 공정과 Dry etching 공정을 사용하여 메사구조를 형성하였으며 Ti/Al/Pt/Au와 Ni/Au를 각각 n-type과 p-type의 전극 물질로 사용하였다. 제작된 LED의 특성을 파악하기 위해서 인가전류를 0부터 100mA까지 출력 스펙트럼을 측정하였으며 orange대역의 파장을 갖는 LED를 얻었다. 인가전류별 Peak 파장의 변화와 반측폭의 변화를 파악하여 장파장 대역의 a-plane LED의 특성을 확인하였다.
Prediction of the sop tissue changes following hard tissue movements is very important in the preoperative analysis of surgical changes of the patient who have orthognathic surgery. This study examined post operative changes of the mid-facial sop tissues in Koreans depending upon two major positional changes of the maxilla following Le Fort - I type osteotomy for orthognathic purposes. Sixty patients(41 males and 19 females) of Koreans were selected and divided into two groups according to directional change of movement of anterior bony structures of the Maxilla as follows : Group I (44 patients) was mooed anteriorly and/or inferiorly, and Group II (16 patients) was mooed posteriorly and/or superioly. Postoperative changes of the sop tissue measurements following hard tissue changes were examined on pre - and post - operative cephalometrics by means of computerized digitation methods and the ratios of changes were analysed. The results were obtained as follows : 1. In Group I, all of the sop tissue measures except the Pn was closely followed by the changes of the hard tissue measures in the horizontal plane, but the Sn and the Cm were only correlated to the vertical changes(p<0.001). In group II, all of the sop tissue measures excluding of the N' and the Pn were significantly correlated to the hard tissue measures in horizontal plane(p<0.001), but the Ls and Stm were only correlated relatively to the vertical changes of the ANS(p<0.01). 2. Predictable ratio of the Sn was 66% of the ANS or 56% of the A in the horizontal plane and 89% of the A in the vertical plane in Group I. In Group II, the Sn was predictable as 85% of the ANS or 70% of the A in the horizontal plane but was not predictable in vertical plane. 3. Predictable ratio of the Cm was 28% of the ANS or 50% of the A in the horizontal plane and 56% of the ANS or 36% of the A in the vertical plane in Group I. In Group II, the Cm was predictable horizontally as 74% of the A. Predictable ratio of the Pn was 30% of the ANS or 38% of the A in horizontal plane in Group I, but it was not predictable both horizontally and vertically in Group II. 4. Predictable ratio of the Ls was 52% of the Pr in Group I and 77% in Group II in the horizontal plane. The Stm was predictable as 34% of the pr or 22% of the I in the horizontal plane in Group I, and was also predictable as 55% of the pr or 68% of the I horizontally and 21% of the pr or 65% of the I vertically in Group II. 5. All ratios of change in the thickness. length and area of the upper lip following maxillary movement were statiscally correlated, however, mangitudes of them were meaningful clinically.
본 논문에서는 다양한 기판 집적 도파관 전송선 두께를 가지는 시스템에 적용을 위해서 천공된 기판 집적 도파관 다단 E-plane 변환기를 제안한다. 본 제안 구조는 ${\lambda}_g/4$ 임피던스 변환기 원리를 적용하여 ${\lambda}_g/4$ 길이 내에 천공을 삽입한다. 천공된 기판 집적 도파관은 도파관 내부의 낮아진 capacitance를 통해 특성 임피던스가 증가되어 E-plane 변환기로 구현된다. 또한, 체비셰프 다항식을 적용하여 구현한 천공된 기판 집적 도파관 다단 E-plane 변환기는 대역폭을 개선하였다. 천공된 기판 집적 도파관 2단 E-plane 변환기는 11.45~13.6 GHz의 주파수 대역에서 삽입 손실 $1.57{\pm}0.11$ dB, 입력 반사 손실은 15 dB 이상으로 나타났다.
본 논문에서는 차단 영역 도파로로 구현된 협소한 형태의 H-plane slot을 이용하여 다수의 감쇄극을 가지는 반파장 partial H-plane filter를 제안하였다. 협소한 형태의 H-plane slot은 대역 통과 필터의 어드미턴스 인버터 역할을 하는 동시에 특정 주파수에서 공진을 발생시킨다. 따라서 제안된 필터는 어떠한 부가적인 coupling이나 추가적인 구조의 변형 없이 저지 대역에서 감쇄극을 가지는 간단한 구조로 구현되고, 감쇄극 수는 인가되는 slot의 수만큼 발생된다. 제안된 필터는 일반적인 도파로의 1/4의 단면적을 가지는 partial H-plane waveguide로 설계되므로 소형화에 유리하다 저지 대역에서 각각 4개와 5개의 감쇄극을 갖는 3단과 4단 반파장 대역 통과 필터를 H-band에서 설계하여, 이론적 주파수 응답 특성이 실험적 응답 특성과 잘 일치함을 확인하였다.
이전의 preadjusted appliance 개발을 위한 치관경사도의 계측에 있어서는 교합평면을 계측기준으로 사용했는데, 교합평면은 Spee 만곡으로 인해 브라켓 부착점들을 연결하는 선(Andrews' plane)에 평행하지 않은 문제점이 있었다. 따라서 본 연구에서는 Spee 만곡에 영향받지 않으며, Andrews' plane에 보다 평행한 계측기준으로 각각의 구치의 근, 원심측 변연융선을 잇는 가상선을 설정하고, 이를 변연융선평면으로 명명하였다. 교합평면과 변연융선평면으로부터 각각 정상교합자의 구치부 치관경사도를 계측하여 비교한 결과 교합평면을 기준으로 한 치관경사도가 특히 상, 하악 제 1소구치(P<0.05) 및 제 2대구치(P<0.01)에서 Spee 만곡의 영향을 받음을 발견하였다. 구치부 치아들의 치관경사도는 Spee 만곡의 양에 따라 변해야만 인접치간 변연융선의 불일치가 생기지 않는다. 이전의 연구들에서는 다소의 Spee만곡을 갖는 정상교합자 표본에서 교합평면을 기준으로 계측한 치관경사도를 Spee 만곡이 없는 교합평면이 치료 목표의 일부인 bracket system에 적용하는 오류가 있었다. 이러한 치관경사도와 Spee 만곡 사이의 부조화는 Spee만곡이 straight wire에 의해 완전히 leveling되었을 때 변연융선 불일치를 초래할 수 있다. 이를 해결하기 위해서는 구치부 브라켓 slot이 변연융선평면에 평행하도록 브라켓 경사도를 결정하는 것이 추천된다.
The properties of Ni/Au Ohmic contacts formed on nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate with different tilt angles are investigated using current-voltage (I-V) measurements. To investigate the effects of pattern direction and size on Ohmic contact properties of a-plane GaN, transmission line method (TLM) patterns are formed either along c-axis and m-axis on nonpolar GaN surface with different size. I-V measurement results show that the size of TLM pattern and formation direction of electrode have an effect on the electrical properties of a-plane GaN. The large sized patterns show the relatively lower sheet resistance compared to the small sized patterns. In addition, the sheet resistance of a-plane GaN along m-axis shows lower values than that along the c-axis. Finally, the effects of miscut angle of r-sapphire substrate ($0.2^{\circ}$, 0.4oand $0.6^{\circ}$) on electrical properties of a-plane GaN will be discussed.
Plane sweep is a general method in computational geometry. There are many efficient theoretical algorithms designed using plane sweep technique. However, their practical implementations are still suffering from the topological inconsistencies resulting from the numerical errors in geometric computations with finite-precision arithmetic. In this paper, we suggest new implementation techniques for the plane sweep algorithms to resolve the topological inconsistencies and construct the planar object boundaries from given input curve segments.
We investigate the containment measure of one domain to contain in another domain in a plane $X^{\kappa}$ of constant curvature. We obtain some Bonnesen-type inequalities involving the area, length, radius of the inscribed and the circumscribed disc of a domain D in $X^{\kappa}$.
In this paper, we study the instantaneous geometric properties of motion of rigid bodies in the Lorentzian plane. For this purpose we define Lorentzian form of Bottemas instantaneous invariants. In these regards, we obtain the necessary and sufficient condition of a Lorentzian plane to be at Cardan position with respect to these invariants.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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