The dielectric and piezoelectic properties in which $(Zr_{0.52} Ti_{0.48})^{+4}$ ions of $Pb(Zr_{0.52} Ti_{0.48})O_3$ are partially substituted for $W^{+6}$ ions were studied. $ZrTiO_4$ was made by coprecipitation. The specimens of disc shape were sintered respectively at 1180$^{\circ}$to 130$0^{\circ}C$ at an intervals of 2$0^{\circ}C$ for 1 hour. The optimum sintering temperature were found to be between 126$0^{\circ}C$ and 128$0^{\circ}C$. PZT solid solutions sintered had the tetragonal structure with c/a=1.025$\pm$0.005 and theoretical densities incre-ased from 8.02 to 8.17g/cm3 with increasing the amount of the partial substitution of $(Zr_{0.52} Ti_{0.48})^{+4}$ ion for $W^{+6}$ ion The grain size and curie temperature decreased with increasing the amount of $WO_3$ while the dielectric constant increased. When $(Zr_{0.52} Ti_{0.48})^{+4}$ ion was substituted for 1 mole% of $W{+6 ]$ion the planar coupling coefficient$(K_P)$ was as high as 0.58 But as the amount of $WO_3$ increased the mechanical quality factor(Qm) decreased considerably.
The samples of Bi2Sr2Ca1-xNaxCu2O8+y with various carrier concentration were synthesized by substituting Na for Ca ion. The superconducting properties hall coefficients and X-ray powder diffraction were measur-ed the sampled. Single phase samples were obtained for 0$\leq$x<0.3 of Bi2Sr2Ca1-xNaxCu2O8+y In the single phase the critical temperature. {{{{ { T}_{c } }} and carrier concentration increase with the increase of Na concentration pass through a maximum and then decreases. In the range of x$\geq$0.7 to the Na doped samples however we observed the metal-semiconductor transition. The c-axis seemed to decrease and a and b-axes increase with increasing Na concentration in the single phase. Decreasing of c-axis while increasing x is due to the smaller size of {{{{ {Na}^{+1 } }} ions to the {{{{ { Ca}^{+2 } }} ions. In the range of x>0.3 however the trend becomes ambiguous due to the inclusion of the 10K phase and impurity phase.
Obaid Obaidullah;RuiXuan Zhao;XiangCao Li;ChuBin Wan;TingTing Sui;Xin Ju
Nuclear Engineering and Technology
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제55권8호
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pp.2879-2888
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2023
In fusion environments, large scales of helium (He) atoms are produced by a radical transformation along with structural damage in structural materials, resulting in material swelling and degradation of physical properties. To understand its irradiation effects, this paper investigates the stability, electronic structure, energetics, charge density distribution, PDOS and TDOS, and diffusion processes of He impurities in 6HSiC materials. The formation energy indicates that a stable, favorable position for interstitial He is the HR site with the lowest energy of 2.40 eV. In terms of vacancy, the He atom initially prefers to substitute at pre-existing Si vacancy than C vacancy due to lower substitution energy. The minimum energy paths (MEPs) with migration energy barriers are also calculated for He impurity by interstitial and vacancy-mediated diffusion. Based on its calculated energy barriers, the most possible diffusion path includes the exchange of interstitial and vacancy sites with effective migration energies ranging from 0.101 eV to 1.0 eV. Our calculation provides a better understanding of the stabilization and diffusion behaviors of He impurities in 6H-SiC materials.
Chlorite from the talc deposits in the Chungnam area, Korea, has been studied using electron microprobe analysis and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), Talc orea are hydrothermal alteration products of serpentinite which was originated from ultramafic rocks. Chlorite occurs in close association with talc ores of with the black alteration zone between talc ore bodies and granitic gneiss. It is the most abundant impurity mineral of talc ores. Chlorite in association with talc is characterized by very high but narrow variation in Mg/(Mg+Fe) ratios (0.784~0.951), significant octahedral substitution (-0.200~0.692), wide variation in Al contents (1.085~3.160 / 14 oxygens), and high Cr and Ni contents. It was formed under a very limited but high Mg/(Mg+Fe) condition in close connection with serpentinite. Chlorite in the black alteration zone is characterized by a high Fe content, wide variation in Mg/(Mg+Fe) ratios (0.378~0.852), narrow octahedral substitution (-0.035~0.525), high narrow Al contents (1.468~2.959), and low Cr and Ni contents. It was formed under a low Mg/(Mg+Fe) and relatively Al-rich condition in close connection with county rocks. Two different chemical modes for chlorite suggest two different origins for two different chlorites. Although most of chlorites show typical 14-$\AA$ lattice fringe images under HRTEM, some chlorites show fringe images of 21-$\AA$ (14$\AA$+7$\AA$) spacings within (001) lattice-fringe images of chlorite (14$\AA$). But brown chlorite from the black zone has high Ti and K contents suggesting that mica was the precursor of brown chlorite. Such possibility is also supported by the fact that lattice-fringe images of brown chlorite show 14-$\AA$ chlorite layers in which 10-$\AA$ mica single layer or packets are interlayered. Partial terminations from 3 mica layers to 2 chlorite layers are often observed. It, therefore, is suggested that the chlorite associated with talc ores is a hydrothermal alteration products of serpentinite, whereas the chlorites in the black alteration zone is a hydrothermal alteration product of granitic gnesis under a partial influence of serpentinite.
갈륨은 주로 산화물 반도체용 타겟이나 LED 칩을 만드는 중요한 소재로 사용하고 있는데 아직까지 폐기물로부터 재자원화에 의한 순환량이 매우 낮다. 이로 인해 갈륨을 함유하고 있는 대부분의 폐자원은 해외로 유출되고 원재료는 수입에 의존하고 있다. 따라서 희유금속인 갈륨을 함유하고 있는 저품위 갈륨으로부터 갈륨을 회수하여 고순도화하는 방법을 연구 하였다. 전처리 과정으로 스크랩을 미분쇄하여 산으로 침출하였다. 침출액내 인듐은 치환으로 석출시켜 분리한 후 알칼리를 사용하여 갈륨과 아연을 수산화물로 침전시켜 여과 분리하였다. 갈륨과 아연수산화물을 알칼리용액으로 침출시켜 전해액을 제조하였고 전해채취로 갈륨과 아연메탈을 회수하였다. 갈륨과 아연은 진공정제를 통하여 아연을 제거하고 고순도의 갈륨을 회수하였다.
Ni-W(1-5 at.%) alloy rods were made by powder metallurgy process including powder mixing, compacting and subsequent sintering. Ni and W powder of appropriate compositions were mixed by a ball milling and isostatically pressed in a rubber mold into a rod. The compacted rods were sintered at $1000^{\circ}C-1150^{\circ}C$ at a reduced atmosphere for densification. The lattice parameters of Ni-W alloys were estimated by a high resolution neutron powder diffractometer. All sintered rods were found to have a face centered cubic structure without any impurity phase, but the diffraction peak locations were linearly shifted with increasing W content. The lattice parameter of a pure Ni rod was $3.5238{\AA}$ which is consistent with the value reported in JCPDS data. The lattice parameter of N-W alloy rods increased by $0.004{\AA}$ for 1 atomic % of W, which indicates the formation of a Ni-W solid solution due to the substitution of nickel atoms by tungsten atoms of larger size.
ITO glass 제조공정에서 발생되는 인듐스크랩으로부터 인듐옥살산염의 제조에서 유기산의 영향을 연구하였다. 유기산의 종류, 농도 그리고 반응액의 pH, 온도, 시간 등을 변화시키면서 인듐옥살산염 제조에 미치는 영향을 조사하였다. 불순물 제거 효율은 구연산 및 옥살산 모두 비슷하였으나 구연산은 인듐과 유기산염을 형성하지 못하였다. 인듐옥살산염 제조의 최적 조건은 옥살산 농도 1.5M, pH 7, 반응온도 $80^{\circ}C$, 반응시간 6시간이었다. 한편, pH가 증가하면 회수율은 증가하지만, 순도는 감소하였다. 2회 반복으로 제조된 인듐옥살산염의 순도는 99.995% (4N5)를 나타내었다. 인듐옥살산염은 치환반응, 소성 등에 의해 인듐금속 및 인듐산화물 등으로 전환할 수 있다.
$Li_{0.44}MnO_2$양극재료는 리튬의 삽입과정에서 높은 가역성을 가지며 과충전이나 과방전 과정에서 쉽게 손상되지 않는다. $Mn_2O_3$가 불순물로 자주 나타나며 전기화학적으로 비활성이기 때문에 전극의 전기화학적 용량을 감소시킨다. 잉여의 NaOH 첨가는 $Mn_2O_3$를 X선 회절에 검출되지 않는 정도로 낮추었다. 용량 증가는 큰 단위세포를 가지는 양극재료에서 얻어질 수 있으므로, 망간의 일부를 이온반경이 큰 티타니움으로 치환하였으며, $Li_{0.44}T_{iy}Mn_{1-y}O_2$(여기서 y = 0.11, 0.22, 0.33, 0.44, 0.55) 조성의 분말들을 합성하여 특성을 평가하였다. ECPS 실험결과 $Li/P(EO)_8$LiTFSI/$LixTi_{0.22}Mn_{0.78}O_2$전지에서 150 mAh/g 최대가역용량 값이 얻어졌다. 티타니움이 치환된 망간산화물을 사용한 전지는 충방전당 0.12 %나 그 이하의 용량감소율을 나타내었다.
Vinay Kumar Banka;Young Ju Kim;Yun-Sang Lee;Jae Min Jeong
대한방사성의약품학회지
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제6권2호
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pp.75-91
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2020
[99mTc]Tc-Hexamethylpropylene amine oxime (HMPAO) is currently used as a regional cerebral blood flow imaging agent for single photon emission computed tomography (SPECT). The HMPAO ligand exists in two isomeric forms: d,l and meso showing different properties in vivo. Later studies indicated that brain uptake patterns of 99mTc-complexes formed from separated enantiomers differed. Separation of enantiomers is difficult by fractional crystallizations method. Usually, the substance is obtained in low chemical yield in a time-consuming procedure. Furthermore, the final product still contains some impurity. So we have developed new efficient route for synthesis of R,R- and S,S-HMPAO enantiomeric compounds in 6-steps. Nucleophilic substitution (SN2) reactions of 2,2-dimethylpropane-1,3-diamine either with S- (1a) or R-methyl2-chloropropanoate (1b) were performed to produce compounds R,R- (2a) or S,S-isomer (2b) derivatives protected with benzylchloroformate (Cbz), respectively. And then Weinreb amide and methylation reaction using Grignard reagent, oxime formation with ketone group and deprotectiion of Cbz group by hydrogenolysis gave S,S- (7a) or R,R-HMPAO (7b), respectively. Entaniomeric compounds were synthesied with high yield and purity without any undesired product. The 7a or 7b kits containing 10 ㎍ SnCl2-2H2O were labeled with 99mTc with high radiolabeling yield (90%).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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