• 한국염색가공학회지
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• 제6권2호
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• pp.24-29
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• 1994

In order to investigate the crystallization in silk fibroin induced by acid treatment and its photo-yellowing reduction effect. silk fibroin were immersed in PH 3.5~4.0 sulfuric acid and 0.01N hydro-chloric acid at 2$0^{\circ}C$, and the changes of crystallinity were measured by infrared spectroscopy, X-ray diffraction. Yellowness index caused by UV irradiation were also observed. The results are as follows : 1. ${\beta}$-form transition occurs when the silk fibroin are immersed at 2$0^{\circ}C$ in pH 3.5~4.0 sulfuric acid and 0.01N hydro-chloric acid. Formation of new hydrogenbond in molecules on the amorphous region induced ${\beta}$-form structure, and increased crystallinity. 2. Crystallization owing to $\beta$-form transition reduced the initial yellowness index by ultraviolet irradiation.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제6권1호
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• pp.37-50
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• 1980

Scanning Electron Microscopic (SEM) examination on the labial surface of 91 permanent upper incisors were made after etching procedure with phosphoric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydro chloric acid, oxalic acid, formic acid, citric acid and zinc phosphate liquid for 2 minutes. Following results were obtained. 1. In the surfaces etched by 10%. 50% phosphoric acid, 50% sulfuric acid, 10%. 30% nitric acid, 10%. 50% oxalic acid, 10%. 30%. 50% formic acid, 30%. 50% citric acid and zinc phosphate liquid, there appeared to be a preferential removal of prism cores, but in the surfaces etched by 10% phosphoric acid, 50% nitric acid, 10%. 30% hydrochloric acid and 30% oxalic acid, the prism peripheries were removed preferentially. 2. According to Silverstone classification on enamel etching pattern the surface treated by zinc phosphate liquid, 30. 50% citric acid, 10%. 30%. 50% formic acid, 10%. 50% oxalic acid, 10%. 30% nitric acid, 50% sulfuric acid and 10%. 50%. phosphoric acid showed Type 1, and etched by 30% oxalic acid, 10%. 30% hydrochloric acid, 50% nitric acid and 10% phosphoric acid showed Type II. Etching of prism cores was by far the most common occurence. The changes produced could be related to intrinsic differences in histology and / or solubility of enamel.

• 자원리싸이클링
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• 제23권6호
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• pp.63-67
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• 2014

갈륨은 주로 산화물 반도체용 타겟이나 LED 칩을 만드는 중요한 소재로 사용하고 있는데 아직까지 폐기물로부터 재자원화에 의한 순환량이 매우 낮다. 이로 인해 갈륨을 함유하고 있는 대부분의 폐자원은 해외로 유출되고 원재료는 수입에 의존하고 있다. 따라서 희유금속인 갈륨을 함유하고 있는 저품위 갈륨으로부터 갈륨을 회수하여 고순도화하는 방법을 연구 하였다. 전처리 과정으로 스크랩을 미분쇄하여 산으로 침출하였다. 침출액내 인듐은 치환으로 석출시켜 분리한 후 알칼리를 사용하여 갈륨과 아연을 수산화물로 침전시켜 여과 분리하였다. 갈륨과 아연수산화물을 알칼리용액으로 침출시켜 전해액을 제조하였고 전해채취로 갈륨과 아연메탈을 회수하였다. 갈륨과 아연은 진공정제를 통하여 아연을 제거하고 고순도의 갈륨을 회수하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제18권6호
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• pp.38-45
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• 2009

마그네사이트 광석의 염산용해 특성 및 불순물 제거에 대한 연구를 수행하였다. 마그네사이트의 용해율은 용해온도가 증가할수록, 광석 입도가 감소할수록 증가하였다. 최적 용해조건은 용해시간 2시간, 용해온도 $80^{\circ}C$, 광석입도 $100\;{\mu}m$ 였으며, 최적 용해조건에서 98%의 Mg를 용해할 수 있었다. Si, Al 성분들은 대부분 용해잔사에 존재하므로 용해 후 여과를 통하여 상당량 제거가 가능하였으며, 용해된 불순물들은 용액의 pH 조절을 통하여 금속 수산화물로 석출시켰다. 또한 석출된 금속 수산화물을 응집, 침강시키기 위하여 고분자 응집제를 사용하였으며, 최적 응집제 주입 조건은 비이온계 고분자 응집제 1 mg/100 ml이었다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제41권1호
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• pp.1-11
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• 2013

본 연구에서는 은수원사시나무의 산 당화공정에서 생성되는 고형 부산물의 화학적, 구조적 특성을 관찰하였다. 산 가수분해는 황산과 염산을 사용하였고, 1차 가수분해농도를 72%, 36%, 18%로 변화를 주었고, 2차 가수분해에서 4%로 동일하게 희석하였다. 가수분해 후 액상 가수분해액과 고형 부산물을 각각 분리하였고 고형 부산물을 각각 RS72, RS36, RS18, RC36, RC18이라고 하였다. 황산의 농도가 높아짐에 따라 생성된 고형부산물은 감소(71.2~21.4%)하였지만, 염산의 농도는 고형 부산물의 생성량(65.0~67.0%)에 큰 영향을 주지 않았다. 또한 RS36과 RS18은 고형 부산물 질량 대비 23.6%, RC36과 RC18은 각각 25.6%, 27.3%가 리그닌으로 이루어져 있었다. 고형 부산물의 열분해산물 분석 결과 Levoglucosan, Furfural 등 탄수화물 유래 물질과 리그닌 유래 물질인 Guaiacol, Syringol 등이 검출되었지만 RS72에서는 리그닌 유래 물질만이 검출되었다. 또한 열중량분석결과 고형 부산물 내 리그닌 함량이 높아질수록 다량의 탄이 생성되고 최대 중량 감소율이 감소하여 염산에 비해 황산이, 또한 산의 농도가 높을수록 화학적으로 축합된 구조를 형성하는 것을 확인하였다.

• 공업화학
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• 제9권3호
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• pp.377-382
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• 1998

본 연구는 낮은 활성으로 활용성이 제한된 ${\gamma$-알루미나의 이용을 높이기 위하여 표면을 처리한 알루미나의 계면전기적 특성과 표면활성간의 상관성을 규명하기 위하여 수행되었다. 질산알루미늄을 출발 물질로 하고 암모니아수를 침전제로 사용하여 제조한 알루미나와 황산, 질산, 염산으로 표면 처리한 알루미나를 질량이동법과 site-binding theory를 이용하여 영점전하점을 측정하였다. Amine Titration법과 Hammett 지시약법으로 표면활성점을 구하였다. 전해질에 분산된 알루미나의 계면특성은 전위차적정방법에 의하여 측정된 표면 전하밀도값을 이용하여 분석하였다. 표면전하밀도와 산량의 결과를 이용하여 얻은 ${\gamma$-알루미나의 표면특성과 계면전기적 특성의 상관성은 다음과 같다. 표면을 처리하지 않은 알루미나는 $H_o{\leq}+9.3$인 조건에서 소성온도가 증가함에 따라 산도는 감소한다. 표면처리한 알루미나는 표면을 처리하는 데 사용한 음이온의 농도가 증가하면 표면 이온화상수와 영점전하점은 감소한다. 표면을 처리한 알루미나의 표면전하밀도와 산량은 $H_o{\leq}+4.8$인 조건에서 다음과 같은 상관관계를 갖는다. $SO_4^2-/Al_2O_3:Q_A=-0.172ln(0.0418{\sigma}+1.448)$ $NO_3^-/Al_2O_3:Q_A=-0.024{\sigma}-0.0189$ $Cl^-/Al_2O_3:Q_A=-0.01{\sigma}-0.2006$.