• 공업화학
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• 제21권5호
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• pp.564-569
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• 2010

박막 및 디스플레이 분야에서는 광학 부품소재의 우수한 광 투과성과 투명성을 요구하는 수요가 증가함에 따라 우수한 반사방지 특성의 부여에 대하여 관심이 집중되고 있는 실정이다. 본 연구에서는 반사방지 기능을 부여하기 위하여 졸-겔법에 의한 수열합성법을 통하여 기저 물질 표면에 산화알루미늄을 나노 크기 꽃 형태의 프레임 구조를 가진 단일 산화물층을 형성시키고자 하였다. 코팅 층 시편의 특성은 UV-Vis 분광기, FT-IR 분광기, XRD 및 FE-SEM을 이용하여 분석하였다. 알루미나 졸이 코팅된 시편들의 모폴로지는 수열합성의 온도와 시간 및 초음파 제공에 의해 조절되도록 하였다. 꽃 형태의 나노 프레임 구조 형태로 구성된 코팅 층에서 높은 광투과율과 반사방지특성이 발현되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권12호
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• pp.1068-1071
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• 2007

When a dielectric layer, in-cell retarder (ICR) is formed between electrode and LC layer to get a single gap transflective fringe-field switching (FFS) display, the operating voltage ($V_{op}$) is highly increased due to the thickness of dielectric material. But, we also knew the phenomenon that the increasing rate of Vop is different whether the 1st common electrode was composed of plate type or slit type. In this paper, the common electrode in transmissive part was composed of slit type which had less steepness effect of the Vop and in reflective part was composed of plate type. The rubbing angle of reflective part can be adjusted properly to match the voltage dependent transmittance and reflectance.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.435-436
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• 2007

In general, Single gap transflective FFS display has an in-cell retarder (ICR) between reflective electrode and liquid crystal (LC) layer. Therefore, Operating voltage is highly increased due to this thick dielectric material. But, we also knew the phenomenon that the increasing rate of Vop is different whether the 1st common electrode was composed of plate type or slit type. In this paper, the common electrode in transmissive part was composed of slit type which had less steepness effect of the V op and in reflective part was composed of plate type. The rubbing angle of reflective part can be adjusted properly to match the voltage dependent transmittance and reflectance.

• 한국진공학회지
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• 제21권1호
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• pp.22-28
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• 2012

건물일체형 태양전지는 투명 연료감응형 태양전지 기술을 중심으로 연구개발이 진행되고 있다. 신뢰성-수율 개선 및 대면적화의 필요성 때문에 잘 정립된 박막 공정 기술에 기초하는 Si계 박막 태양전지가 건물일체형 태양전지를 구현할 기술로서 새롭게 조명 받고 있다. Si계 박막 태양전지에 선택적 투과막을 적용하면 가시광선은 태양전지를 투과하고 적외선은 광흡수층으로 반사되기 때문에 투명 태양전지의 변환효율이 향상된다. 본 연구에서는 선택적 투과막의 증착 기술로서 생산성 측면에서 유리한 스퍼터 증착을 이용하여 AlTiO 선택적 투과막을 형성하고 증착 조건을 조절하여 투과율을 향상시켰다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.334-334
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• 2012

태양전지 기술은 우주 항공에서부터 핸드폰과 같은 소규모 가전 시설에까지 폭 넓게 사용되고 있다. 현재 태양전지 기술은 기존의 화석 에너지에 비해 효율 측면에서의 열세함으로 인해 변환 효율을 높이는 연구가 진행되고 있다. 태양전지의 기본 구조에서 고반사막을 대신하여 선택적 투과막을 채용하면 적외선 영역은 광흡수층으로 재반사시키고 가시광선 영역은 선택적으로 투과시킬 수 있기 때문에 태양전지의 변환 효율을 높임과 동시에 채광에 유리한 투명 태양전지를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 반응성 분위기에서 AlTi 단일 타겟을 스퍼터링하여 유리 기판 위에 AlTiO 선택적 투과막을 형성하고 광학적 특성을 평가하였다. 기존의 연구에서 스퍼터링으로 형성한 AlTiO 선택적 투과막은 가시광선 영역에서 약 30%의 비교적 높은 반사율을 나타내었다. 이번 연구에서는 광학 두께를 조절함으로써 가시광선 영역에서 반사율이 평균 20% 이상 감소하고 적외선 영역에서 약 30% 이상의 반사율을 나타내는 선택적 투과막을 형성한 결과를 보고한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.301-301
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• 2012

지구 온난화와 화석 연료의 고갈이 심각해지면서 청정 에너지원으로서 신재생에너지에 대한 관심이 더욱 고조되고 있다. 신재생에너지 분야의 핵심기술의 하나인 태양전지의 여러 응용분야 중에서 건물 일체형 태양전지의 발전 가능성이 특히 높게 평가되고 있다. Si 계 박막 태양전지 내에 금속 산화물 계 선택적 투과막을 적용하면 선택적으로 적외선영역을 광흡수층으로 반사시키므로 건물 일체형 태양전지에 적용이 가능한 높은 변환효율의 투명 태양전지를 제조할 수 있다. 최근 연구 결과에 의하면 AlTiO 선택적 투과막의 투과율은 표면 평탄도에 의존하며, 타겟에 인가되는 전력을 감소시킴으로써 reactive co-sputtering 시 발생하는 아크 방전을 억제하면 AlTiO 박막의 평탄도가 개선된다는 사실이 알려져 있다. 본 연구에서는 AlTi single 타겟을 이용하여 AlTiO 박막을 형성함으로써 박막 표면을 더욱 개선시켜 가시광선 영역의 투과율을 향상시킨 결과를 보고한다.

• 한국생산제조학회지
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• 제24권1호
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• pp.23-30
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• 2015

The scanning quality can be influenced by reflective abilities of a surface. Transparency and glossiness of a surface can highly limit the scanning results. Various techniques have been developed to solve problems of reflective and transparent surfaces. As one of the most feasible and convenient solutions, a thin layer of coating with proper specifications is sprayed on surface for eliminating the problems of the surfaces. As the main goal is to keep the object geometry unchanged, then it is important to coat the surface with layers less than one micrometer in thickness. For this purpose, a newly designed atomization-based spray system has been developed and tested in sets of experiments to study its efficiency on scanning results while objects with the surface are in use. This paper presents the spray design process and then studies and compares the 3D scanning results of the surfaces coated with atomization-based and aerosol sprays.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.75-75
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• 2011

Recently, dye-sensitized solar cell (DSSC) attracts great attention as a promising alternative to conventional silicon solar cells. One of the key components for the DSSC would be the nanocrystalline TiO2 electrode, and the control of interface between TiO2 and TCO is a highly important issue in improving the photovoltaic conversion efficiency. In this work, we applied various interfacial layers, and analyzed their effect in enhancing photovoltaic properties. In overall, introduction of interfacial layers increased both the Voc and Jsc, since the back-reaction of electrons from TCO to electrolyte could be blocked. First, several metal oxides with different band gaps and positions were employed as interfacial layer. SnO2, TiO2, and ZrO2 nanoparticles in the size of 3-5 nm have been synthesized. Among them, the interfacial layer of SnO2, which has lower flat-band potential than that of TiO2, exhibited the best performance in increasing the photovoltaic efficiency of DSSC. Second, long-range ordered cubic mesoporous TiO2 films, prepared by using triblock copolymer-templated sol-gel method via evaporation-induced self-assembly (EISA) process, were utilized as an interfacial layer. Mesoporous TiO2 films seem to be one of the best interfacial layers, due to their additional effect, improving the adhesion to TCO and showing an anti-reflective effect. Third, we handled the issues related to the optimum thickness of interfacial layers. It was also found that in fabricating DSSC at low temperature, the role of interfacial layer turned out to be a lot more important. The self-assembled interfacial layer fabricated at room temperature leads to the efficient transport of photo-injected electrons from TiO2 to TCO, as well as blocking the back-reaction from TCO to I3-. As a result, fill factor (FF) was remarkably increased, as well as increase in Voc and Jsc.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제19권4호
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• pp.346-350
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• 2015

We report a measurement of the effective refractive index of a nematic liquid crystal (NLC) inside a Fabry-Perot (FP) etalon according to the applied electric fields. The effective refractive index of the NLC depends on the intensity of the applied electric field. A wavelength-swept laser with a polygon-scanner-based wavelength filter is used as a wide-band optical source to measure the effective refractive index of the NLC. The bandwidth of the optical source is greater than 90 nm around 1300 nm. The fabricated NLC FP etalon consists of glass substrates, gold layers as the electrodes with highly reflective surfaces, polyimide layers as the planar alignment layers, and an LC layer. Furthermore, we measured the Freedericksz transition voltages for three types of NLC FP etalons having thicknesses of $30.6{\mu}m$, $55.4{\mu}m$, and $108.8{\mu}m$. The Freedericksz transition voltages in the three cases are nearly equal. The measured effective refractive indices in the three cases decreased from 1.67 to 1.51 as the applied electric field intensity was increased. Beyond the threshold electric field, the effective refractive indices quickly decreased and eventually saturated at a value of 1.51 for all cases.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권12호
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• pp.1083-1089
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• 2008

We studied the dielectric characteristics of low-k SiOCH thin films by Ellipsometry. The SiOCH thin films were prepared by deposition of BTMSM precursors on p-Si wafer by CCP-PECVD method. The nano-porous structural organic/inorganic hybrid-type of SiOCH thin films correlated directly to the formation of low dielectrics close to pore(k=1). The structural groups including highly dense pores in SiOCH thin films originated the anisotropic geometry type of network structure directing to complex refractive characteristics of SiOCH single layer on the p-Si wafer. The linearly polarized beam of Xe-ramp in the range from 190 nm to 2100 nm introduced to the surface of SiOCH thin film, and the reflected beam was Elliptically polarized by complex refractive coefficients of SiOCH dipole groups. The amplitude variation $\Psi$ and phase variation $\Delta$ of the relative reflective coefficients between perpendicular and parallel components to the incident plane were measured by Ellipsometry. The complex optical constants n and k as well as the dielectric constant and thickness of SiOCH thin films were driven by the measured value of $\Psi$ and $\Delta$.