• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권4호
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• pp.451-457
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• 1995

Most important study on development of high-Tc superconducting magnet is magnetic properties with design conditions To study optimal design condition of high-Tc superconducting magnet, small size solenoid magnet was designed and simulated. Design conditions are radius of bobbin, radius of magnet, length of magnet, critical cur-rent and notch size. We know that intensity of magnetic fields was controled by critical current and uniformity of magnetic fields was controled by notch size. The optimal design conditions to get the high intensity and uniformity of magnetic field in this experiments were radius of bobbin=3[cm], radius of magnetic=12[cm], length of Z=10[cm], notch size=6[cm] and critical current=12[A].

• 한국항공우주학회지
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• 제44권5호
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• pp.455-462
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• 2016

적외선 검출기와 같은 우주용 영상센서는 작동 유무 및 시간경과에 따라 센서의 응답특성이 변하기 때문에 영상품질이 저하된다. 이러한 영상센서의 비균일 응답특성을 보정하기 위하여 궤도상에서 보정용 흑체시스템을 이용하여 주기적인 보정을 실시 할 수 있도록 해야 한다. 본 논문에서는 저온에서 고온에 이르는 다양한 기준온도에서의 높은 온도균일도 확보 및 흑체의 대표표면온도 추정이 용이하고, 초경량, 저전력, 고정밀도의 흑체 시스템을 구현하기 위해 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)기반의 흑체시스템을 제안하였으며, 열해석을 통해 성능을 입증하였다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.705-711
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• 2019

현재 최신 장비의 두부 CT검사에서 파라메타의 변화와 선량변화에 대한 연구가 부족하고 특히 노이즈, 균일도 해석 및 선량변화에 대한 연구가 부족하다고 생각된다. 따라서 높은 사양 두부 CT 사용 시 노출 파라메타 중 관전압, 슬라이스 두께, 피치변화에 대해 분석하여 이때 발생하는 현상에 대해서 연구하고자 하였다. 실험을 통해서 균일도는 고관전압과 두꺼운 슬라이스 선택 및 최저 피치를 사용할 때 균일도가 좋음을 알 수 있었다. 모두 조합한 결과 균일도가 가장 조건은 140 kVp, 10 mm, pitch 0.5로 나타났다. 노이즈는 관전압과 슬라이스 두께를 높이면 피치에 관계없이 개선되는 것을 알 수 있었고, 선량은 관전압과 피치의 증가에 따라 선형적으로 증가하는 것으로 나타났다. 따라서 본 연구결과는 고 사양의 두부 CT 사용에서 참고자료가 될 것이다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제33권1호
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• pp.47-54
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• 2022

In this study, we performed numerical analysis for 1 kWe SOFC stack of internal manifold types according to the different manifold sizes to verify the influence of the flow uniformity into each cell. To simulate the flow phenomena in the stack, the continuity and momentum conservation equations including the standard k-𝜺 turbulent model for the steady-state conditions were applied. From the calculation results, we verified that the pressure drop from inlet pipes to outlet pipes decreased to a log scale as the manifold size increased in the internal manifold types. Also, we found that the flow uniformity increased on an exponential scale as the manifold size increased. In addition, the calculation results showed that the flow uniformity gradually improved as the fuel and oxygen utilization increased.

• 한국진공학회지
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• 제17권2호
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• pp.165-169
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• 2008

반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 indium tin oxide(ITO)박막의 두께 균일도가 $\pm4%\sim\pm5%$ 정도로 중앙부분이 더 두껍다. 방전전극 구조물을 설계하고 제작하여 sputtering되는 물질의 방향을 조절하였다. 개량된 sputtering gun을 사용하여 기판고정식 sputtering 장비에서 4" wafer 내에서 $\pm0.8\sim1.3%$ 정도로 두께 균일도를 증가시켰다. wafer to wafer에서는 $\pm$5.3%에서 $\pm$1.5%로 두께 균일도가 향상되었다. Al박막의 경우 $\pm$1.0% 이내의 두께 균일도를 얻을 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.339-342
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• 1998

Plasma etching of photoresist needs high etch rate, good uniformity and rae, good uniformity and low damage in low cost. ICP asher is expected to satisfy these requriement for next eneration semiconductor devices. ICPsimulator has been used to design the ashing chamber to redcue the development time and cost, and its results have been verified by QMS, OES and langmuir probe measurments. Plasma characteristics are monitored in terms of RF power and chamber pressure.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.692-695
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• 2008

Large area emissive displays have problems with nonuniform pixel characteristics and their individual ageing. A pixel integrated driver with pixel based optical feedback is presented to solve these problems. Photodetectors, optical feedback circuit and data handling capabilities are integrated in a high voltage CMOS technology.

• 대한전자공학회논문지
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• 제25권9호
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• pp.1051-1059
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• 1988

In this study, we developed a proto-type RTP equipment by using tungsten halogen lamps. The system has been designed utilizing the result of the numerical analysis of the reactor. In order to analyze the system performance, experiments for activation of implanted atoms and oxidation process were performed. As a result, we obtained 2-3% uniformity in sheet resistance and 2-4% uniformity in oxide thickness, although after a long time process at high temperatures slip lines and warpage of the wafer have been observed.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.148-148
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• 2011

Recently, there have been many research activities to develop the large-area plasma source, which is able to generate the high-density plasma with relatively good uniformity, for the plasma processing in the thin-film solar cell and display panel industries. The large-area CCP sources have been applied to the PECVD process as well as the etching. Especially, the PECVD processes for the depositions of various films such as a-Si:H, ${\mu}c$-Si:H, Si3N4, and SiO2 take a significant portion of processes. In order to achieve higher deposition rate (DR), good uniformity in large-area reactor, and good film quality (low defect density, high film strength, etc.), the application of VHF (>40 MHz) CCP is indispensible. However, the electromagnetic wave effect in the VHF CCP becomes an issue to resolve for the achievement of good uniformity of plasma and film. Here, we propose a new electrode as part of a method to resolve the standing wave effect in the large-area VHF CCP. The electrode is split up a series of strip-type electrodes and the strip-type electrodes and the ground ones are arranged by turns. The standing wave effect in the longitudinal direction of the strip-type electrode is reduced by using the multi-feeding method of VHF power and the uniformity in the transverse direction of the electrodes is achieved by controlling the gas flow and the gap length between the powered electrodes and the substrate. Also, we provide the process results for the growths of the a-Si:H and the ${\mu}c$-Si:H films. The high DR (2.4 nm/s for a-Si:H film and 1.5 nm/s for the ${\mu}c$-Si:H film), the controllable crystallinity (~70%) for the ${\mu}c$-Si:H film, and the relatively good uniformity (1% for a-Si:H film and 7% for the ${\mu}c$-Si:H film) can be obtained at the high frequency of 40 MHz in the large-area discharge (280 mm${\times}$540 mm). Finally, we will discuss the issues in expanding the multi-electrode to the 8G class large-area plasma processing (2.2 m${\times}$2.4 m) and in improving the process efficiency.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권2호
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• pp.37-41
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• 2004

LCD TV의 백라이트로서는 cold cathode flourescent lamp (CCFL)를 병렬로 구성한 직하방식의 백라이트 많이 사용되고 있다. 현재 각 각의 CCFL에 transformer 한개 씩을 사용하여 일정한 전류를 공급함으로서 백라이트의 균일도를 얻고 있으나 본 논문에서는 differential driving inverter를 이용하여 transfomer에 8개의 램프를 연결하여 구동함으로써 transformer의 개수를 현저히 줄일 수 있었다. Differential driving 방법을 이용하여 transformer 2개를 사용한 인버터를 제작하였으며 이를 이용하여 길이 450mm, 관경 4mm의 CCFL 16개를 사용한 26"용 LCD TV 백라이트를 구동할 수 있었다. 개발된 differential driving 인버터를 이용하여 백라이트를 구동한 결과 $88\%$ 이상의 휘도 균일도를 갖는 백라이트를 구현할 수 있었다.