Jo, Chang Hyeon;Kim, Dea Hee;Ahn, Byoung Sup;Kang, Ey Goo
Journal of IKEEE
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v.25
no.2
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pp.350-355
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2021
IGBT is a power semiconductor device that contains both MOSFET and BJT structures, and it has fast switching speed of MOSFET, high breakdown voltage and high current of BJT characteristics. IGBT is a device that targets the requirements of an ideal power semiconductor device with high breakdown voltage, low VCE-SAT, fast switching speed and high reliability. In this paper, we analyzed Gate oxide thickness, Trench Gate Width, and P+Emitter width, which are the top process parameters of 1,200V Trench Gate Field Stop IGBT, and suggested the optimized top process parameters. Using the Synopsys T-CAD Simulator, we designed IGBT devices with electrical characteristics that has breakdown voltage of 1,470 V, VCE-SAT 2.17 V, Eon 0.361 mJ and Eoff 1.152 mJ.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.65
no.2
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pp.114-121
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2016
This paper is Instant space vector PWM(Pulse Width Modulation)power conversion devices in switching power semiconductors from my generation to losses and switching when the voltage surge and current surge of electronic noise(EMI: Electro Magnetic Interference / RFI: Radio Frequency Interference)to effectively minimize the power soft-switching power conversion circuit topologies of auxiliary resonant DC tank for the purpose of high performance realization of the electric power conversion system by the high-speed switching of a semiconductor device(AQRDCT simultaneously : an active auxiliary resonance using auxiliary Quasi-resonant DC tank)DC link snubber switch has adopted a three-phase voltage inverter. AQRDCL proposed in this paper can reduce the effective and current peak stress of the power semiconductors of the auxiliary resonant snubber circuit compared to the conventional active-resonant DC link snubber, it is not necessary to install the clamp switch of the auxiliary resonant DC link, DC the peak current and power loss of the bus line can be reduced.
This paper presents an IHQRR (Integrated High Quality Rectifier Regulator) BIFRED (Boost Integrated Flyback Rectifier Energy Storage DC-DC) converter fed BLDC (Brushless DC) motor drive. A reduced sensor topology is derived by utilizing a BIFRED converter to operate in a dual DCM (Discontinuous Conduction Mode) thus utilizing a voltage follower approach for the PFC (Power Factor Correction) and voltage control. A new approach for speed control is proposed using a single voltage sensor. The speed of the BLDC motor drive is controlled by varying the DC link voltage of the front end converter. Moreover, fundamental frequency switching of the VSI's (Voltage Source Inverter) switches is used for the electronic commutation of the BLDC motor which reduces the switching losses in the VSI. The proposed drive is designed for a wide range of speed control with an improved power quality at the AC mains which falls within the recommended limits imposed by international power quality standards such as IEC 61000-3-2.
To supply a power distribution network with stable power in a high-speed mixed mode system, simultaneous switching noise caused at the multilayer PCB and package structures needs to be sufficiently suppressed. The uni-planar compact electromagnetic bandgap (UC-EBG) structure is well known as a promising solution to suppress the power noise and isolate noise-sensitive analog/RF circuits from a noisy digital circuit. However, a typical UC-EBG structure has several severe problems, such as a limitation in the stop band's lower cutoff frequency and signal quality degradation. To make up for the defects of a conventional EBG structure, a partially located EBG structure with decoupling capacitors is proposed in this paper as a means of both suppressing the power noise propagation and minimizing the effects of the perforated reference plane on the signal quality. The proposed structure is validated and investigated through simulation and measurement in both frequency and time domains.
This paper describes the mechanisms which breaks A.C. over-current protection in low voltage load. For the high speed over-current protection, it consists of thyristor switching circuit by forced commutation, IC logic gate controlled circuit and over-current detector with reed switch. Under various duty conditions, breacker was carried out several experiments and discussions. The results are as follows; (1) over-current cut off is possible within a quarter cycle (4ms at 60Hz) and clear is at least ten times faster than its electromechanical equivalent. (2) as the forced commutation thyristor circuit breaker has capability of high speed break, equivalent surgy current capacity of switching thyristor is increased more than twenty times of its rated current. (3) breaker using solid state dose not produce any harmful arc during switching period. Therefore the breaker above described may be considered an effective over-current protector for soli state power devices in industrial applications.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.60
no.11
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pp.2043-2048
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2011
High speed drive method for a fuel injector cleaner with current control is presented in this paper. The fuel injector cleaner is used for cleaning the fuel injectors in vehicles when it is clogged with deposit and rust. The fuel injector cleaner cleans the fuel injector by turning on and off the fuel injector rapidly. When the fuel injectors are cleaned, the switching speed is very important. However, when the fuel injector is turned off, the residual current in the fuel injector coil slows down the return action of the plunger in the fuel injector deteriorating performance and speed of the fuel injector cleaner. In this paper, fast turn off operation method of fuel injectors is developed for more effective cleaning. The simulation and experiment results show the validity of the proposed method.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.53
no.1
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pp.14-21
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2004
Most adjustable-speed drives (ASDs) designed to operate low voltage induction motors incorporate voltage-source inverters (VSIs), which create motor voltages at high switching frequencies. The motor leads used to connect an ASD to a motor can behave like transmission lines for voltage pulses, which can be reflected at the motor terminals. The resulting oscillatory transient, known as the long-lead effect, can stress and consequently degrade the stator insulation system of a motor. This paper describes the results of tests to 1) determine the correlation between peak motor voltage and the length of motor leads and 2) determine the correlation between peak motor voltage and the switching frequency of the ASD Insulation failures like this usually are caused by voltage surges. Voltage surges are often the result of switching power circuits, lightning strikes, capacitor discharges and solid-state power devices.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2001.05a
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pp.197-200
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2001
Recently, Switching time is the principal factor in a design of frerquency synthesizer for Spread-Spectrum Communications. fast switching frequency synthesizer is important to improve the channel efficiency in a Frequency Hopping Spread Spectrum (FH-SS) tranceiver. In this paper, we design the frequency synthesizer with fast switching time as fast as 1${\mu}\textrm{s}$. In frequency synthesizer design, we use the interpolated PLL method inserted memory Look-up table of DDS to reduce switching time, and have result of improved channel efficiency about 20% by applying to FH-SS Transceiver.
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.7
no.1
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pp.7-12
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2011
The flash memory has been remarked as the next generation media of portable and desktop computers' storage devices. Their features include non-volatility, low power consumption, and fast access time for read operations, which are sufficient to present flash memories as major data storage components for desktop and servers. The purpose of our study is to upgrade a traditional mirroring scheme based on SSD storages due to the relatively slow or freezing characteristics of write operations, as compared to fast read operations. For this work, we propose a new storage management scheme called Memory Mirror-Switching based on traditional mirroring scheme. Our Mirror-Switching scheme improves flash operation performance by switching write-workloads from flash memory to RAM and delaying write operations to avoid freezing. Our test results show that our scheme significantly reduces the write operation delay and storage freezing.
The SRM has high efficiency, a wide speed range, high speed capability and DC-series Motor characteristics. So the SRM has been studied as adjustable speed machine. The speed of SRM can be adjusted to switching angle and exciting voltage. This paper suggests an constant speed drive method of SRM. In this method, the speed is controlled by voltage regulation using PI control and the torque is controlled by advance angle in accordance with, load torque variation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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