• Title/Summary/Keyword: h-법

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The Antibiotic Effect of Acetic acid on Helicobacter pylori (초산에 의한 마우스 위의 Helicobacter pylori 살균효과)

  • Kim, Sun-Young;Kwon, Woo-Je;Kang, Sang-Mo
    • Journal of Applied Biological Chemistry
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    • v.53 no.4
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    • pp.239-247
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    • 2010
  • Helicobacter pylori (H. pylori) is the main causal bacteria occurring stomach diseases such as gastritis and gastric ulcer. These bacteria are found in most adults' stomach. Especially, 60~90% of H. pylori is found in Korean stomach. As a lot of curing methods have been applied to remove H. pylori and certain effects have been done but it's impossible to remove it perfectly with the existing medicines for curing. Therefore, it's very urgent to develop a certain substance showing more excellent effect than the existing medicines. In this study, it wasfound that organic acids can be accessed easily, inserted into mouth for curing and has excellent sterilizing effect among the substances showing excellent antibiotic power. Among them, acetic acid showed the most excellent effect. To confirm the refraining power against H. pylori, we performed tests through in vitro contact testing methods by concentration and tsta. In the result, H. pylori were terminated perfectly in the solution of acetic acid more than 0.3% within 1 minute. With a base of the result of In vitro test, It was performed in vivo test. As the results, H. pyloriwere terminated perfectly on 0.2% solution of acetic acid from the result of confirming through urease test, ELISA method and RT-PCR. Therefore, the result of this research will be very useful information in developing the functional foodstuffs using acetic acid in order to terminate H. pylori on the people's stomach, who suffers from H. pylori.

Metal Complexes of Ambidentate Ligand (VIII). Ni (II) and Pd (II) Complexes of Isonitrosomethylacetoacetate Imines (Ambidentate 리간드의 금속착물 (제 8 보). Isonitrosomethylacetoacetate Imine 리간드의 니켈(II) 및 팔라듐(II) 착물)

  • Bon-Chang Goo;Gang-Yeol Choi;Man-Ho Lee;In-Whan Kim
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.37 no.7
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    • pp.662-671
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    • 1993
  • New Ni(II) and Pd(II) complexes of isonitrosomethylacetoacetate imine derivatives, Ni(IMAA-NH)(IMAA-NH'), Ni(IMAA-NH)(IMAA-NR), $Pd(IMAA-NH)_2\;and Pd(IMAA-NR)_2(R=CH_3,\;C_2H_5,\;n-C_3H_7,\;n-C_4H_9,\;or\;CH_2C_6H_5)$, where H-IMAA-NH and H-IMAA-NR represent isonitrosomethylacetoacetate imine and N-alkylisonitrosomethylacetoacetate imine derivative, respectively, have been prepared and the structures of the complexes have been studied by elemental analyses, electronic, infrared, and $^1H-\;and\;^{13}C-NMR$ spectroscopies.

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Comparision of analysis methods of dissolved gas in oil for transformer diag (변압기 진단용 유중가스분석법의 비교특성)

  • Sun, J.H.;Kim, K.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2002.07c
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    • pp.1843-1845
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    • 2002
  • 유입식변압기 내부고장의 조기발견을 위하여 유중가스분석법이 가장 일반적으로 사용되고 있다. 본 연구에서는 변압기 내부이상의 종류에 따른 발생가스의 특성과 유중가스분석법으로 사용되고 있는 key gas법 Donenburg법, Rosers법, IEC법에 대한 특성을 비교분석하였다. 동일한 가스성분에 의해서도 각 진단법이 의한 진단결과가 다르고, 또한 진단결과가 발생하지 않는 경우가 발생하고 있으며, 고장원인이 2가지 이상으로 복합되어 있는 경우 모든 고장원인을 밝혀낼 수 없는 것으로 나타났다.

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pH Effects on Properties of Electroless Nickel Plating on Injected ABS by MmSH (순간금형가열법에 의해 제작된 ABS의 pH 변화에 따른 무전해 Ni 도금 특성)

  • Song Tae-Hwan;Park So-Yeon;Lee Jong-Kwon;Ryoo Kul-Kul;Lee Yoon-Bae
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2004.06a
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    • pp.69-71
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    • 2004
  • 새로운 기술인 Momentary mold surface heating(MmSH)은 기존의 사출성형법으로 제조된 Acrylonitrile Butadiene Styrene(ABS)의 단점을 개선한 사출성형법이다. MmSH로 제조된 ABS와 기존의 사출성형법으로 제조된 ABS의 도금특성을 도금욕 pH 변화에 따라 연구하였다. Sodium hypophosphite가 첨가된 무전해 Ni 도금욕의 PH가 증가할수록 도금 두께가 증가하였고 기존의 사출성형법으로 제조된 ABS의 경우 pH 5이상에서 4B의 밀착력을 가졌다. MmSH로 제조된 ABS의 경우 pH 6이상에서 5B인 12.3N/25mm 이상의 가장 우수한 밀착력을 나타내었다.

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Preparation and Photo Conducting Characteristics of Plasma Polymerized Organic Photorecepter (플라즈마 중합법에 의한 유기 감광체 박막의 제조와 광전도 특성)

  • 박구범
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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    • v.36T no.3
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    • pp.19-25
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    • 1999
  • The photoreceptor films with double layer structure were prepared by the plasma polymerization and the dip-coating method. The blocking layer was coated with A1$_2$O$_3$ on the Al substrate and the charge generation layer was formed by H$_2$ phthalocyanine (H$_2$Pc). Poly 9-Vinylcarbazole was used as a charge transport layer. H$_2$Pc film prepared by the vacuum evaporation had absorption peaks on 613.6[nm] and 694.8[nm], and H$_2$Pc film prepared by the plasma polymerization had a dull peaks between 600 and 700[nm]. The surface potential of PVCz increased with increasing the applied voltage and the thickness of PVCz. The dark decay characteristic, the light decay time and the residual time increased with increasing the thickness of PVCz. The surface charge of PVCz of 15[${\mu}{\textrm}{m}$] thickness was 134[nc/$\textrm{cm}^2$] at the surface potential of -600[V] and the charge generation efficiency of H$_2$Pc was 0.034.

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The Crystal and Molecular Structure of 1-(3 Carbamoyl-3,3-diphenylpropyl)-1-methylhexahydro-1H-azepinium iodide $(C_{23}H_{31}N_2O\cdot I)$ (1-(3 Carbamoyl-3,3-diphenylpropyl)-1-methylhexahydro-1H-azepinium iodide $(C_{23}H_{31}N_2O\cdot I)$의 결정 및 분자구조)

  • 김문집;이재혁;이한준;김대영;정인창
    • Korean Journal of Crystallography
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    • v.10 no.2
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    • pp.125-129
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    • 1999
  • X-선 회절법을 이용하여 1-(3 Carbamoyl-3,3-diphenylpropyl)-1-methylhexahydro-1H-azepinium iodide[이하: DIP]의 분자 및 결정구조를 규명하였다. 이 결정의 분자식은 C23H31N2O·I, 결정계는 Monoclinic이며 공간군은 P21이다. 단위포 상수는 a =8.937(1) Å, b=19.522(2) Å, c=6.485(2) Å이며, β= 105.18(2)°, V=1091.9(6) Å3, T=293(2)K, Z=2, Dc=1.45 Mgm-3이다. 회절반점들의 세기는 Enarf-Nonius CAD-4 diffractometer로 얻었으며 Mo Katjs(λ=0.71073 Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 개략적인 분자모델을 설정하고, Fo>4σ(Fo)인 4112개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소자승법으로 정밀화하여 최종 신뢰도 값 R=5.23%인 최종적인 분자모형을 구하였다.

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Growth of 6H-SiC Single Crystals by Sublimation Method (승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장)

  • 신동욱;김형준
    • Korean Journal of Crystallography
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    • v.1 no.1
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    • pp.19-28
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    • 1990
  • 6H-SiC is a promising material (Eg=3.0eV) for blue light-emitting doide and high-temperature semiconducting device. In the experiment, single crystals of a-SiC have been grown by the sublimation method to fabricate blue light~emitting diode. During the growth of a-SiC single crystals, a temperature Vadient, yonh temperature and pressure ranges were kept 44℃/cm , 1800-1990℃ and 50-1000 mTorr, respectively. Single crystals obtained in Acheson furnace were used as seed crystals. Polarizing microscopy and back-reflection X-ray Laue diffraction showed that the a-SiC crystal was epitaxially and on the seed crytal. It was found by XRD analysis that when other growth conditions were the same, a-SiC was grown at the temperature above 1840℃ and 3C-SiC was gown at lower temperature or under low supersaturation of vapor. The carrier type. concentration and mobility were measured be hole(p-type), 7.6x1014cm-3 and 19cm2V-1sec-1, respectively, by van der Pauw method.

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Atomic Layer Deposition and Characterization of Tantalum Oxide Films Using Ta(OC2H5)5 and $\textrm{NH}_3$ ($\textrm{Ta}(\textrm{OC}_{2}\textrm{H}_{5})_{5}$$\textrm{NH}_3$를 이용한 산화탄탈륨 막의 원자층 증착 및 특성)

  • Song, Hyeon-Jeong;Sim, Gyu-Chan;Lee, Chun-Su;Gang, Sang-Won
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.8 no.10
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    • pp.945-949
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    • 1998
  • Ta(OC2H5)5와 NH3를 이용하여 Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착하였다. Cycle-CVD법에서는 Ta(OC2H5)5와 NH3사이에 불활성 기체를 주입한다. 하나의 cycle은 Ta(OC2H5)5주입, Ar주입, NH3 주입, Ar 주입의 네 단계로 이루어진다. Cycle-CVD법으로 산화탄탈륨 막을 증착할 때, 온도 $250-280^{\circ}C$에서 박막의 증착 기구는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition:ALD)이었다. $265^{\circ}C$에서 Ta(OC2H5)5:Ar:NH3:Ar:NH3:Ar의 한 cycle에서 각 단계의 주입 시간을 1-60초:5초:5초:5초로 Ta(OC2H5)5 주입 시간을 변화시키면서 산화탄탈륨 막을 Cycle-CVD법으로 증착하였다. Ta(OC2H5)5주입시간이 증가하여도 cycle 당 두께가 $1.5\AA$/cycle로 일정하였다. $265^{\circ}C$에서 증착된 박막의 누설 전류는 2MV/cm에서 2x10-2A/$\textrm{cm}^2$이었고 열처리후의 산화탄탈륨 막의 누설 전류값은 $10-4A\textrm{cm}^2$ 이하고 감소하였다. 증착한 산화탄탈륨 막의 성분을 Auger 전자 분광법으로 분석하였다. 2$65^{\circ}C$에서 증착한 막의 성분은 탄탈륨 33at%, 산소 50at%, 탄소 5at%, 질소 12at% 이었으며 90$0^{\circ}C$, O2300torr에서 10분 동안 열처리한 박막은 탄탈륨 33at%, 산소 60wt%, 탄소 4at%, 질소 3at%이었다. 박막의 열처리 온도가 높을수록 불순물인 탄소와 질소의 박막 내 잔류량이 감소하였다. 열처리 후의 박막은 O/Ta 화학정량비가 증가하였으며 Ta의 4f7/5와 4f 5/2의 결합 강도가 열처리 전 박막보다 증가하였다. 열처리 후 누설 전류가 감소하는 것은 불순물 감소와 화학정량비 개선 및 Ta-O 결합 강도의증가에 의한 것으로 생각된다.

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Molecular Cloning of H-Y Antigen Gene I. Purification of H-Y Antigen by Immunoaffinity Chromatography and Chemiluminescence Immunoassay for the Assay of H-Y Antigen (H-Y 항원 유전자의 cloning에 관한 연구 I. 친화성 크로마토그래피에 의한 H-Y 항원의 분리 정제 및 H-Y 항원 정량을 위한 화학발광 면역 분석법)

  • 김종배;김재홍;백정미;김창규;정길생
    • Korean Journal of Animal Reproduction
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    • v.15 no.2
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    • pp.149-155
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    • 1991
  • 본 실험은 H-Y 항원 유전자 크로닝을 위한 기초연구로서 H-Y 항원의 특성을 규명하기 위하여 친화성 크로마토그래피에 의하여 H-Y 항원을 분리·정제하였다. 정소 추출액을 항체가 결합된 column에 결합시킨 뒤 10% acetic acid로 용출시켰다. 용출된 분획을 모아 농축한 후 HPLC와 SDS-PAGE를 실시하여 H-Y 항원의 분자량은 약 6,7000달톤 임을 알 수 있었으며 isoelectric focusing에 의하여 등전점(pI)은 5.0인 것으로 측정되었다. H-Y 항원에 대한 단일클론항체와 표지항원으로는 H-Y 항원-ABEI(aminobutylethyl isoluminol)를 사용하여 H-Y 항원 정량을 위한 화학발광면역분석법을 개발하였다. 항원항체 반응후 빛의 측정은 NaOH 존재하에서 microperoxidase/H2O2를 이용한 산화반응으로 실시하여 10초간 측정한 빛의 양을 적분하였다. H-Y 항원의 농도와 빛의 양과는 역비례하였으며 감도는 11.8ng/tube 정도이었다.

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