The common-source low noise amplifier(LNA) with inductive degeneration using a genetic algorithm is designed and tested for a down converter in an industrial, scientific and medical (ISM) band application and a wireless broadband internet service (WiBro). The genetic algorithm optimizes the reflection coefficients to be well matched the input and output ports between multistage transistor amplifiers, and it generates low voltage standing wave ratio as well as gain flatness of the amplifier. The stability and the gain flatness of the LNA have been improved by combining the matching circuits and the series feedback microstrip lines with inductive degeneration at common-source port. In the frequency range of ISM band and WiBro application operating at $2.3GHz{\sim}2.5GHz$, the measured power gain and maximum voltage standing wave ratio (VSWR) of the LNA are $41{\pm}0.5dB$ and 1.3, and the noise figure of the LNA is lower than 0.85dB. The above results are agreed well with the theoretical values of the amplifiers.
본 논문에서는 SCM과 WDM방식의 아날로그 광 전송기술을 기반으로 IMT-2000 및 PCS 양 무선주파 수대역 전송에 사용 가능한 광 송수신기의 구조를 제안하고 이의 제작에 관련된 여러 파라미터들을 분석하였다. 특히 송신부의 고주파 신호와 LD사이의 임피던스 정합회로는 시뮬레이션을 통해 최적의 성능을 도출 하는 방법을 제안하였고, 또한 1.7GHz∼2.25GHz 대역에서 광 링크의 gain이 0dB일 때, 광 링크의 gain flatness 및 noise floor가 각각 ±1.5dB 및 -130dBm인 결과를 얻었다
본 논문에서는 UHF대역 원통형 다이폴 배열 안테나에 대해서 설계, 제작 및 시험을 하였다. 제안하는 안테나는 원통형 다이폴을 수직으로 4단 배열하였다. 원통형 다이폴 내부에는 병렬구조 급전회로를 설치하여 광대역 매칭이 되도록 구현하였다. 급전회로를 원통형 다이폴 중심에 설치하여 방위각 방향 무지향 방사패턴의 이득평탄도 특성을 최적화하였다. 급전회로에서 분기되는 신호의 차이를 최소화하여 대칭적인 방사패턴을 구현하였다. 요구 규격은 UHF대역에서 대역폭 11.2% 이상, 이득 6dBi 이상, 2:1 이하의 정재파비, 수평방향 방사패턴 이득평탄도 ${\pm}1dB$ 이내, 고각 방향 방사패턴 3dB 빔폭 13도 이상이다. M&S를 통해서 구현 가능성을 확인하고, 제작 및 시험을 통해서 M&S 결과를 검증하였다. 시험결과는 UHF대역에서 대역폭 11.2%, 이득 6.30~8.31dBi, 정재파비 1.53:1 이하, 방위각 방향 방사패턴 이득평탄도 ${\pm}0.2dB$ 이내, 고각 방향 방사패턴 3dB 빔폭은 15.62~15.84도이다. 시험결과 모든 규격을 충족하였다.
Kim, Hyang-Kyun;Park, Seo-Yeon;Lee, Dong-Ho;Park, Chang-Soo
ETRI Journal
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제20권1호
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pp.28-36
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1998
A simple experimental method to design gain-flattened erbium-doped fiber amplifier is proposed and demonstrated based on the two linear relations between the output power and the pump power, and between the gain and the length of the eribium-doped fiber at the gain flattened state. The spectral gain variation of the eribium-doped fiber amplifiber constructed by this method was less than 0.4 dB over 12 nm (1,545~1,557nm) wavelength region. The gain flatness is also controlled within 0.4 dB over the input power range of -30~-15dBm/ch through the feedback control utilizing the amplified spontaneous emission power in the 1,530 nm region.
The optical gain and noise figure improved double-pass two-stage EDFA using a mirror, circulator, and gain-flattening filters is proposed. By double passing the pump light and removing the ASE propagating into the input part, the signal gain of 5 ㏈ and noise figure of 2.1 ㏈ are improved compared to the conventional single- and double-pass EDFA With gain-fattening filters in the second stage of EDFA, we obtain an improved flat gain with a gain flatness less than 1 ㏈ over 33-nm wavelength range at the 980-nm pump power of 86 ㎽.
For the first time, a novel analytical model of the net gain for a Raman-EDFA hybrid optical amplifier (HOA) is proposed and its various parameters optimized using a genetic algorithm. Our method has been shown to be robust in the simultaneous analysis of multiple parameters (Raman length, EDFA length, and pump powers) to obtain large gain. The optimized HOA is further investigated at the system level for the scenario of a 50-channel DWDM system with 0.2-nm channel spacing. With an optimized HOA, a flat gain of >17 dB is obtained over the effective ITU-T wavelength grid with a variation of less than 1.5 dB, without using any gain-flattening technique. The obtained noise figure is also the lowest value ever reported for a Raman-EDFA HOA at reduced channel spacing.
본 논문에서는 통신위성중계기의 송, 수신 신호의 크기에 따른 안테나부의 시스템 특성으로 고려하여 대역통과여파기 형태의 이득특성을 갖는 저잡음증폭기를 설계, 제작하였다. 한 예로써, 위성통신용 수신주파수인 14.0~14.5GHz.에서 2단 저잡음증폭기와 4단 증폭기를 설계, 제작하였다. 제작된 2단 저잡음증폭기는 대역내에서 20.3dB +- 0.1dB의 이득, 1.44dB+-0.04dB의 잡음지수, 송신주파수 대역(12.25~12.75GHz)에서 14dB의 Rejection을 보여주었다 이 저잡음증폭기는 이득, 잡음지수, 군지연 특성면에서도 모두 설계치와 잘 일치하였다. 또한 제작된 4단 증폭기는 42dB 이상의 이득에 +-0.25dB 이내의 평탄도를 보여 주었고, 송신주파수 대역에서의 Rejection은 28dB로 측정되었다. 본 논문에서 제작된 협대역 저잡음 증폭기는 위와 같은 송신대역 Rejection 특성으로 인하여 중계기의 수신부 입력여파기와 주파수변환부내의 여파기의 설계 사양을 완화시키고 설계 및 제작비용을 낮출 수 있다.
본 논문에서는 고차 대역 통과 여파기의 평탄도를 개선하기 위해 증폭기, 오목한 상보형 여파기, 감쇠기로 구성된 진폭 등화기를 설계하였다. 상보형 여파기는 2n차 체비셰프 원형의 극점 위치를 조절하여 체비셰프 다항식을 수정하고 회로망 합성법을 통하여 원형 소자 값을 계산하였다. 대역 통과 여파기에서 발생하는 손실을 보상하고 반사 특성을 개선할 수 있는 증폭기와 진폭 등화기의 이득 크기를 조절하기 위한 감쇠기를 계산된 원형 소자 값을 사용하여 설계한 4차 상보형 여파기에 연결하여 진폭 등화기를 구현하였다. 제안한 진폭 등화기를 사용하여 2.3 GHz 휴대 인터넷 대역(WiBro)의 13차 대역 통과 여파기의 평탄도 특성을 6 dB 개선하였다.
비대칭 구조의 커플러에 대한 이론적 고찰과 함께 EDFA 이득평탄용 필터로서의 응용과 그에 대한 설계를 하였다. 이득평탄필터를 구현하기 위한 비대칭 커플러의 광섬유 파라미터를 제시하였고 커플러의 광 결합 길이와 코어간의 거리에 따른 이득평탄필터의 투과 스펙트럼의 특성을 시뮬레이션을 통해 알아보았다. 그리고 시뮬레이션 결과를 바탕으로 하여 약 30nm의 대역폭에 걸쳐서 EDFA의 이득 스펙트럼을 $\pm$0.75 ㏈이하로 평탄화할 수 있는 이득평탄필터를 설계하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권5호
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pp.675-681
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2016
A 41dB gain control range $6^{th}$-order band-pass receiver front-end (RFE) using CMOS switched frequency translated impedance (FTI) is presented in a 40 nm CMOS technology. The RFE consists of a frequency tunable RF band-pass filter (BPF), IQ gm cells, and IQ TIAs. The RF BPF has wide gain control range preserving constant filter Q and pass band flatness due to proposed pre-distortion scheme. Also, the RF filter using CMOS switches in FTI blocks shows low clock leakage to signal nodes, and results in low common mode noise and stable operation. The baseband IQ signals are generated by combining baseband Gm cells which receives 8-phase signal outputs down-converted at last stage of FTIs in the RF BPF. The measured results of the RFE show 36.4 dB gain and 6.3 dB NF at maximum gain mode. The pass-band IIP3 and out-band IIP3@20 MHz offset are -10 dBm and +12.6 dBm at maximum gain mode, and +14 dBm and +20.5 dBm at minimum gain mode, respectively. With a 1.2 V power supply, the current consumption of the overall RFE is 40 mA at 500 MHz carrier frequency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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