전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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pp.44-46
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2001
Increase of gate leakage current causes decrease of gain and increase of noise. In this paper, gate leakage current of GaAs MESEFTs' has been traced with different temperatures from $27^{\circ}C\;to\;350^{\circ}C$ to obtain the zero voltage saturation current $J_s$ which is critical to the temperature dependency of total current. From the results, thermal leakage current coefficient has been proposed to compensate for the total current due to the thermionic emission, tunneling, generation and/or hole injection.
Solution processed zinc tin oxide (ZTO) thin films were studied using a spin coating for the fabrication of thin film transistors and simple circuits. The solution processed thin film transistors (W/L = 100/10 ${\mu}m$) have the average saturation mobility of 1.9 $cm^2$/Vs, threshold voltage of 20 V, and subthreshold slope of 0.5 V/decade. The dc characteristics of an inverter with $W_{load}=100\;{\mu}m$ and $W_{drive}=10\;{\mu}m$, measured under votage supply of $V_{DD}$ = +50 V. The inverter beta ratio is 20 ($R=(W_{drived}/L_{drive})/(W_{load}/L_{load})=20$) and $gain_{max}$ is 2. The characteristics of an oscillator were measured under voltage supply of $V_{DD}$ = +60 V.
We demonstrate wavelength conversion of 2.5Gb/s optical signals by four-wave mixing (FWM) in a semiconductor optical amplifier (SOA). We investigate the effect of input pump and signal powers on the coversion efficiency, optical signal-to-noise ratio (OSNR) and extinction ratio to be a measure of performance in a wavelength converter. As a result, we show that the maximum bit error rate (BER) performance can be obtained by co promising among high-vonversion efficiency (minimum Pprobe), high-OSNR (maximum Pprobe) and low-cross-gain saturation effects (Pprobe kept at least 6dB weaker than Ppump). In our experiment, we obtain optimum performance at +3 dBm pump power and -6dBm signal power. The power penalty incurred in the wavelength conversion can be minimized by careful selection of the input pump and signal powers. We show that about 0.5dB power penalty for 3.2nm wavelength coversion at 10-10 BER is achievable.
This paper addresses a design issue of "model complexity and performance trade-off" in the application of bandwidth extension (BWE) methods to the intra-frame predictivevector quantization problem of wideband speech. It discusses model-based linear and non-linear prediction methods and presents a comparative study of them in terms of prediction gain. Through experimentation, the general trend of saturation in performance (with the increase in model complexity) is observed. However, specifically, it is also observed that there is no significant difference between HMM and GMM-based BWE functions.
In this research a fault-tolerant and bumpless switching control is proposed for boiler systems used in the power plants. Firstly, three operating points are selected to control the nonlinear boiler through the full operational range, and the $H_{\infty}$ loop shaping controller and the model-based predictive controller(MBPC) are designed. To prevent the windup and bump problems which are caused by the actuator saturation and the controller switching, an anti-windup and bumpless transfer technique is adopted to the $H_{\infty}$ loop shaping controller. Also the constrained gain-scheduling technique is applied to MBPC to achieve the same objective. Secondly, the fault-tolerant control technique is proposed to continue the control action without stopping the boiler operation even in case of some faults. Through various simulation studies, the performances of the proposed control techniques are demonstrated.
본 논문에서는 PI 제어기를 설계해야 하는 경우인 임계 주파수 부근에서 이득 감소가 적은 시스템을 구별할 수 있는 알고리즘을 제안하였다. 임계 주파수 부근에서 이득감소가 적은 시스템을 구별하기 위해 시간 지연 요소를 이용하여 이득 감소율을 구하는 방법을 제안하였다. 또한 크기 마진과 위상 마진이 주어진 경우 PI 제어기를 설계하는 방법을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 시간 지연요소와 포화함수를 이용하여 PI 제어가 가능한 한점의 좌표값을 계산하는 방법을 사용하였다. 제안된 방법은 시뮬레이션을 통해 타당성을 검증하였다.
We have studied fabrication processes that form asymmetric $\Gamma$-gate with a 0.1${\mu}{\textrm}{m}$ gate length in MMIC's(Monolithic Microwave Integrated Circuits). Asymmetric $\Gamma$-gate was fabricated using mixture of PMMA and MCB. Thus pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT's) with 0.1${\mu}{\textrm}{m}$ gate length was fabricated via several steps such as mesa isolation, metalization, recess, passivation. PHEMT's has the -1.75 V of pinch-off voltage (Vp), 63 mA of drain saturation current(Idss and 363.6 mS/mm of maximum transconductance (Gm) in DC characteristics and current gain cut-off frequency of 106 GHz and maximum frequency of oscillation of 160 GHz in RF characteristics.
While a cutting tool is machining a workpiece at various cutting depth, the feedrate is usually selected based on the maximum depth of cut. Even if this selection can avoid power saturation or tool breakage, it is very conservative compared to the capacity of the machine tools and can reduce the productivity significantly. Many adaptive control techniques that can adjust the feedrate to maintain the constant cutting force have been reported. However, these controllers are not very widely used in manufacturing industry because of the limitations in measuring the cutting force signals. In this paper, turning force control systems based on the estimated cutting force signals are proposed. A synthesized cutting force monitor is introduced to estimate the cutting force as accurately as a dynamometer does. Three control strategies of PI, adaptive and fuzzy logic controllers are applied to investigate the feasibility of utilizing the estimated cutting force fur turning force control. The experimental results demonstrate that the proposed systems can be easily realized in CNC lathe with requiring little additional hardware.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.289-292
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2005
New poly-Si TFTs have been proposed and fabricated in order to increases the output channel resistance ($r_o$). The counter-doped($p^+$) source is tied to the $n^+$ source and is extended into the channel region so that it employs the reverse bias depletion in the channel. As $V_{DS}$ is increased, the depletion width is increased and the effective channel width is reduced. Therefore, the output current saturates well and the $r_o$ is increased successfully. The proposed CMOS devices may improve the amplifier gain of data driver in active-matrix displays
To remedy both the degradation and saturation of the output voltages in the modified Dickson pump. a new multi-stage charge pump circuit is presented in this paper. Here using PMOS charge-transfer switches instead of NMOS ones eliminates the necessity of diode-configured output stage in the modified-Dickson pump, achieving the improved voltage pumping gain and its output voltages proportional to the stage numbers. Measurement indicates that VOUT/3VDD of this new pump circuit with two stages reaches to a value as high as 0.94 even with low VDD=1.0 V, strongly addressing that this scheme is very favorable at low-voltage memory applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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