Ji-Sun Lee;Sunwoog Kim;Mu-Kun Roh;Chang-Yong Oh;Jinho Kim
Korean Journal of Materials Research
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v.34
no.6
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pp.303-308
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2024
The semiconductor and display industries require the development of plasma resistant materials for use in high density plasma etching process equipment. Yttria (Y2O3) is a ceramic material mainly used to ensure good plasma resistance properties, which requires a dense microstructure. In commercial production, a sintering process is applied to reduce the sintering temperature of Y2O3. In this study, the effect of the addition of glass frit to the sintered specimen was examined when manufacturing yttria sintered specimens for semiconductor process equipment parts. The Y2O3 specimen was shaped into a Ø50 mm size and then sintered at 1,600 ℃ for 1~8 h. The characteristics, X-ray diffraction pattern, densities, contraction rate of the specimen, and swelling of the surface of the Y2O3 specimens were investigated as a function of the sintering time and glass frit addition. The Y2O3 specimen exhibited a density of over 4.9 g/cm3 as the sintering time increased, and the swelling phenomenon characteristics were improved by glass frit, by controlling particle size.
An, Yong-Tae;Choe, Byeong-Hyeon;Ji, Mi-Jeong;Jang, U-Seok;Lee, Jun-Ho;Hwang, Hae-Jin
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.181-181
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2009
전자부품용 Pb-free sealing frit의 열팽창계수를 기판에 matching 시키기 위하여 음의 열팽창계수를 가지고 있는 $\beta$-Eucryptite, $\beta$-Spodumene를 합성하여 filler로 첨가하였다. 합성된 filler는 저온소성용 유리프리트의 높은 열팽창계수를 조절하기 용이하고, 유리프리트와 복합화 하여 소성하면 낮은 열팽창계수로 인한 우수한 열충격 저항성을 갖는다. Filler로써 $\beta$-Eucryptite, $\beta$-Spodumene의 결정성을 향상시키기 위해 $1250^{\circ}C$에서 5 시간 동안 유지하는 합성공정을 3회 반복 진행한 후 XRD를 사용하여 결정성을 분석하였고, TMA를 이용하여 filler 첨가량에 따른 유리프리트의 열팽장계수의 변화를 측정하였다. 또한, filler 입도와 함량에 따른 melting 특성을 분석하기 위해 Pill test를 진행하였으며, soda-lime glass 기판과의 접합면을 SEM을 사용하여 관찰하였다.
Sodium hyaluronate (NaHA), water soluble polymer having ultra-high molecular weight, is characterized by using on-line frit inlet asymmetrical flow field-flow fractionation (FI-AFlFFF) and multiangle light scattering (MALS). This study demonstrates the capability of power programming FI-AFlFFF for the separation of NaHA and the applicability of FI-AFlFFF with MALS for the characterization of molecular weight distribution and their structural information. Since sample injection and relaxation in FI-AFlFFF are achieved by using hydrodynamic relaxation, separation of high molecular weight polymers can be achieved smoothly without halting the separation flow. Experiments are carried out with the two different NaHA products (a raw NaHA sample and a thermally degraded NaHA product) and molecular weight distribution and conformations in solution are determined. Influence of sample filtration on the change of molecular weight distribution is also discussed.
Glass frit was selected to be a $Bi_2O_3-RO-R_2O_3$ system as a sealing material to replace the current PbO system in PDP. Fillers such as a zircon, cordierite and ${\beta}-eucryptite$ were added for the control of thermal expansion coefficient (CTE), flowability and strength for sealing. At $450-500^{\circ}C$, reaction of frit and filler and interface were evaluated by a flow button test and SEM observation. The composite (frit and filler) showed CTE in the range of 70-83 x $10^{-7}/K$ and flowability of 14-20mm. It can be a candidate for the replacement of PbO system.
Ceramic green sheets consisting Bi-based glass frit were fabricated for an application to PDP transparent dielectric front panel. The dispersion condition of the slurry for tape casting was pre-examined, and two kinds of hinder and plasticizer were used in the non-aqueous slurry system. In the fabrication process for the frit film, the properties such as dry and firing shrinkage, elongation, and transmittance were examined at the condition of various mixing ratio of plasticizers. In the mixing ratio of polyethylene glycol to dibutyl phthalate of 3:5wt%, a good adhesion, elongation and transmittance were observed at the firing temperature of $580^{\circ}C$. The photograph for the cross section of the interface was also showed a dense microstructure.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.335-335
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2010
$SiO_2$, $B_2O_3$, $Al_2O_3$, CaO, MgO, $Na_2O$, $ZrO_2$, $Bi_2O_3$를 이용하여 성질이 다른 두 종류의 무연계 프릿트를 제조하여 특성을 표준화 하였고, 이들 무연계 프릿트를 이용하여 Ag계 도체 및 $RuO_2$계 저항페이스트롤 제조하여 특성에 미치는 프릿트 조성의 영향을 연구하였다. $B_2O_3$를 첨가하여 퍼짐특성이 큰 프릿트의 경우 더 우수한 페이스트 특성을 나타내었다.
The joining behavior of forsterite ceramics to SUS304 alloy using $8PbO-78Bi_2O_3-8B_2O_3-4ZnO-2SiO_2$ (wt%) system glass frit was investigated. The contact angle was smaller than $90^{\circ}$ at a temperature of $460^{\circ}C$. Redox reaction at the interface between forsterite and SUS304 was found to appear when the electrons in the metal part moved toward the glass part and the oxygen ions in glass moved to the metal side. The decrease of the surface tension due to the PbO solubility on the forsterite side contributed to the better wetting behavior at low temperature.
Influence of Li2O.4B2O3 frit addition on the microstructure and thermal expansion properties of $\beta$-eucryptite ceramics was studied. With 1.0~10.0wt% frit addition, sintering temperature range was enlarged and densified body was obtained. Thermal expansion was increased from -6.67$\times$10-6 $^{\circ}C$-1 of pure sintered body to 1.03$\times$10-6$^{\circ}C$-1 of 6 wt% added body, but this increasement was accompanied by inhibition of thermal expansion anisotropy, so that improved microcracking property.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.06a
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pp.335-338
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1998
The effect of glass flit addition on microwave dielectric properties of BaTiO$_3$-3TiO$_2$ ceramic was studied. Addition of glass frit to this system obtained sintered sample below sintering temperature 105$0^{\circ}C$. At BaTiO$_3$-3TiO$_2$+ g1ass frit 3wt% + BaWO$_4$6 wt%m, this ceramic showed excellent microwave properties of dielectric constant 34, Q$\times$f 8,100, temperature coefficient of resonant frequency 4 ppm/$^{\circ}C$ .
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.278-278
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2007
Ag conductive thick film has been used in bus and address electrodes of PDP (Plasma display panel). In PDP fabrication, the firing temperature of electrode is normally $550{\sim}580^{\circ}C$. For the application of PDP industry, we investigated an Ag conductive thick film with firing temperature. Low melting glass frit was used in the conductive thick film. The thermal properties of Ag and frit were determined by a hot stage microscopy. Based on the our results, we suggest that the Ag conductive thick film should be considered of the firing temperature which is correlated to the shrinkage, conductivity, and shape of thick film.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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