성장기 아동의 치열은 대부분 혼합 치열로, 이 시기에는 유치 탈락 또는 계승치 미맹출로 인해 치열에 빈 공간이 많아지고, 계승치가 맹출되었다 하더라도 고정성 장치를 부착시키고 강한 호선을 적용시키기는 매우 어렵다. 이런 치료 진행의 문제점을 해결하기 위해 horseshoe 장치가 유용하게 사용될 수 있다. 이 장치는 치열에 빈 공간이 있는지의 여부에 관계없이 장치 제작이 가능하며, 치열 상태와 무관하게 전 치열을 하나로 묶어준다. 그리고 구강내에 이미 맹출된 치아의 모든 치면을 피개하므로 치아의 정출과 회전이 발생하지 않으면서 악간 고무줄의 힘에 의해 치조골의 골개조가 상악과 하악 치궁에서 서로 반대 방향으로 유도된다. 경희대학교 치대병원 소아치과에 내원한 환아에서, Horseshoe Appliance를 이용하여 III급 부정교합에서 양호한 결과를 얻었기에 보고하는 바이다.
Flat-panel displays have been growing as an essential everyday product in the current information/communication ages in the unprecedented speed. The forward-coming applications require light-weightness, higher speed, higher resolution, and lower power consumption, along with the relevant cost. Such specifications demand for a new concept-based materials and applications, unlike Si-based technologies, such as amorphous Si and polycrystalline Si thin film transistors. Since the introduction of the first concept on the oxide-based thin film transistors by Hosono et al., amorphous oxide thin film transistors have been gaining academic/industrial interest, owing to the facile synthesis and reproducible processing despite of a couple of shortcomings. The current work places its main emphasis on the binary oxides composed of ZnO and SnO2. RF sputtering was applied to the fabrication of amorphous oxide thin film devices, in the form of bottom-gated structures involving highly-doped Si wafers as gate materials and thermal oxide (SiO2) as gate dielectrics. The physical/chemical features were characterized using atomic force microscopy for surface morphology, spectroscopic ellipsometry for optical parameters, X-ray diffraction for crystallinity, and X-ray photoelectron spectroscopy for identification of chemical states. The combined characterizations on Zn-Sn-O thin films are discussed in comparison with the device performance based on thin film transistors involving Zn-Sn-O thin films as channel materials, with the aim to optimizing high-performance thin film transistors.
The purpose of this study was to assess the results of arthroscopic subacromial decompression in patients with chronic impingement and to evaluate the results according to the rotator cuff pathology. We evaluated the clinical results of treatment for chronic impingement syndrome in 28 patients from Feb 1996 to Feb 1997. There were twenty men and eight women in age from 24 to 72 years (mean age 51) with dominant arm involvement in sixteen patients. Follow up evaluations averaged 15(range 12-24)months. The average duration of symptoms were 15(range 660)months. The final diagnoses which were based on the physical examination, plain radiographs and arthroscopic findings, were stage II impingement in 16 patients and stage ill impingement in 12 patients. We excluded the patients with acromioclavicular arthritis or glenohumeral instability in this study. All patients were managed non-operatively a minimum of six months. During the operation we performed contouring and smoothing the acromial undersurface and only resecting of the anterolateral band of the coracoacromial ligament. The clinical results were quantitated using UCLA shoulder rating score. Satisfactory results were obtained in 23(80%) patients. Unsatisfactory results were obtained in 5(18%) patients with posterior cuff tear. The average UCLA pain score showed significant improvement from 2.8(constant pain) to 7.2(present during heavy activities) at final follow up. The function and active forward flexion scores also increased from their preoperative value. There was no significant differences according to the surface and severity of tear and NeeI' stage (P>0.05). These results compared favorably with those reported following open acromioplasty. While arthroscopic subacromial decompression is a demanding technique with a learning curve, it is a reliable treatment for chronic impingement syndrome. A less aggressive approach to subacromial decompression and preserving the posteromedial band of the coracoacromialligament does not appear to compromise results.
The objective of this study was to analyze the kinematic and kinetic characteristics of two horticultural activities: seed sowing and planting plant. Thirty-one male university students (aged $26.2{\pm}2.0years$) participated in this study. Kinematic factors (movement times, peak velocity, joint angles, and grasp patterns) were assessed using a three-dimensional motion analysis system while the subjects performed the horticultural activities. Kinetic factors (muscle activation of eight upper-limb muscles: the anterior deltoid, serratus anterior, upper trapezius, infraspinatus, latissimus dorsi, biceps brachii, brachioradialis, and flexor carpi radialis) were assessed using surface electromyography. The acts of seed sowing and planting plant were comprised of five tasks which included six types of phases: reaching, grasping, back transporting, forward transporting, watering, and releasing. The movement times, peak velocity, joint angles, and grasp patterns were significantly different across the tasks involved in the horticultural activities. All eight muscles of the upper limbs were utilized during the horticultural activities, and the muscle activation of the serratus anterior was the highest compared to that of the other muscles tested. The kinematic and kinetic characteristics of these horticultural activities showed similar characteristics to reaching and grasping rehabilitation training and daily living activities. The present study provides reference data for common horticultural activities using a kinematic and kinetic analysis.
${\alpha}$상 영역에서의 Pd박막(두께 $180{\AA}$)의 수소흡수 동역학을 4극 전기비저항측정법을 이용하여 연구하였다. 기체상태의 수소를 Pd 박막에 흡수시켰다. ${\alpha}$상의 매우 낮은 농도영역에서 수소 반응율이 다음과 같이 나타내어졌다. $$v=k\frac{1}{1+KX{_H}}PH{_2}-k^{\prime}\frac{KX{_H}{^2}}{1+KX{_H}}$$ 이는 덩어리 시료의 경우와 같다. 정방향반응의 활성화에너지는 4.6kcal/mol H이고 역방향반응의 활성화에너지는 8.4kcal/mol H이다. 반응엔탈피는 25에서 $40^{\circ}C$영역에서 -3.8kcal/mol H 이다. 박막의 활성화에너지와 반응엔탈피값들은 덩어리의 경우에 비하여 조금 작았는데 이는 덩어리와 박막의 표면적의 차이에 의한것으로 추정된다.
The ZnO thin films were grown on GaN template substrates by RF magnetron sputtering at different RF powers and n-ZnO/p-GaN heterojunction LEDs were fabricated to investigate the effect of the RF power on the characteristics of the n-ZnO/p-GaN LEDs. For the growth of the ZnO thin films, the substrate temperature was kept constant at $200^{\circ}C$ and the RF power was varied within the range of 200 to 500W at different growth times to deposit films of 100 nm thick. The electrical, optical and structural properties of ZnO thin films were investigated by ellipsometry, X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) and by assessing the Hall effect. The characteristics of the n-ZnO/p-GaN LEDs were evaluated by current-voltage (I-V) and electroluminescence (EL) measurements. ZnO thin films were grown with a preferred c-axis orientation along the (0002) plane. The XRD peaks shifted to low angles and the surface roughness became non-uniform with an increase in the RF power. Also, the PL emission peak was red-shifted. The carrier density and the mobility decreased with the RF power. For the n-ZnO/p-GaN LED, the forward current at 20 V decreased and the threshold voltage increased with the RF power. The EL emission peak was observed at approximately 435 nm and the luminescence intensity decreased. Consequently, the crystallinity of the ZnO thin films grown with RF sputtering powers were improved. However, excess Zn affected the structural, electrical and optical properties of the ZnO thin films when the optimal RF power was exceeded. This excess RF power will degrade the characteristics of light emitting devices.
PV module is conventionally connected in series with some solar cell to adjust the output of module. Some bypass diodes in module are installed to prevent module from hot spot and mismatch power loss. However, bypass diode in module exposed outdoor is easily damaged by surge voltage. In this paper, we study the thermal and electrical characteristics change of module with damaged bypass diode to easily find module with damaged bypass diode in photovoltaic system consisting of many modules. Firstly, the temperature change of bypass diode is measured according to forward and reverse bias current flowing through bypass diode. The maximum surface temperature of damaged bypass diode applied reverse bias is higher than that of normal bypass diode despite flowing equal current. Also, the output change of module with and without damaged bypass diode is observed. The output of module with damaged bypass diode is proportionally reduced by the total number of connected solar cells per one bypass diode. Lastly, the distribution temperature of module with damaged bypass diode is confirmed by IR camera. Temperature of all solar cells connected with damaged bypass diode rises and even hot spot of some solar cells is observed. We confirm that damaged bypass diodes in module lead to power drop of module, temperature rise of module and temperature rise of bypass diode. Those results are used to find module with a damaged bypass diode in system.
As the consumer market in the VR(virtual reality) and the head-up display industry grows, the demand for 5-axis machines and grooving machines using on a ultra-precision machining increasing. In this paper, ultra-precision diamond tools satisfying the cutting edge width of 500 nm were developed through the process research of a focused ion beam. The material used in the experiment was a single-crystal diamond tool (SCD), and the equipment for machining the SCD used a focused ion beam. In order to reduce the influence of the Gaussian beam emitted from the focused ion beam, the lift-off process technology used in the semiconductor process was used. 2.9 ㎛ of Pt was coated on the surface of the diamond tool. The sub-micron tool with a cutting edge of 492.19 nm was manufactured through focused ion beam machining technology. Toshiba ULG-100C(H3) equipment was used to process fine-pattern using the manufactured ultra-precision diamond tool. The ultra-precision machining experiment was conducted according to the machining direction, and fine burrs were generated in the pattern in the forward direction. However, no burr occurred during reverse machining. The width of the processed pattern was 480 nm and the price of the pitch was confirmed to be 1 ㎛ As a result of machining.
패치 안테나 주위에 mushroom 형태를 가지는 EBG 구조를 길이 방향, 폭 방향과 모든 방향으로 집적한 경우 구조 파라미터에 따른 패치 안테나의 방사 특성을 연구하였다. EBG 구조가 길이 방향을 따라 집적된 경우가 가장 방사 특성이 좋음을 볼 수 있었다. EBG 패치 edge에서 패치 안테나의 피드까지의 거리가 같은 경우가 패치 안테나의 중심까지의 거리가 같은 경우와 비교하여 E-평면 방사패턴이 대칭적이고 전방방사 크기가 커지고 후방방사 크기가 작아짐을 볼 수 있었다. 사용하는 EBG 구조의 주기 수가 4주기 이상이 되게 되면 방사특성 변화는 거의 발생하지 않음을 볼 수 있었다.
Historically, the pattern and technology of Copts' textiles, who were a minority in Egypt, have been studied a lot in the textile sector due to its unique characteristics. Unlike ones in other regions that appeared around the same time, the overall configuration ratio of the patterns looks exaggerated or distorted because they expressed it plainly by interpreting the world with ordinary people's eyes. Also, because it had used mixed linen and woolen yarns, harsh expression way and the use of various colors have been one of the features in Coptic textiles. Coptic textiles, which have been developed along with the historical development of continued domination from neighboring countries, have expressed the effects of the Roman Empire, Christ, Christianity, and Islam on the pattern of its fabric. This study analyzed its characteristics which make people smile by the way of expressing a simple and humorous representation of the textiles and categorized them as Humoristic Beauty - the aesthetic category of humorous feature. In this study, the Humoristic Beauty in Coptic textiles has been analyzed in terms of the following three smiles; the smiles coincidental with the flow of time, the smiles made by the shaping of distorted proportions and appearance, and the smiles like folk-paintings made by a rustic expression way. This study shows the possibility of the further studies on the textile patterns history from a different angle. I look forward to more detailed analysis in the follow-up studies in the future.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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