Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.207.2-207.2
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2013
Oxide-based thin film transistors have been attempted as powerful candidates for driving circuits for active-matrix organic light-emitting diodes and transparent electronics. The oxide TFTs are based on the amorphous multi-component oxides involving zinc, indium, and/or tin elements as main cation sources. The current work employed RF sputtering in order to deposit zinc-tin oxide thin films applicable to transparent oxide thin film transistors. The deposited thin film was characterized and probed in terms of materials and devices. The physical/chemical characterizations were performed using X-ray diffraction, Atomic Force Microscopy, Spectroscopic Ellipsometry, and X-ray Photoelectron Spectroscopy. The thin film transistors were fabricated using a bottom-gated structure where thermally-grown silicon oxide layers were applied as gate-dielectric materials. The inherent properties of oxide thin films are combined with the corresponding device performances with the aim to fabricating the multi-component oxide thin films being optimized towards transparent electronics.
The wettability of Sn-Xwt%Cu(X=$0{\sim}3wt%$) solder was evaluated with wetting balance tester. And, the intermetallic compounds(IMCs) which were formed at the interface between solders and pads were investigated by using scanning electron microscopy(SEM) and energy dispersive spectroscopy(EDS). The wetting force of Sn-0.7wt%Cu solder was higher than that of 100wt%Sn and Sn-3.0wt%Cu solder. The value of $\gamma_{fl}$ and ($\gamma_{fs}-\gamma_{ls}$) had a tendency to increase with increasing the wetting temperature. The activation energy with bare Cu pad and flux with 15% solid content was increased in the following order: Sn-0.7Cu (68.42 kJ/mol) ; Sn-3.0Cu(72.66 kJ/mol) ; Sn solder(94.53 kJ/mol). It was identified that the Cu6Sn5 phase was formed at the interface between Sn-Xwt%Cu solder and Cu pad.
반도체 소자가 점점 고집적회되고 고성능화되면서 Si 기판 세정 방법은 그 중요성이 더욱 더 커지고 있다. 특히 ULSI급 소자에서는 세정 방법이 소자 생산수율 및 신뢰성에 큰 영향을 끼치고 있다. 본 연구에서는 HF-last 세정에 UV/O3과 SC-1 세정을 삽입하여 그 영향을 관찰하였다. 세정 방법은 HF-last 세정을 기본으로 split 1(piranha+HF), split 2(piranha+UV/O3+HF), split 3(piraha+SC-1+HF), split 4(piranha+(UV/O3+HF) x3회 반복)의 4가지 세정 방법으로 나누어 실험하였다. 세정을 마친 Si 기판은 Total X-Ray Fluorescence Spectroscopy(AFM)을 사용하여 표면거칠기를 측정하였다. 또한 세정류량을 측정하고, Atomic Force Microscopy(AFM)을 사용하여 표면거칠기를 측정하였다. 또한 세정후 250$\AA$의 gate 산화막을 성장시켜 전기적 특성을 측정하였다. UV/O3을 삽입한 split 2와 split 4세정방법이 물리적, 전기적 특성에서 우수한 특성을 나타냈고, SC-1을 삽입한 split 3세정 방법이 표준세정인 split 1세정 방법보다 우수하지 못한 결과를 나타냈다.
The electrolyte effects of the electroplating solution in Cu films grown by ElectroPlating Deposition(EPD) were investigated. The electroplated Cu films were deposited on the Cu(20 nm)/Ti (20 nm)/p-type Si(100) substrate. Potentiostatic electrodeposition was carried out using three terminal methods: 1) an Ag/AgCl reference electrode, 2) a platinum plate as a counter electrode, and 3) a seed layer as a working electrode. In this study, we changed the concentration of a plating electrolyte that was composed of $CuSO_4$, $H_2SO_4$ and HCl. The resistivity was measured with a four-point probe and the material properties were investigated by using XRD(X-ray Diffraction), an AFM(Atomic Force Microscope), a FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscope) and an XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy). From the results, we concluded that the increase of the concentration of electrolytes led to the increase of the film density and the decrease of the electrical resistivity of the electroplated Cu film.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.30
no.5
s.248
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pp.397-404
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2006
Effects of surface defect distribution on flame instability during flame-surface interaction are experimentally investigated. To examine chemical quenching phenomenon which is caused by radical adsorption and recombination processes on the surface, thermally grown silicon oxide plates with well-defined defect density were prepared. ion implantation technique was used to control the number of defects, i.e. oxygen vacancies. In an attempt to preferentially remove oxygen atoms from silicon dioxide surface, argon ions with low energy level from 3keV to 5keV were irradiated at the incident angle of $60^{\circ}$. Compositional and structural modification of $SiO_2$ induced by low-energy $Ar^+$ ion irradiation has been characterized by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). It has been found that as the ion energy is increased, the number of structural defect is also increased and non-stoichiometric condition of $SiO_x({\le}2)$ is enhanced.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2003.05a
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pp.54-54
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2003
MgO layer는 POP 패빌 내 유전증을 이온의 스퍼터링으로부터 보호하여 주며, 또한 높은 이차 전자 밤출 계수의 특성을 가지고 있어 구동 및 유지 전압을 낮춰 주는 역할을 한다. 그러나. MgO layer는 $H_20,{\;}CO_2,{\;}N_2,{\;}0_2$ 그리고 $H_2$와 같은 불순물 들을 쉽게 를착하는 단점이 있어, PDP의 특성 및 수명 단축에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 본 연구에서는 atmospheric pressure plasma cleaning 과 low pressure i inductively coupled plasma (ICP) cleaning 처리에 의하여, 보호층으로 사용이 되는 MgO layer의 outgassing 특성을 조사하고자 한다. plasma cleaning에 의한 MgO layer 표면의 roughness와 불순물의 변화를 알아보기 위 하여 atomic force microscopy(AFM)과 x-ray p photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 측정 하였다. 또한, outgassing의 특성을 분석하기 위하여 MgO layer를 $400^{\circ}C$ 까지 온도를 가하여 온도에 따른 outgassing의 특성을 quadrupole mass spectrometer(QMS)를 이용하여 알아보았다. atmospheric pressure plasma cleaning 에서는 $He/O_2/Ar/N_2$의 gas를 사용하였으며, low pressure ICP cleaning 에 서는 Ar의 gas를 사용하였다. atmospheric pressure plasma cleaning는 low pressure ICP C cleaning과 비교해 더 낮은 outgassing을 관잘 할 수 있었으나. MgO 표면의 roughness는 low pressure ICP cleaning 후 더 낮은 것을 알 수 있었다. 또한 $He/O_2/Ar/N_2$의 gas를 사용 한 atmospheric pressure plasma cleaning 과 $Ar/O_2$의 gas를 사용한 ICP cleaning에서 이 차전자방출계수(SEEC)가 약 1.5~2.5배 증가된 것을 알 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.65-65
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2010
Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is expected to be applied for making patterns below 32 nm in device industry. An ultrathin EUV photoresist (PR) of a few nm in thickness is required to reduce minimum feature size further. Here, we show that pentacene molecular layers can be employed as a new EUV resist for the first time. Dots and lines in nm scale are successfully realized using the new molecular resist. We clearly provide the mechanism for forming the nanopatterns with scanning photoemission microscope (SPEM), EUV interference lithography (EUV-IL), atomic force microscope (AFM), photoemission spectroscopy (PES), etc. The molecular PR has several advantages over traditional polymer EUV PRs; for example, high thermal/chemical stability, negligible outgassing, ability to control the height and width on the nanometer scale, leaving fewer residuals, no need for a chemical development process and thus reduction of chemical waste to make the nanopatterns. Besides, it could be applied to any substrate to which pentacene bonds chemically, such as $SiO_2$, SiN, and SiON, which is of importance in the device industry.
Inspired by the specific amino acid sequence Asn-Pro-Ala (NPA) of water channel aquaporins (AQPs), we fabricated polyamide (PA) nanofiltration (NF) membranes by introducing reduced glutathione (GSH) in interfacial polymerization (IP) method. Fourier transform infrared spectroscopy (ATR-FTIR), X-ray photoelectron spectrometry (XPS), scanning electron microscope (SEM), atomic force microscopy (AFM), zeta potential and static water contact angle measurement were employed to characterize the chemical composition, morphology, electronegativity and hydrophilicity of the NF membranes. The water flux of GSH/PIP-TMC NF membrane reached $32.00L\;m^{-2}h^{-1}$ at 0.2 MPa, which was approximately twice than that of pristine PIP-TMC NF membrane when the ratio of GHS to piperazidine (PIP) was 40% during IP process. More water channels were built as GSH was embedded into PA layer. The fabricated NF membranes also took on potent rejection for dyes and $Na_2SO_4$. This study presents a simple and facile method to simulate water channels-based biological materials which may find potential application in water treatment.
Black cobalt solar selective coatings were prepared by thermal oxidation of electroplated cobalt metal on copper and nickel substrates. The optical properties and structure of the black cobalt selective coating for solar energy utilizations were characterized by glow discharge spectrometry (GDS), ultraviolet-visible-near infrared (UV-VIS-NIR) spectrometer, atom force microscopy(AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical properties of optimum black cobalt selective coating prepared on copper substrate were a solar absorptance of 0.82 and a thermal emittance of 0.01. From the GDS depth profile analysis of these coatings, the concentration of cobalt particles near the interface was higher than at the surface, but oxygen concentration at the surface was higher than at the interface. These results suggest that the selective absorption was dominated by this chemical composition variation in the coating. The surface of this film exhibited morphology with root-mean-square(rms) roughness of about 144.3nm. XPS measurements data showed that several phases of Co coexist($Co_3O_4$,CoO) in the film.
So, Hyung-Suk;Shin, Hyun-Chul;Yoo, Yeong-Seok;Schaeffer Andreas
Journal of Magnetics
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v.10
no.3
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pp.89-92
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2005
The analytic possibility of mobile lead contained in soil has been studied using carboxylated magnetic beads. Extraction of heavy metal was performed to contaminated soil that has been collected and supplied for tests. As experiment materials, soil sample, distilled water and magnetic beads were only used. It means that the lead was extracted under neutral condition. In this condition, only the mobile fraction of lead could be extracted by magnetic beads. The mobile lead in the soil was quickly combined with magnetic beads in the mixture process. Then, the magnetic beads were dissolved into acids after collection by external magnetic force, and the lead combined with the beads was eluted and analyzed by Graphite Furnace Atomic Absorption Spectroscopy (GFAAS). In the results of extraction experiments for 3 sandy soils, the efficiency using beads was similar to or higher than that of EDTA (Ethylendiamintetraacetic acid), which is normally used for analyzing mobile heavy metal concentration in soil. With this, it was shown that this method is a more accurate and simple method to analyze mobile lead when analyzing mobile heavy metal concentration in sandy soil, rather than conventional method using EDTA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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