Yoon, Hye Soo;Kim, Kwang-Dae;Jeong, Myung-Geun;Kim, Dae Han;Park, Eun Ji;Jeong, Bora;Cho, Youn Kyoung;Kim, Young Dok
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.167.1-167.1
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2014
We report a facile method to fabricate superhydrophobic, transparent and conductive film using multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) which are coated by polydimethylsiloxane (PDMS). In order to prepare a film, PDMS coated MWCNTs were dispersed in solvents and the solution was drop-casted on substrates. It was demonstrated that the PDMS coating enhanced the dispersion of MWCNTs in diverse solvents such as dimethyl formamide(DMF) and acetone without the use of acids or surfactants, which are the common methods. In the case of DMF solvent, dispersion of MWCNT was improved by 40 % upon PDMS-coating of MWCNT. Enhanced dispersion of MWCNTs made it possible to fabricate transparent and conductive film homogeneously on the substrate and PDMS-coating on MWCNTs also made the surface hydrophobic. We can fabricate a uniform and multifunctional MWCNT film (transparent, conductive, superhydrophobic and flexible) which is applicable on large area without any physical damage and expensive equipment.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제9권3호
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pp.79-81
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2008
A single-wall carbon nanotube (SWNT) transparent conductive film (TCF) was fabricated using a simple inkjet printing method. The TCF could be selectively patterned by controlling the dot size to diameters as small as $34{\mu}m$. In this repeatable and scalable process, we achieved 71% film transmittance and a resistance of 900 ohm/sq sheet with an excellent uniformity, about ${\pm}5%$ deviation overall. Inkjet printing of SWNT is substrate friendly and the TCF is printed on a flexible substrate. This method of fabrication using direct printing permits mass production of TCF in a large area process, reducing processing steps and yielding low-cost TCF fabrications on a designated area using simple printing.
Atomic Layer Deposition (ALD) has remarkably developed in semiconductor and nano-structure applications since early 1990. Now, the advantages of ALD process are well-known as controlling atomic-level-thickness, manipulating atomic-level-composition control, and depositing impurity-free films uniformly. These unique properties may accelerate ALD related industries and applications in various functional thin film markets. On the other hand, one of big markets, Display industry, just starts to look at the potential to adopt ALD functional films in emerging display applications, such as transparent and flexible displays. Unlike conventional ALD process strategies (good quality films and stable precursors at high deposition processes), recently major display industries have suggested the following requirements: large area equipment, reasonable throughput, low temperature process, and cost-effective functional precursors. In this talk, it will be mentioned some demands of display industries for applying ALD processes and/or functional films, in terms of emerging display technologies. In fact, the AMOLED (active matrix organic light emitting diode) Television markets are just starting at early 2013. There are a few possibilities and needs to be developing for AMOLED, Flexible and transparent Display markets. Moreover, some basic results will be shown to specify ALD display applications, including transparent conduction oxide, oxide semiconductor, passivation and barrier films.
We prepared a flexible and transparent CuO/Cu/CuO multilayer electrodes on a polyethylene terephthalate (PET) substrate using a specially designed roll-to-roll sputtering system at room temperature for GFF-type touch screen panels (TSPs). By the continuous roll-to-roll sputtering of the CuO and Cu layer, we fabricated a flexible CuO(150nm)/Cu(150nm)/CuO(150nm) multilayer electrodes with a sheet resistance of $0.289{\Omega}/square$, resistivity of $5.991{\times}10^{-23}{\Omega}-cm$, at the optimized condition without breaking the vacuum. To investigate the feasibility of the CuO/Cu/CuO multilayer as a transparent electrode for GFF-type TSPs, we fabricated simple GFF-type TSPs using the diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode on PET substrate as function of mesh line width. Using diamond patterned CuO/Cu/CuO electrode of mesh line $5{\mu}m$ with sheet resistance of 38 Ohm/square, optical transmittance of 90% at 550 nm and an average transmittance of 89% at wavelength range from 380 to 780 nm, we successfully demonstrated GFF-type touch panel screens (TPSs). The successful operation of GFF-type TPSs with CuO/Cu/CuO multilayer electrodes indicates that the CuO/Cu/CuO multilayer is a promising transparent electrode for large-area capacitive-type TPSs due to its low sheet resistance and high transparency.
In the field of medical and marine industries, antibacterial surfaces have been emerged as one of the most important issues. Recently, many researchers have been studying antibacterial surfaces to kill bacteria or prevent the adhesion of bacteria. In their researches, various materials and structures are suggested to inhibit the adhesion of bacteria or kill the attached bacteria. However, chemical materials such as antibiotics or metal could be toxic. Moreover, frequent use of antibiotics causes super bacteria having resistance to antibiotics. In this study, nano-pillar structured surface was fabricated using polyurethane acrylate (PUA) and the mechanically induced antibacterial function was confirmed based on the fabricated nanostructures. Nanostructures can damage the bacterial membrane of Gram-negative bacteria through stretching of bacterial membrane via interaction with the nanostructures and the bacterial membrane. Consequently, the proposed transparent, flexible and nanostructured PUA films can be one of promising candidates for antifouling and antibacterial surfaces which can be applied in various industries.
Kim, Jin-Seong;Cho, Kyung-Hoon;Seong, Tae-Geun;Choi, Joo-Young;Nahm, Sahn
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2010년도 춘계학술회의 초록집
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pp.17-17
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2010
The amorphous $Bi_5Nb_3O_{15}$ film grown at room temperature under an oxygen-plasma sputtering ambient (BNRT-$O_2$ film) has a hydrophobic surface with a surface energy of $35.6\;mJm^{-2}$, which is close to that of the orthorhombic pentacene ($38\;mJm^{-2}$, resulting in the formation of a good pentacene layer without the introduction of an additional polymer layer. This film was very flexible, maintaining a high capacitance of $145\;nFcm^{-2}$ during and after 10s bending cycles with a small curvature radius of 7.5 mm. This film was optically transparent. Furthermore, the flexible, pentacene-based, organic thin-film transistors (OTFTs) fabricated on the polyethersulphone substrate at room temperature using a BNRT-$O_2$ film as a gate insulator exhibited a promising device performance with a high field effect mobility of $0.5\;cm^2V^{-1}s^{-1}$, an on/off current modulation of $10^5$ and a small subthreshold slope of $0.2\;Vdecade^{-1}$ under a low operating voltage of -5 V. This device also maintained a high carrier mobility of $0.45\;cm^2V^{-1}s^{-1}$ during the bending with a small curvature radius of 9 mm. Therefore, the BNRT-$O_2$ film is considered a promising material for the gate insulator of the flexible, pentacene-based OTFT.
Graphene is only one atom thick planar sheet of sp2-bonded carbon atoms arranged in a honeycomb crystal lattice, which has flexible and transparent characteristics with extremely high mobility. These noteworthy properties of graphene have given various applicable opportunities as electrode and/or channel for various flexible devices via suitable physical and chemical modifications. In this work, for the development of all-graphene devices, we performed to synthesize alternately patterned structure of mono- and multi-layer graphene by using the patterned Ni film on Cu foil, having much different carbon solid solubilities. Depending on the process temperature, Ni film thickness, introducing occasion of methane and gas ratio of CH4/H2, the thickness and width of the multi-layer graphene were considerably changed, while the formation of monolayer graphene on just Cu foil was not seriously influenced. Based on the alternately patterned structure of mono- and multi-layer graphene as a channel and electrode, respectively, the flexible TFT (thin film transistor) on SiO2/Si substrate was fabricated by simple transfer and O2 plasma etching process, and the I-V characteristics were measured. As comparing the change of resistance for bending radius and the stability for a various number of repeated bending, we could confirm that multi-layer graphene electrode is better than Au/Ti electrode for flexible applications.
Aromatic diamine containing ortho catenation and methyl group was synthesized from 4-methyl catechol and 4-nitrobenzoyl chloride. Subsequently, a poly(amic acid) was prepared by reacting 4-methyl-1,2-phenylene bis(4-aminobenzoate) with 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride (6FDA). The resulting poly(amic acid) was transformed into a polyimide through chemical imidization. The polyimide formed was soluble in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and could be cast into a flexible, transparent film. Furthermore, the polyimide exhibited a 5% weight loss at 380 ℃ in the nitrogen atmosphere.
Next-generation displays should be transparent and flexible as well as having high resolution and frame number. The main factor for active matrix organic light emitting diode and next-generation displays is the development of TFTs (thin-film transistors) with high mobility and large area uniformity. The TFTs used for transparent displays are mainly oxide TFT that has oxide semiconductor as channel layer. Zinc-oxide based substances such as indium-gallium-zinc-oxide has attracted attention in the display industry. In this paper, the mobility improvement of low cost oxide TFT is studied for fast operating next-generation displays by overcoming disadvantages of amorphous silicon TFT that has low mobility and poly silicon TFT that requires expensive equipment for complex process and doping process.
Indium Tin Oxide (ITO) has been used widely for transparent conducting thin films. In this work, the feasibility of a laser sintering process to fabricate ITO thin films on flexible substrates is examined. Nanoparticles of ~10 nm were spin coated on a Si wafer and then sintered by a KrF excimer laser. The sintered structure was characterized by scanning electron microscopy. Polycrystalline structures were fabricated by the process without thermally damaging the substrate. The electrical resistivity of the film was reduced to ~ 1/1000 of the initial value. This work demonstrates that nanosecond laser sintering of ITO particles can be a useful tool to fabricate ITO films on various flexible substrates.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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