Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.15
no.7
/
pp.634-639
/
2002
Using laser ablation technique carbon thin films were deposited on Si(100) substrate as a function of substrate temperature. In this study, the surface morphologic, structural and field emission properties of these carbon thin films were investigated using Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and a diode technique, respectively. With increasing of the substrate temperature, the surface morphologies were changed significantly. Moreover, the intensity of D-band and the full width at half maximum of these bands were dependent on substrate temperatures. As the substrate temperature was increased, the field emission properties were improved. As the result, we find that the field emission properties of the films were changed significantly with the substrate temperature and structural features of carbon than films.
This investigation deals with the process of field electron emission from composite microemitters. Tested emitters consisted of a tungsten or carbon-fiber core, coated with a dielectric material. Two coating materials were used: (1) Clark Electromedical Instruments Epoxylite resin and (2) Epidian 6 Epoxy resin (based on bisphenol A). Various properties of these emitters were measured, including the current-voltage characteristics, which are presented as Fowler-Nordheim plots, and the corresponding electron emission images. A field electron microscope with a tip (cathode) to screen (anode) distance of 10 mm was used to electrically characterize the emitters. Measurements were carried out under ultra-high vacuum conditions with a base pressure of $10^{-6}$ Pascal ($10^{-8}$ mbar).
This paper describes a new design of carbon nanotube tip. $Nanocly^{TM}$ NC 7000 Thin Multiwall Carbon Nanotubes of carbon purity (90%) and average diameter tube 9.5 nm with a high aspect-ratio (>150) were used. These tips were manufactured by employing a drawing technique using a glass puller. The glass microemitters with internal carbon nanotubes show a switch-on effect to a high current level (1 to $20{\mu}A$). A field electron microscope with a tip (cathode)-screen (anode) separation at ~10 mm was used to characterize the electron emitters. The system was evacuated down to a base pressure of ${\sim}10^{-9}$ mbar when baked at up to ${\sim}200^{\circ}C$ overnight. This allowed measurements of typical Field Electron Emission characteristics; namely the current-voltage (I-V) characteristics and the emission images on a conductive phosphorus screen (the anode). Fowler-Nordheim plots of the current-voltage characteristics show current switch-on for each of these emitters.
Dynamic behavior of carbon nanotubes (CNTs) in an electric field is directly observed by in-situ transmission electron microscopy (TEM). The CNT field emitters examined by in-situ TEM are multiwalled, double-walled and single walled CNTs. Threshold fields for electron emission and sustainable emission currents depending on the structure of CNTs are presented, and degradation mechanism of the CNT field emitters is discussed. In addition to the microscopy studies on individual CNTs, our recent development in surface treatment of CNT layers grown by chemical vapor deposition, which brings about high density of emission current and high uniformity, is also presented.
In this study we have investigated cathodoluminescence (CL) and structural properties of thin film $ZnGa_2O_4:Mn$ oxide phosphor by using field emission scanning electron microscopy (FESEM), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL), and cathodoluminescence. PL emission peaked at 506 nm was observed from the $ZnGa_2O_4:Mn$ phosphor target and it was attributed to the $^4T_1-^6A_1$ transition in $Mn^{2+}$ ion. The color coordinates of the emission were x = 0.09 and y = 0.67. The $ZnGa_2O_4:Mn$ films showed the excitation spectrum peaked at 294 nm by $Mn^{2+}$ ion absorption. It was found that the higher intensity of CL emission at 505 nm appears to result from the denser and closely-packed structure in $ZnGa_2O_4:Mn$ phosphor films deposited at lower pressures. The CL intensity did not show any systematic dependence on film surface roughness.
Kim, Jong-Pil;Noh, Young-Rok;Lee, Sang-Yeol;Park, Jin-Seok
Proceedings of the KIEE Conference
/
2009.07a
/
pp.1270_1271
/
2009
In this research, gallium-incorporated zinc oxide (ZnO:Ga) thin films have been used as a coating material for enhancing the field-emission property of CNT-emitters. Multi-walled CNTs were directly grown on conical-type ($250{\mu}m$ in diameter) metal-tip substrates at $700^{\circ}C$ by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD). The pulsed laser deposition (PLD) technique was used to produce 5wt% gallium-doped ZnO (5GZO) films with very low stress. The structural properties of ZnO and 5GZO coated CNTs were characterized by Raman spectroscopy. Field emission scanning electron microscopy (FESEM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) were also used to monitor the variation in the morphology and microstructure of CNTs before and after 5GZO-coating. The measurement of the field emission characteristics showed that the emitter that coated the 5GZO (10nm) on CNTs exhibited the best performance: a maximum emission current of $325{\mu}A$, a threshold field of 2.2 V/${\mu}m$.
In this study, we will describe a new design of carbon nanotubes tip. Single-walled carbon nanotubes produced using high-pressure CO over Fe particles (HiPCO) at CNI, Houston, TX used in this study. These tips were manufactured by employing a drawing technique using glass puller. Field electron microscopies with tips (cathode) to screen (Anode) separation of ~10 mm was used to characterize the electron emitters. The system was evacuated down to base pressure of (${\sim}10^{-8}$ mbar) when baked at up to (${\sim}200^{\circ}C$) over night. An electron field emission patterns, as well as current versus voltage characteristics and Fowler-Nordheim plots, are discussed.
The field emission characteristics of defective diamond films grown by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) have been studied. X-ray diffraction, the poor crystal quality and/or small grain sizes of the diamond phase and the inclusion of the non-diamond carbon phases in these films have been condirmed by raman spectroscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and the reflectance measurements. The degrees of the film defectiveness and the emission characteristics were dependent on the methane concentration. Current-versus-voltage measurements have demonstrated that the defective diamond films have good electron emission characteristics. characteristics strongly suggests the defect-related electron-emission mechanism. The defective diamond films deposited on Si substrates show the field emission current density of 1$\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ and 1mA/$\textrm{cm}^2$ have been measured at electric fields as low as 4.5V/$\mu\textrm{m}$ and 7.6V/$\mu\textrm{m}$, respectively. We also observed the similar emission characteristics from the defective diamond film deposited on Cr/Si substrate and could decrease the deposition temperature to $600^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2013.02a
/
pp.424-424
/
2013
Ce3+, Sm3+, Eu3+, Tb3+ 등 희토류를 도핑한 여러 종류의 형광체는 백색 LED (white light-emitting diode), 전계방출표시소자(field emission display), 플라즈마디스플레이패널(plasma display panel), 약물 운송(drug delivery) 등 다양한 분야에서 응용되고 있다. 최근에는 졸-겔 방법(sol-gel method)을 이용하여Y2SiO5, Y3-XGdxAl5O12, SrAl2O4 등 여러 종류의 호스트 물질을 합성하여 형광체의 특성을 분석하는 연구가 활발히 진행되고 있다. 이러한 졸-겔 방법은 비교적 낮은 온도에서 간단한 공정으로 좋은 균질성과 높은 생산성을 갖도록 형광체를 제작할 수 있는 장점을 가지고 있다. 이에 본 연구에서는 졸-겔 방법을 이용하여 BaGd2TiO13구조를 제작하였고, 이러한 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위하여 열분석기(thermal analyzer), 전계방출형주사전자현미경(field emission scanning electron microscopy), 투과전자현미경(field emission transmission electron microscopy)을 이용하였다. 이러한 졸-겔 방법을 이용하여 제작한 BaGd2TiO13 구조의 형광체 적용 연구를 통한 디스플레이 및 백색 LED 응용에 유용할 것으로 기대된다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.