• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.844-847
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• 2001

In this work, transient characteristics of the Non-Punch Through(NPT) Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) has been studied. we has analyzed with lifetimes excess minority carrier injected into N-dirft, base region of IGBT's BJT part and accumulated charge of on-state which affected swiching characteristic. In this paper, excess minority carrier and charge distribution in active base region is expressed analytically. This analysis proposed optical trade-off between lifetimes and accumulated charge for decreasing switching losses because charge result in switching loss when device was tuned off.

• Journal of Power Electronics
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• 제16권2호
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• pp.778-785
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• 2016

An excess carrier lifetime extraction method is derived for physics-based insulated gate bipolar transistor (IGBT) models with consideration of the latest development in IGBT modeling. On the basis of the 2D mixed-mode Sentaurus simulation, the clamp turn-off test is simulated to obtain the tail current. The proposed excess carrier lifetime extraction method is then performed using the simulated data. The comparison between the extracted results and actual lifetime directly obtained from the numerical device model precisely demonstrates the accuracy of the proposed method.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권11호
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• pp.1172-1174
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• 1998

Spatial(radial and height) distributions of excited argon species are measured for an inductively coupled plasma under five operating conditions: 1) no carrier gas, 2) carrier gas without aerosol, 3) carrier gas with desolvated aerosol, 4) carrier gas with aerosol, 5) carrier gas with aerosol and excess lithium. A complete RF power mapping of argon excited states is obtained. The excited states of argon for a typical analytical torch rapidly diffuse towards the center in the higher region of the plasma. The presence of excess lithium makes no significant change in the excited states of argon. The increase in the RF power increases the intensity of argon excited states uniformly across the radial coordinate.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.292-295
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• 2002

In this work, transient characteristics of NPT(Non Punch Through)-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) have been studied with different temperatures analytically. Power losses are caused by heat generated in MIT-IGBT for steady state and transient state conditions. We therefore have focused on the analysis of excess carrier concentration and excess charge injected into N-drift layer with different temperatures and have obtained anode voltage drop during turn-off with lifetime of 2.4[${\mu}$s].

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.405-408
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• 2004

In this work, Analytical model for voltage and current characteristics of NPT(Non-PunchThrough) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) was represented. voltage and current characteristics models were based on prediction on power loss of NPT IGBT during transient condition. For Analytical current model, excess carrier concentration and accumulated charge in active base width was analyzed with time variance. Analytical models were simulated by varying lifetime of excess minority carrier.

• 대한화학회지
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• 제30권3호
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• pp.327-332
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• 1986

유도결합 플라스마 공간내의 전자밀도를 측정하였다. 전자밀도의 측정시 유도결합 플라스마의 작동조건은, (1) 냉각기체만 사용할 때, (2) 냉각기체와 운반기체만을 사용할 때, (3) 보통의 작동조건은, 즉 에아로졸을 포함한 운반기체를 사용할 때, (4) 약 88%의 에아로졸을 제거시켰을 때, 그리고 (5) 과량의 리튬을 주입시켰을 때로서 분류하였다. 보통의 작동조건에서 플라스마의 낮은 부분에서는 전자밀도가 상당히 감소하여 플라스마내의 가장 전자밀도가 큰 곳보다 약 80배 감소하였다. 이온화 방해영향을 일으키는 알칼리금속을 과량으로 넣었을 때 전자밀도의 변화는 관찰되지 않았고 유도코일의 power를 증가시키면 전자밀도도 증가하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권9호
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• pp.8-13
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• 2008

균일하게 도핑된 반도체에서, 분포된 확산 잡음원에 의해서 발생하는 단자잡음전류의 전력주파수밀도를 계산하였다. 고정된 전압에서 반도체의 길이가 작아짐에 따라, 또는 주어진 반도체에서 전류레벨이 증가함에 따라, AC 단락잡음전류는 열잡음 뿐만 아니라 과잉잡음을 보인다. 이 과잉잡음은 채널길이가 외인성 Debye 길이에 비해 매우 작은 경우에는 산탄잡음의 스펙트럼과 같은 모습을 보인다. 유한한 주파수에서 속도요동 잡음원에 의한 외인성 반도체에서 발생하는 과잉잡음을 최초로 유도하였다. 유도된 과잉잡음 공식은 반도체 채널의 통과 시간, 유전 이완 시간, 속도 이완 사이의 상호 작용에 따라 단자잡음 전류와 캐리어 농도 요동이 결정됨을 명시적으로 보여준다. 또한 유도된 해석적 식을 사용하여 여러 가지 반도체 샘플 길이와 바이어스, 주파수에 따른 잡음 스펙트럼의 변화도를 계산하였다. 유도된 공식은 quasi-ballistic 수송현상이 중요한 역할을 하는 나노스케일 MOSFET의 잡음 발생 기제를 이해할 수 있는 기반이 된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.581-586
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• 1998

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, X-선 단면 측정 및 습식 산화/선택적 식긱 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 산만 산란 정도와 X-선 과잉 강도의 적분값은 비례적으로 증가하였으며, 그 값을 Grade 1의 손상된 웨이퍼에서의 과잉 강도로 정규화하면 과잉 강도의 상대 정량비는 Geade 1:Grade 2:Grade 3 = 1:7:18.4이다.

• 소성∙가공
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• 제14권2호
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• pp.153-159
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• 2005

Design modification of the stamping die for the upper member of a front end module carrier is carried out in order to improve the surface quality of the final product. The small inferiority induced by wrinkling near the wall of the upper member has been inspected after the draw-forming process. The finite element analysis is pursued with the whole geometry in order to consider the complicated shape. The simulation shows that the excess metal is developed by the irregular contact of the blank the tool and it remains after the final stroke. This paper proposes two guidelines for the modification. One is to add the draw-bead near the critical region in order to increase the draw-in force. The other is to modify the tool shape such as the forming shape at the wall in order to absorb the excess metal before the final stroke. Simulation results show that the proposed guidelines both guarantee the improved surface quality.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.374-377
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• 2003

In this paper, turn on characteristics of (Punch-Through Insulated Gate Bipolar Transistor) PT-IGBT has been studied. Based on the transient power loss, turn on charges first base to collector capacitance. Furthermore we present the charge variation in the base including n+ buffer layer to express the transient turn-on characteristics of the device.