• 제목/요약/키워드: etcher

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Ar 중성빔과 $BCl_3$를 이용한 $ZrO_2$의 원자층 식각에 관한 연구

  • 김이연;임웅선;박병재;염근영
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.107-107
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    • 2009
  • 본 연구에서는 중성빔을 이용한 Atomic Layer Etching(ALET) system을 이용하여 $ZrO_2$의 atomic layer etching mechanism에 대하여 연구하였다. Ar neutral beam irradiation dose와 $BCl_3$ gas pressure의 변화에 따라 $ZrO_2$ etch rate와 RMS roughness를 관찰했을 때, Ar neutral beam irradiation dose이 $1.485{\times}10^{16}atoms/cm^2{\bullet}cycle$ 이상이고 $BCl_3$ gas pressure가 0.15mTorr 이상 일 때 $ZrO_2$ etch rate은 $1.07\;{\AA}/cycle$의 일정한 값에서 유지됨을 확인하였다. 그리고 ALET와 ICP Etcher을 통해 $ZnO_2$를 각각 식각하여 physically or chemically damage를 비교한 결과, ALET가 기존의 ICP Etcher system보다 $ZrO_2$ 식각공정에 대해 적은 damage를 받는 것을 ARXPS를 통해 관찰 하였다.

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식각장비의 RF 정합모듈 성능 개선 (Matching Improvement of RF Matcher for Plasma Etcher)

  • 설용태;이의용;권혁민
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제9권2호
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    • pp.327-332
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    • 2008
  • 본 논문에서는 반도체 소자와 디스플레이 패널의 제조공정에 사용되는 플라즈마 식각장비의 RF 정합특성을 개선하기 위한 모듈을 제안하였다. 구동부의 기구 중 베벨기어를 웜기어로 새롭게 설계 제작하고 제어부도 원칩 마이크로 프로세서를 이용하여 재구성하였다. 개발된 모듈은 기존의 정합장치보다 다양한 공정변수에 대한 능동적인 대처가 가능하고, 모터의 흐름현상 등을 개선함으로서 RF 정합특성이 개선되어, 플라즈마 식각공정의 생산성을 향상시킬 수 있음을 보였다.

Etcher 전극용 플라즈마 전해산화 피막의 특성 평가 기술

  • 민관식;차덕준;윤주영;신용현;강두홍;성기훈;김성철;윤상희;김진태
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.119-119
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    • 2012
  • 경질 Anodizing에 비해 플라즈마 전해산화(Plasma Electrolytic Oxidation, PEO)에 의해 생성된 알루미늄 피막의 내식성이 우수하다고 알려져 있다. PEO는 기존의 Anodizing 피막에 비해 내구성이 우수한 피막이기 때문에 일부 산업 분야에서 기존의 피막보다 PEO 피막을 선호하고 있다. 플라즈마 전해산화는 400V 이상 고전압하에서 Anode에 생성되는 스파크에 의한 산화반응을 이용하여 금속 표면에 산화 피막을 생성하는 공정이다. 전처리 과정을 거칠 필요가 없기 때문에 친환경적이며, 공정 과정도 복잡하지 않다. PEO의 여러 가지 특성(내전압, 플라즈마 부식성, 화학 부식성, 실시간 파티클)을 한국표준과학연구원이 보유한 장비들을 사용하여 분석하여, 기존의 Anodizing 피막과 비교 평가하였다. 이 실험 결과를 바탕으로 기존의 피막보다 우수한 특성을 가진 PEO 피막을 개발 진행 중에 있다.

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폴리이미드형 8인치 정전기척의 제조 (Fabrication of 8 inch Polyimide-type Electrostatic Chuck)

  • 조남인;박순규;설용태
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.9-13
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    • 2002
  • A polyimide-type electrostatic chuck (ESC) was fabricated for the application of holding 8-inch silicon wafers in the oxide etching equipment. For the fabrication of the unipolar ESC, core technologies such as coating of polyimide films and anodizing treatment of aluminum surface were developed. The polyimide films were prepared on top of thin coated copper substrates for the good electrical contacts, and the helium gas cooling technique was used for the temperature uniformity of the silicon wafers. The ESC was essentially working with an unipolar operation, which was easier to fabricate and operate compared to a bipolar operation. The chucking force of the ESC has been measured to be about 580 gf when the applied voltage was 1.5 kV, which was considered to be enough force to hold wafers during the dry etching processing. The employment of the ESC in etcher system could make 8% enhancement of the wafer processing yield.

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자화된 헬리칼 공진기 플라즈마 소스를 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구 (A study on the high selective oxide etching using magnetized helical resonator plasma source)

  • 이수부;임승완;이석현
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제48권5호
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    • pp.309-314
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    • 1999
  • The magnetized helical resonator plasma etcher has been built. Electron density and temperature were measured as functions of rf source power, axial magnetic field, and pressure. The results show electron density increases as the magnetic field increases and reached $2\times1012cm^{-3}$,/TEX>. The oxide etch rate and selectivity to polysilicon were investigated as the above mentioned conditions and self-bias voltage. We can obtain the much improved oxide etch selectivity to polysilicon (60 : 1) by applying the external axial weak magnetic field in magnetized helical resonator plasma etcher.

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Plasma Etcher Chamber Wall Condition Analysis Using Actinometry

  • 엄정환;강태균;최창원;윤태양
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.146.1-146.1
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    • 2013
  • 반도체 디바이스의 집적화로 인하여 약간의 상태변화에 의하여 Chip의 불량이 발생하고 있다. 이로 인하여 일정한 플라즈마 상태를 유지 하는 것이 중요 한데 일정한 플라즈마 상태를 유지하기 위한 조건 중에 중요한 것이 채임버 Wall의 상태에 따른 변화 이다. 반도체 양산 장비에서 채임버 wall 상태를 직접 관찰하기는 어렵기 때문에 OES를 통한 많은 간접 분석방법의 개발이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 간접 분석 방법 중 Actinometry 기법을 통하여 wall 상태를 분석하는 내용을 소개 하고 있으며 Argon gas를 통하여 전자온도, EEDF를 그려줄 수 있다는 내용을 담고 있다.

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플라즈마 에쳐용 실리콘 전극과 링의 수명에 미치는 결함의 영향 (Effect of defects on lifetime of silicon electrodes and rings in plasma etcher)

  • 음정현;채정민;피재환;이성민;최균;김상진;홍태식;황충호;안학준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.101-105
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    • 2010
  • 플라즈마 에쳐 내에 사용되는 실리콘 전극과 링 부품은 사용 중에 강한 플라즈마와 접촉하면서 주기적인 가열과 냉각 과정을 거친다. 이 때 부품의 표면에서는 열 응력으로 인하여 PSB라고 하는 띠 형상의 결함이 생성되며 이로 인하여 그 수명을 다하게 된다. 원료인 실리콘 잉곳의 관점에서 그 수명에 미치는 인자를 살펴보았다. 잉곳의 등급, 즉 S/F와 S/A에 따라 불순물과 결함의 농도를 GDMS와 ${\mu}$-PCD로 평가하여 잉곳의 어떤 요소들에 의하여 수명이 결정되는가를 분석하였다. 그 결과, {001} 면상에서 관찰되는 <110> 방향의 면 결함들이 PSB와 연결될 가능성이 있음을 제안하였다.

고진공펌프 종합특성평가시스템 - TMP Pump의 NNFC 장비에 대한 평가 -

  • 서창호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.95-95
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    • 2012
  • 우성 진공(크라이오 펌프), 제일 진공(터보 펌프)의 개발 시제품을 나노종합 팹센터(크라이오 펌프는 Sputter 장비, 터보 펌프는 Etcher 장비에 부착)에서 공정 신뢰성 Test 실시함.

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