A 7 nm technology node using extreme ultraviolet lithography with a wavelength of 13.5 nm has been recently developed and applied to the semiconductor manufacturing process. Furthermore, the development of sub-3 nm technology nodes continues to be required. In this study, design factors of an electrostatic deflector for an ultra-miniaturized microcolumn system that can realize an electron wavelength of below 1.23 nm with an acceleration voltage of above 1 eV were investigated using a three-dimensional simulator. Particularly, the optimal design of the electrostatic octupole floating deflector was derived by optimizing the design elements and improving the driving method of the 1 keV low energy ultra-miniaturized microcolumn deflector. As a result, the entire wide field of view greater than 330 ㎛ at a working distance of 4 mm was realized with an ultra-high-resolution electron beam spot smaller than 10 nm. The results of this study are expected to be a basis technology for realizing a wafer-scale multi-array microcolumn system, which is expected to innovatively improve the throughput per unit time, which is the biggest drawback of electron beam lithography.
Treatment with electron beam irradiation was investigated for the elimination of Escherichia coli O157:H7 which has been linked to outbreaks of foodborne illness on undercooked and raw meat. Before treatment, the maximum populations were observed at 16 hr when E. coli O157:H7 was incubated in TSB at $37^{\circ}C$. Incubation at $4^{\circ}C$ did not influence survival and growth of the strain. The numbers of E. coli O157:H7 were present about $10^{7}\;CFU/mL$ in the log $(6\;hr\;at\;37^{\circ}C)$ and stationary phase $(16\;hr\;at\;37^{\circ}C)$ of cells, respectively. Freezing $(24\;hr\;at\;-18^{\circ})$ had a more marked lethal effect. The $D_{10}$ value at $-18^{\circ}C$ of E. coli O157:H7 contaminated in frozen beef was 0.45 kGy, and inactivation factor were $6.67{\sim}11.11$ at the radiation doses of $3{\sim}5\;kGy$. Therefore, electron beam irradiation was an effective method to eleminate of E. coli O157:H7.
Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.19
no.3
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pp.83-88
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2015
Coating materials used in the electron beam (EB) deposition method, which is being studied as one of the fabrication methods of thermal barrier coating, are exposed to high power electron beam at focused area during the EB deposition. Therefore the coating source for EB process is needed to form as ingot with appropriate density and microstructure to sustain their shape and stable melts status during EB deposition. In this study, we tried to find the optimum powder condition for fabrication of ingot of 8 wt% yttria stabilized zirconia which can be used for EB irradiation. It seems that the ingot, which is fabricated through bi-modal type initial powder mixture which consists of tens of micro and nano size particles, was shown better performance than the ingot which is fabricated using monolithic nanoscale powder when exposed to high power EB.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.195.1-195.1
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2016
Currently, as Plasma application is expanded to the industrial and medical industrial, low temperature plasma applications became important. Especially in medical and biology, many researchers have studied about generated radical species in atmospheric pressure low temperature plasma directly adapted to human body. Therefore, so measurement their plasma parameter is very important work and is widely studied all around world. One of the plasma parameters is electron density and it is closely relative to radical production through the plasma source. some kinds of method to measuring the electron density are Thomson scattering spectroscopy and Millimeter-wave transmission measurement. But most methods have very expensive cost and complex configuration to composed of experiment system. We selected Michelson interferometer system which is very cheap and simple to setting up, so we tried to measuring electron density by laser interferometer with laser beam chopping module for measurement of temporal phase difference in plasma jet. To measuring electron density at atmospheric pressure Ar plasma jet, we obtained the temporal phase shift signal of interferometer. Phase difference of interferometer can occur because of change by refractive index of electron density in plasma jet. The electron density was able to estimate with this phase difference values by using physical formula about refractive index change of external electromagnetic wave in plasma. Our guiding laser used Helium-Neon laser of the centered wavelength of 632 nm. We installed chopper module which can make a 4kHz pulse laser signal at the laser front side. In this experiment, we obtained more exact synchronized phase difference between with and without plasma jet than reported data at last year. Especially, we found the phase difference between time range of discharge current. Electron density is changed from Townsend discharge's electron bombardment, so we observed the phase difference phenomenon and calculated the temporal electron density by using phase shift. In our result, we suggest that the electron density have approximately range between 1014~ 1015 cm-3 in atmospheric pressure Ar plasma jet.
In this paper. we present methods that extract lung regions from chest EBT(electron beam tomography) images then segment the extracted lung region into lung lobes. We use histogram based thresholding and mathematical morphology for extracting lung regions. For detecting pulmonary fissures, we use edge detector and knowledge-based search method. We suggest this edge detector, which uses adaptive filter scale, to work very well for real edge and insensitive for edge by noise. Our experiments showed about 95% accuracy or higher in extracting lung regions and about 5 pixel distance error in detecting pulmonary fissures.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.24
no.4
s.193
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pp.153-158
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2007
Recently nano imprint lithography to fabricate photonic crystal on polymer is preferred because of its simplicity and short process time and ease of precise manufacturing. But, the technique requires the precise mold as an imprinting tool for good replication. These molds are made of the silicon, nickel and quartz. But this is not desirable due to complex fabrication process, high cost. So, we describe a simple, precise and low cost method of fabricating PDMS stamp to make the photonic crystals. In order to fabricate the PDMS mold, we make the original pattern with designed hole array by finding the optimal electron beam writing condition. And then, we have tried to fabricate PDMS mold by the replica molding with ultrasonic vibration and pressure system. We have used the cleaning process to solve the detaching problem on the interface. Using these methods, we acquired the PDMS mold for photonic crystals with characteristics of a good replication. And the accuracy of replication shows below 1% in 440nm at diameter and in 610nm at lattice constant by dimensional analysis by SEM and AFM.
In this paper, ablation rate of $Al_2O_3$ ceramics by femtosecond laser fluence is derived with experimental method. The automatic three axis linear stage makes laser optics to move with high spatial resolution. With 10 times objective lens, minimal pattern width of $Al_2O_3$ is measured in the focal plane. Ablated surface area is shown as linear tendency increasing number of machining times with various laser power conditions. Machining times is most sensitive condition to control $Al_2O_3$ pattern width. Also, the linear increment of pattern width with laser power change is investigated. In high machining speed, the ablation volume rate is more linear with fluence because pulse overlap is minimized in this condition. Thermal effect to surrounding medium can be minimized and clean laser process without melting zone is possible in high machining speed. Ablation volume rate decelerates as increasing machining times and multiple machining times should be considered to achieve proper ablation width and depth.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.383-383
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2011
Generally, field emitters can be categorized into two types according to the emitter shape, one is a planar field emitter and the other is a point emitter. The planar field emitter is used for displays, flat lamps and signage boards. On the other hands, the point field emitter is expected to play a significant role in x-ray sources and electron beam sources. Such applications of the point field emitters, especially, need large emission current and high emission stability with a small electron beam size. A few reports announced point emitters made by carbon nanotubes (CNTs). However, they still have suffered from poor reproducibility and low emission current. Here, we demonstrated high performance CNT point emitters by attaching CNTs onto graphite rod. Graphite rod exhibited good electrical conductivity and chemical stability. In this method, the shape of the point emitter could be easily controlled by changing the length and diameter of the graphite rod. The CNT point emitter showed emission current over 1 mA at an applied electric field of 1.4 V/${\mu}m$. We consider that the stable emission performance is attributed to the stable contact between CNTs and graphite rod.
Won Chulho;Lee Seung-Ik;Lee Jung-Hyun;Seo Young-Soo;Kim Myung-Nam;Cho Jin-Ho
Journal of Korea Multimedia Society
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v.8
no.5
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pp.641-650
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2005
In this parer, curve stopping function based on the CT number of lung parenchyma from CT lung images is proposed to detect lung region in replacement of conventional edge indication function in geodesic active contour model. We showed that the proposed method was able to detect lung region more effectively than conventional method by applying three kinds of measurement numerically. And, we verified the effectiveness of proposed method visually by observing the detection Procedure on actual CT images. Because lung parenchyma region could be precisely detected from actual EBCT (electron beam computer tomography) lung images, we were sure that the Proposed method could aid to early diagnosis of lung disease and local abnormality of function.
Kim, Yong;Park, Kyung-Hwa;Jung, Tae-Hoon;Park, Hong-Jun;Lee, Jae-Yeol;Choi, Won-Chul;Kim, Eun-Kyu
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.10
no.1
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pp.44-50
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2001
Metal oxide semiconductor (MOS) structures containing nanocrystals are fabricated by using rapid thermal oxidations of amorphous silicon films. The amorphous films are deposited either by electron beam deposition method or by electron beam deposition assisted by Ar ion beam during deposition. Post oxidation of e-beam deposited film results in relatively small hysteresis of capacitance-voltage (C-V) and the flat band voltage shift, $\DeltaV_{FB}$ is less than 1V indicative of the formation of low density nanocrystals in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface. By contrast, we observe very large hysteresis in C-V characteristics for oxidized ion-beam assisted e-beam deposited sample. The flat band voltage shift is larger than 22V and the hysteresis becomes even broader as increasing injection times of holes at accumulation condition and electrons at inversion condition. The result indicates the formation of slow traps in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface which might be related to large density nanocrystals. Roughly estimated trap density is $1{\times}10^{13}cm^{-2}$. Such a large hysteresis may be explained in terms of the activation of adatom migration by Ar ion during deposition. The activated migration may increase nucleation rate of Si nuclei in amorphous Si matrix. During post oxidation process, nuclei grow into nanocrystals. Therefore, ion beam assistance during deposition may be very feasible for MOS structure containing nanocrystals with large density which is a basic building block for single electron memory device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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