For the development of superconducting power apparatus, it is necessary to establish the dielectric technology in coolant like L$N_2$. Therefore in this paper we conducted experiment of surface flashover that could occur in the windings of HTS transformer which will be developed in the pancake coil type. First, we distinguished two types of surface flashover by electrode alignment, such as parallel and vertical, and then compared with each characteristics of surface flashover. The flashover voltage was more affected by thickness of spacer than by surface length when the thickness of spacer is over 1 mm. And the surface flashover with metallic particle attached on the spacer was tested, it was affected by the particle position. The more close to the electrodes, the worse the characteristics. Also the experiment was conducted when the electrode was immersed in liquid nitrogen(L$N_2$) partially. The surface flashover characteristics of spacer was, when immersed partially in 50%, rapidly decreased.
The electrode contact poling is one of the efficient tools to induce a stable polar order of nonlinear optical (NLO) chromophores in the solid film. Self-assembled NLO chromophores with high electro-optic (E-O) activities were utilized for quantitative determination of the chromophore order induced under contact poling by spectroscopic changes. We found that NLO chromophores rarely decompose under the high electric field during contact poling. The absorption spectra were de-convoluted into a sum of Gaussian components to separate energy transitions for a binary composite system which contains a secondary guest chromophore AJC146 in the self-assembled chromophore HDFD. Poling efficiency was significantly improved in the binary system compared to the individual components.
This paper presents a new method of spacer assembly using anodic bonding method which is very simple and clean. The spacer having $100{\mu}m(W){\times}2.1{\mu}m(H)$ was bonded on amorphous silicon film of anode plate. Then, the vertical-type electrode was used for assembling of spacer in high voltage field emission display. In these results, we suggested that the vertical-type electrode provided spacer alignment for high aspect ratio and more simple batch process than conventional method.
In general, polyimides (PIs) are used in liquid crystal displays (LCDs) as alignment layer of liquid crystals (LCs). Up to date, the rubbing alignment technique has been widely used to align liquid crystals on the PI surface, which is suitable for mass-production of LCDs because of its simple process and high productivity. However, this method has some disadvantages. Rubbed PI surfaces include the debris left by the cloth and the generation of electrostatic charges during rubbing process. Therefore, rubbing-free techniques for LC alignment are strongly required in LCD technology. In this experiment, PI was uniformly coated on indium-tin-oxide electrode substrates to form LC alignment layers using a spin-coating method and the PI layers were subsequently imidized at 433 K for 1 h. The thickness of the PI layer was set at 50 nm. The LC alignment layer surfaces were exposed to an $Ar^+$ ion-beam under various ion-beam energies. The antiparallel cells and twisted-nematic (TN) cells for the measurement of pretile angle and electro-optical characteristics were fabricated with the cell gap of 60 and $5\;{\mu}m$, respectively. The LC cells were filled with nematic LC (NLC, MJ001929, Merck) and were assembled. The NLC alignment capability on ion-beam-treated PI was observed using photomicroscope and the pretilt angle of the NLC was measured by the crystal-rotation method at room temperature. Voltage-transmittance (V-T) and response time characteristics of the ion-beam irradiated TN cell were measured by a LCD evaluation system.
Novel surface profiler system for inspection of the display components is demonstrated In the case of the liquid crystal display, for example, not only the flatness of the alignment film but also the quality of rubbing can be inspected. Furthermore, the shape of the component such as the color filter, electrode and mirror can be inspected without removing each component.
Numerous studies and approaches have been performed for solar cells to improve their photoelectric conversion efficiencies. Among them, the study for electrode containing transparent conducting oxide (TCO) layers is one of issues as well as for the cell structure based on band theory. In this study, we focused on an interfacial layer between p-type silicon and indium tin oxide (ITO) well-known as TCO materials. According to current-voltage characteristics for the sample with the interfacial layers, the improvement of band alignment between p-type silicon and ITO was observed, and their ohmic properties were enhanced in the proper condition of deposition. To investigate cause of this improvement, spectroscopic ellipsometry and ultraviolet photoelectron spectroscopy were utilized. Using these techniques, band alignment and defect in the band gap were examined. The major materials of the interfacial layer are vanadium oxide and tungsten oxide, which are notable as a hole transfer layer in the organic solar cells. Finally, the interfacial layer was applied to silicon solar cells to see the actual behavior of carriers in the solar cells. In the case of vanadium oxide, we found 10% of improvement of photoelectric conversion efficiencies, compared to solar cells without interfacial layers.
The Patterned vertical alignment (PVA) mode has many advantages such as perfect dark state at the normal direction and wide viewing angle. However, PVA mode needs additional process to pattern electrodes of both substrates and complicated assembly process. Moreover, this mode shows slow response time. To overcome these problems, we use plane shape ITO on top substrate instead of patterned electrode and form proper tilt angle of LC director on the surface while maintaining these original merits. Consequently, we achieve fast response time and improve transmittance.
The patterned vertical alignment (PVA) display showed good electro-optic properties such as wide viewing angle, fast response time, high Contrast Ratio. However, the device has patterned electrode on both top and bottom electrodes which requires high accuracy of assembling of top and bottom substrates in order to exhibit a high performance. So, they have disadvantage about low yield. In order to resolve these problem, in this paper, we studied about top substrate pattern free vertical alignment device associated with surface polymer stabilization using the UV curable monomer. This method shows simple progress, low cost and good electro-optic properties such as high transmittance and fast response time.
The biased vertical alignment (BVA) liquid crystal (LC) mode shows a has a distinct advantage of lower manufacture cost due to the elimination of a lithographic process step to form either ITO-patterning or protrusions on the color-filter substrates. However, those devices have complex voltage conditions which is the respective induce voltage on common electrode, pixel electrode and bias electrode when positive and negative frame. In order to overcome the complex voltage condition, the pretilt angles is controlled by photo polymerization of the UV-curable reactive mesogen (RM). According to our studies, voltages to the cell are critical to achieve an optimized surface-modified quality BVA (Q-BVA) mode which provides the well defined reorientation of the LCs with respect to an electric field.
We observed the temperature-dependent evolution and behavior of P3HT type-II phase during a real time annealing process from a cryo-cooled low temperature in the absence and presence of an Al electrode. A poly (3-hexylthiophene) (P3HT) Type-II phase in the P3HT:PCBM films started to form near at $-10^{\circ}C$, regardless of Al layer presence. In the absence of an Al layer, type-II phase was extinct at $30^{\circ}C$. However, the extinction temperature was extended to $50^{\circ}C$ in the presence of the Al layer. Simultaneously, combined with the type-II phase, a 1:3 ordered P3HT type-II (1/3,0,0) super-lattice peak evolved. These type-II domains tended to be formed near the Al electrode layer with higher aligned status than host P3HT crystals.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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