• 제목/요약/키워드: electric field effects

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A study of the light trapping mechanism in periodically honeycomb texture-etched substrate for thin film silicon solar cells

  • Kim, Yongjun;Shin, Munghun;Park, Hyeongsik;Yi, Junsin
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.147.2-148
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    • 2016
  • Light management technology is very important for thin film solar cells, which can reduce optical reflection from the surface of thin film solar cells or enhance optical path, increasing the absorption of the incident solar light. Using proper light trapping structures in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) solar cells, the thickness of absorber layers can be reduced. Instead, the internal electric field in the absorber can be strengthened, which helps to collect photon generated carriers very effectively and to reduce light-induced loss under long-term light exposure. In this work, we introduced a chemical etching technology to make honey-comb textures on glass substrates and analyzed the optical properties for the textured surface such as transmission, reflection and scattering effects. Using ray optics and finite difference time domain method (FDTD) we represented the behaviors of light waves near the etched surfaces of the glass substrates and discussed to obtain haze parameters for the different honey-comb structures. The simulation results showed that high haze values were maintained up to the long wavelength range over 700 nm, and with the proper design of the honey-comb structure, reflection or transmission of the glass substrates can be enhanced, which will be very useful for the multi-junction (tandem or triple junction) thin film a-Si:H solar cells.

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NMOSFET SOI 소자의 Current Kink Effect 감소에 관한 연구 (A Study on the Reduction of Current Kink Effect in NMOSFET SOI Device)

  • 한명석;이충근;홍신남
    • 전자공학회논문지T
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    • 제35T권2호
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    • pp.6-12
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    • 1998
  • 박막의 SOI(Silicon-On-Insulator) 소자는 짧은 채널 효과(short channel effect), subthreshold slope의 개선, 이동도 향상, latch-up 제거 등 많은 이점을 제공한다. 반면에 이 소자는 current kink effect와 같이 정상적인 소자 동작에 있어 주요한 저해 요소인 floating body effect를 나타낸다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 T-형 게이트 구조를 갖는 SOI NMOSFET를 제안하였다. T-형 게이트 구조는 일부분의 게이트 산화막 두께를 다른 부분보다 30nm 만큼 크게 하여 TSUPREM-4로 시뮬레이션 하였으며, 이것을 2D MEDICI mesh를 구성하여 I-V 특성 시뮬레이션을 시행하였다. 부분적으로 게이트 산화층의 두께가 다르기 때문에 게이트 전계도 부분적으로 차이가 발생되어 충격 이온화 전류의 크기도 줄어든다. 충격 이온화 전류가 감소한다는 것은 current kink effect가 감소하는 것을 의미하며, 이것을 MEDICI 시뮬레이션을 통해 얻어진 충격 이온화 전류 곡선, I-V 특성 곡선과 정공 전류의 분포 형태를 이용하여 제안된 구조에서 current kink effect가 감소됨을 보였다.

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기계적 특성 및 공극률 조절을 위한 나노/마이크로섬유 하이브리드 매트 제작 (Fabrication of a Nano/Microfiber Hybrid Mat for Control of Mechanical Properties and Porosity)

  • 김정화;정영훈
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제41권1호
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    • pp.41-48
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    • 2017
  • 최근 에너지, 바이오공학, 전자공학 등 다양한 분야에서 초미세 고분자섬유의 활용이 증대되고 있다. 이러한 고분자 섬유의 제작방법의 하나로서 전기방사법은 타 공정에 비해 공정장치가 간단하고 재료의 선택에 제한이 적은 등 다양한 장점을 가져 활발하게 사용되고 있다. 그러나 전기방사공정은 미세한 고분자 섬유가 전기장이 부가된 공기층을 통과하면서 높은 불안정성을 가지기 때문에 전기방사공정을 통해 제작되는 섬유매트의 형상 및 기하학적 특성의 조절이 어려운 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 서로 다른 두 가지 용매를 이용하여 섬유의 직경을 나노섬유와 마이크로섬유로 제작할 수 있음을 보였으며, 이를 조합하여 기계적 특성과 공극률을 조절할 수 있는 하이브리드 섬유매트를 제작할 수 있음을 보였다. 또한 제작된 매트를 이용하여 기계적 특성과 공극률이 조절될 수 있음을 확인하였다.

접촉저항이 배선용 차단기 내부 온도상승에 미치는 영향 (Effects of Contact Resistance on temperature Rise in a MCCB)

  • 박성규;이종철;김윤제
    • 에너지공학
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    • 제13권1호
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    • pp.12-19
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    • 2004
  • 배선용 차단기(MCCB)는 과부하 및 단로 등의 이상 상태시 전류를 차단하는 기구로, 오작동시에는 중대사고를 초래한다. MCCB를 개발하는데 있어서 고전류 및 향상된 방열성능은 소형화 및 성능향상을 필요로 하는 기기의 안전기능 및 신뢰성을 확보하는데 그 중요성이 더해 가고 있다. 또한, MCCB를 설계하는데 있어 온도상승 요인을 고려하는 것은 매우 중요하다. 온도상승의 주된 원인은 기기 내부저항, 특히 접속부와 접촉부로부터의 저항을 들 수 있는데, 전류, 시간, 접촉면의 형상, 그리고 사용전압에 의하여 영향을 받는다 본 연구에서는 MCCB 내부 온도분포를 예측하기 위하여 상용코드ICEPAK을 이용하여 수치해석을 수행하였다. 해석결과의 타당성을 검증하기 위하여 동일 모델을 사용한 실험결과와 비교하였는데, 일치된 결과를 얻을 수 있었다.

부유게이트에 지역전계강화 효과를 이용한 아날로그 어레이 설계 (Design of an Analog Array using Enhancement of Electric Field on Floating Gate MOSFETs)

  • 채용웅
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제8권8호
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    • pp.1227-1234
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    • 2013
  • 1.2 더블 폴리 부유게이트 트랜지스터로 구성된 아날로그 메모리가 CMOS 표준공정에서 제작되었다. 효율적인 프로그래밍을 위해 일반적인 아날로그 메모리에서 사용되었던 불필요한 초기 소거 동작을 제거하였으며 프로그래밍과 읽기의 경로를 동일하게 가져감으로서 읽기 동작 시에 발생하는 증폭기의 DC 오프셋 문제를 근본적으로 제거하였다. 어레이의 구성에서 특정 셀을 주변의 다른 셀들로부터 격리시키는 패스 트랜지스터 대신에 Vmid라는 별도의 전압을 사용하였다. 실험 결과 아날로그 메모리가 디지털 메모리의 6비트에 해당하는 정밀도를 보였으며 프로그래밍 시에 선택되지 않은 주변의 셀들에 간섭 효과가 없는 것으로 확인되었다. 마지막으로, 아날로그 어레이를 구성하는 셀은 특이한 모양의 인젝터 구조를 가지고 있으며, 이것은 아날로그 메모리가 특별한 공정 없이도 트랜지스터의 breakdown 전압 아래에서 프로그래밍 되도록 하였다.

현대 섬유패션브랜드에 나타난 매스티지 현상 (Masstige Phenomenon Appeared on Contemporary Textiles & Fashion Brand)

  • 박옥미;이수철
    • 한국패션뷰티학회지
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    • 제4권1호
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    • pp.4-11
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    • 2006
  • Masstige goods aimed consumers who want the fame and the emotional contents with reasonable price are presented overall and around the life style, from all the fashion items like bag and apparel to car, electric household, food, sports goods, furniture, toys, pets and performance of art, etc. Masstige casual, essentially different from the passed casuals which emphasized only price strategy, appeals to teenagers and young of twenties with a definite brand concept. Therefore masstige casual might be separated from business casual of a target aged thirties. Established celebrity brands have launched masstige brands matching the popularization of prestige goods. Armani Exchange from Armani, Marc by Marc Jacobs from Louis Vuitton are representative ones. DKNY from Donna Karen, MiuMiu from Prada, Paul smith Pink from Paul Smith can be added. These are relatively inexpensive, however the quality, design and shop's atmosphere are more exclusive than general brands. Consumers are over middle class and have a pride and fidelity to those brands. Leading Masstige trend, new luxury brands put the importance to the quality and aims middle class. To succeed in this field, companies should know exactly what consumers want, considering not only functional aspect but also emotional pleasure. Even though masstige has a weakness in pricing, it has to keep brand's proper benefit. Its price range could be wide to be in great demand but has to have elasticity and not to be expanded too much. Masstige industry should do its best not to damage original brand's identity. Forming family brand, like Armani made Georgic Armani, Emporio Armani and Armani exchange, system of parent brand and sub brands would be recommendable. From the launching time, masstige needs the effects to create a sensation and bring it into vogue and offer emotional value to the consumers.

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Effect of Ambient Temperature on the AC Electrical Treeing Phenomena in an Epoxy/Layered Silicate Nanocomposite

  • Park, Jae-Jun
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제14권4호
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    • pp.221-224
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    • 2013
  • Effects of ambient temperature on the ac electrical treeing and breakdown behaviors in an epoxy/layered silicate (1 wt%) were carried out in needle-plate electrode geometry. A layered silicate was exfoliated in an epoxy base resin,, using our ac electric field apparatus. To measure the treeing initiation and propagation, and the breakdown rate, constant alternating current (ac) of 10 kV (60 Hz) was applied to the specimen in a needle-plate electrode arrangement, at $30^{\circ}C$, $90^{\circ}C$ or $130^{\circ}C$ of insulating oil bath. At $30^{\circ}C$, the treeing initiation time and the breakdown time in the epoxy/layered silicate (1 wt%) system were 1.4 times higher than those of the neat epoxy resin. At $90^{\circ}C$ (lower than Tg), electrical treeing was initiated in 55 min, and propagated until 1,390 min at the speed of $0.35{\times}10^{-3}mm/min$, which was 4.4 times higher than that at $30^{\circ}C$; however, there was almost no further treeing propagation after 1,390 min. At $130^{\circ}C$ (higher than Tg), electrical treeing was initiated in 44 min, and propagated until 2,000 min at the speed of $0.96{\times}10^{-3}mm/min$. Typical branch type electrical treeing was obtained from the neat epoxy and epoxy/layered silicate at $30^{\circ}C$, while bush type treeing was observed out from the needle tip at $90^{\circ}C$ and $130^{\circ}C$.

산화구리가 피복된 Na0.5Bi4.5Ti4O15 틀입자를 이용한 BNKT 무연 압전 세라믹스의 저온소성 연구 (Low Temperature Sintering of BNKT Lead-Free Piezoelectric Ceramics Using CuO-Coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 Templates)

  • 정광휘;이상섭;안창원;한형수;이재신
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제33권5호
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    • pp.337-343
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    • 2020
  • This study investigated the low temperature sintering with various templates of Bi-based lead-free piezoelectric ceramics. The effects of using CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates on the sintering behavior as well as the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of Bi1/2(Na0.78K0.22)1/2TiO3 (BNKT) ceramics have been examined. In comparison with the specimens sintered with the Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates without CuO coating, those sintered with the CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates showed larger template sizes as well as a larger electric field induced strain (Smax/Emax) of 422 pm/V after sintering at temperatures as low as 975℃. These results are promising for low-cost multilayer ceramic actuator applications.

TCAD 시뮬레이션을 이용한 Fin형 SONOS Flash Memory의 모서리 효과에 관한 연구 (A Study on the Corner Effect of Fin-type SONOS Flash Memory Using TCAD Simulation)

  • 양승동;오재섭;윤호진;정광석;김유미;이상율;이희덕;이가원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제25권2호
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    • pp.100-104
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    • 2012
  • Fin-type SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) flash memory has emerged as novel devices having superior controls over short channel effects(SCE) than the conventional SONOS flash memory devices. However despite these advantages, these also exhibit undesirable characteristics such as corner effect. Usually, the corner effect deteriorates the performance by increasing the leakage current. In this paper, the corner effect of fin-type SONOS flash memory devices is investigate by 3D Process and device simulation and their electrical characteristics are compared to conventional SONOS devices. The corner effect has been observed in fin-type SONOS device. The reason why the memory characteristic in fin-type SONOS flash memory device is not improved, might be due to existing undesirable effect such as corner effect as well as the mutual interference of electric field in the fin-type structure as reported previously.

사중극자 유전영동 트랩에서의 입자의 동특성에 관한 연구 (Analysis of Particle Motion in Quadrupole Dielectrophoretic Trap with Emphasis on Its Dynamics Properties)

  • 니치 찬드라세카란;이은희;박재현
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제38권10호
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    • pp.845-851
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    • 2014
  • 유전영동(DEP)이란 비균질의 전기장과 그에 따라 입자 내부에 형성되는 극성힘에 의해 용매에 분산되어 있는 입자에 야기되는 운동을 의미하며, 세포, 바이러스, 나노입자 등의 트래핑, 입자분류, 셀분리 등과 같은 다양한 생물학적 응용에 이용되어 왔다. 지금까지 유전영동트랩에 대한 해석은 주기평균 ponderomotive force 에 기반한 정특성 해석이 주를 이루고 있으며, 동특성에 대해서는 많은 연구가 이루어져 있지 않다. 이는 지금까지 유전영동트랩이 적용된 입자들의 크기가 상대적으로 매우 크기 때문으로, 분석입자의 크기가 매우 작은 나노단위 분석에서는 적절하지 않다. 본 연구에서는, 다양한 시스템 파라미터들에 대한 트래핑의 동역학적 반응 및 그들의 트래핑 안정성에 대한 영향을 심도깊게 관찰하고자 한다. 특히, 입자의 전도율에 따른 입자의 동특성의 변화 또한 관찰하고자 한다.