In this study, degradation was observed by irradiating UV rays to the polymer insulators which have been widely used in outdoor electric power facilities. For an indoor accelerated UV test, 0.55 w/m2 of UV rays were applied using a xenon-arc method. A UV detection system with 65 ${\phi}mm$ in diameter, 100 mm in length and 1.0 of brightness (F/#) has been designed. Even though efflorescence on the surface of polymer insulators wasn't observed according to the accelerated UV test. UV rays were detected at around 50% and 40% of insulation breakdown in EPDM and silicone-type insulators respectively. As degradation continued because of an indoor accelerated UV test, breakdown voltage with which UV rays can be detected in an early stage decreased as well. A silicone polymer insulator would be severer than EPDM polymer insulator in terms of surface degradation because of UV strength against $V_m/V_{BD}$ was high in silicone polymer insulators. UV strength in silicone-type insulators increased at 1,000 $kJ/m^2$ because contact angle at the intial stage sharply decreased to from $113^{\circ}$ to $92.1^{\circ}$.
고공을 운항하는 항공기는 대기중의 자연현상에 의해 낙뢰에 노출되게 된다. 낙뢰 피해는 개발초기에는 목재 항공기의 절연파괴에 의한 손상과 화재등이 있었으며 알루미늄의 보급으로 전금속체 항공기가 개발되었지만 연료탱크의 화재 문제라든지 낙뢰 사고는 계속 발생하였다. 이에 NACA에서는 1938년 문제를 제기하고, 인공 낙뢰에 대한 연구를 시작하였다. 이어 FAA에서는 낙뢰보호에 대한 인증을 위해 감항기준을 제정하고 SAE에 낙뢰에 대한 항공기의 보호를 위한 시험대책 연구를 의뢰하여 낙뢰를 모사한 시험 전류, 전약 파형을 제시하여 항공기의 낙뢰보호, 인증에 활용하고 있다. 이 글에서는 낙뢰의 메커니즘 분석을 통한 항공기에 대한 낙뢰의 영향을 제시하고 특히 항공기 안전사고의 중요한 요인으로 대두되고 있는 항공기에 대한 낙뢰의 직접영향에 대한 사례를 분석하고 인증기준과 시험 전류 및 전압파형, 낙뢰 피격부위를 열거하여 개발항공기 및 비행체에 대한 인증에 활용되도록 하였다.
Acute hypoxia induces contraction of pulmonary artery (PA) to protect ventilation/perfusion mismatch in lungs. As for the cellular mechanism of hypoxic pulmonary vasoconstriction (HPV), hypoxic inhibition of voltage-gated $K^+$ channel (Kv) in PA smooth muscle cell (PASMC) has been suggested. In addition, our recent study showed that thromboxane $A_2$ ($TXA_2$) and hypoxia-activated nonselective cation channel ($I_{NSC}$) is also essential for HPV. However, it is not well understood whether HPV is maintained in the animals exposed to ambient hypoxia for two days (2d-H). Specifically, the associated electrophysiological changes in PASMCs have not been studied. Here we investigate the effects of 2d-H on HPV in isolated ventilated/perfused lungs (V/P lungs) from rats. HPV was almost abolished without structural remodeling of PA in 2d-H rats, and the lost HPV was not recovered by Kv inhibitor, 4-aminopyridine. Patch clamp study showed that the hypoxic inhibition of Kv current in PASMC was similar between 2d-H and control. In contrast, hypoxia and $TXA_2$-activated $I_{NSC}$ was not observed in PASMCs of 2d-H. From above results, it is suggested that the decreased $I_{NSC}$ might be the primary functional cause of HPV disappearance in the relatively early period (2 d) of hypoxia.
Lee, Se-Hwan;Massood A. Rahimi;Charles E. Albright;Walter R. Lempert
대한용접접합학회:학술대회논문집
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대한용접접합학회 2002년도 Proceedings of the International Welding/Joining Conference-Korea
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pp.176-180
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2002
During the last two decades the laser beam has progressed from a sophisticated laboratory apparatus to an adaptable and viable industrial tool. Especially, in its welding mode, the laser offers high travel speed, low distortion, and narrow fusion and heat-affected zones (HAZ). The principal obstacle to selection of a laser processing method in production is its relatively high equipment cost and the natural unwillingness of production supervision to try something new until it is thoroughly proven. The major objective of this work is focused on the combined features of gas tungsten arc and a low-power cold laser beam. Although high-power laser beams have been combined with the plasma from a gas tungsten arc (GTA) torch for use in welding as early as 1980, recent work at the Ohio State University has employed a low power laser beam to initiate, direct, and concentrate a gas tungsten arcs. In this work, the laser beam from a 7 watts carbon monoxide laser was combined with electrical discharges from a short-pulsed capacitive discharge GTA welding power supply. When the low power CO laser beam passes through a special composition shielding gas, the CO molecules in the gas absorbs the radiation, and ionizes through a process known as non-equilibrium, vibration-vibration pumping. The resulting laser-induced plasma (LIP) was positioned between various configurations of electrodes. The high-voltage impulse applied to the electrodes forced rapid electrical breakdown between the electrodes. Electrical discharges between tungsten electrodes and aluminum sheet specimens followed the ionized path provided by LIP. The result was well focused melted spots.
In this paper, non-self-aligned SiGe HBTs with ${f}_\tau$ and${f}_max $above 50 GHz have been fabricated using an RPCVD(Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition) system for wireless applications. In the proposed structure, in-situ boron doped selective epitaxial growth(BDSEG) and TiSi$_2$ were used for the base electrode to reduce base resistance and in-situ phosphorus doped polysilicon was used for the emitter electrode to reduce emitter resistance. SiGe base profiles and collector design methodology to increase ${f}_\tau$ and${f}_max $ are discussed in detail. Two SiGe HBTs with the collector-emitter breakdown voltages ${BV}_CEO$ of 3 V and 6 V were fabricated using SIC(selective ion-implanted collector) implantation. Fabricated SiGe HBTs have a current gain of 265 ∼ 285 and Early voltage of 102 ∼ 120 V, respectively. For the $1\times{8}_\mu{m}^2$ emitter, a SiGe HBT with ${BV}_CEO$= 6 V shows a cut-off frequency, ${f}_\tau$of 24.3 GHz and a maximum oscillation frequency, ${f}_max $of 47.6 GHz at $I_c$of 3.7 mA and$V_CE$ of 4 V. A SiGe HBT with ${BV}_CEO$ = 3 V shows ${f}_\tau$of 50.8 GHz and ${f}_max $ of 52.2 GHz at $I_c$ of 14.7 mA and $V_CE$ of 2 V.
근래의 전기 전자 제품은 기능은 향상되는 반면 크기는 소형화되는 추세에 있다. 기존 입체 형태의 음향 신호 재생 장치로서의 엑츄에이터 대신 압전 소자를 이용한 스피커가 개발되기 시작하였다. 압전 소자는 압전 특성을 갖는 물질로서 물체의 외부에서 전압을 가할 때 기계적인 변형을 일으키는 특징(즉 피에조 특징)을 이용한다. 초기의 필름 스피커는 화학적 성질의 한계로 인하여 전도성 고분자 막을 형성하기 힘들다는 한계가 있었고, 도포한 두께를 균일하게 유지하기 힘들었으며, 음향 신호의 출력과 동작 주파수의 한계가 있다는 등의 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 전도 물질과 피에조 물질(필름)의 결합력을 증가시킴으로써 전도체의 저항을 줄이고 주파수 영역을 확장하고자 한다. 피에조 필름의 표면 접착력을 향상시키고, 고분자 전도체 막의 흡착력을 증가시킴으로써 음향시스템의 출력 향상을 위해 코로나 표면처리방식에 의한 표면 특징을 변화시킴으로써 출력개선을 하였다.
This study was performed to investigate the surface properties of electrochemically oxidized pure niobium by anodic oxide and hydrothermal treatment technique. Niobium specimens of $10\times10mm$ in dimension were polished sequentially from #600, #800, #1000 emery paper. The surface pure niobium specimens were anodized in an electrolytic solution that was dissolved calcium and phosphate in water. The electrolytic voltage was set in the range of 250 V and the current density was 10 $mA/cm^2$. The specimen was hydrothermal treated in high-pressure steam at 300$^{\circ}C$ for 2 hours using an autoclave. Then, specimens were immersed in the Hanks' solution with pH 7.4 at 37$^{\circ}C$ for 30 days. The surface of specimen was characterized by scanning electron microscope(SEM), energy dispersive X-ray microanalysis(EDX), potentiostat/galvanostat test, and cytotoxicity test. The results obtained was summarized as follows; According to the result of measuring corrosion behavior at 0.9% NaCl, corrosion resistance was improved more specimens treated with anodic oxide than in hydrothermal treated ones. The multi-porous oxide layer on surface treated through anodic oxidation showed a structure that fine pores overlap one another, and the early precipitation of apatite was observed on the surface of hydrothermal treated samples. According to the result of EDX after 30 days deposition in Hanks' solution, Ca/P was 1.69 in hydrothermal treated specimens. In MTT test, specimens treated through anodic oxidation and hydrothermal treated ones showed spectrophotometer similar to that of the control group. Thus no significant difference in cytotoxicity was observed (P>0.05).
The structural changes of $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode material for lithium ion battery during the first charge was investigated in comparison with $Li_{1-x}Ni_{0.8}Co_{0.15}Al_{0.05}O_2$ using a synchrotron based in situ X-ray diffraction technique. The structural changes of these two cathode materials show similar trend during first charge: an expansion along the c-axis of the unit cell with contractions along the a- and b-axis during the early stage of charge and a major contraction along the c-axis with slight expansions along the a- and b-axis near the end of charge at high voltage limit. In $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode, however, the initial unit cell volume of H2 phase is bigger than that of H1 phase since the c-axis undergo large expansion while a- and b- axis shrink slightly. The change in the unit cell volume for $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ during charge is smaller than that of $Li_{1-x}Ni_{0.8}Co_{0.15}Al_{0.05}O_2$. This smaller change in unit cell volume may give the $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode material a better structural reversibility for a long cycling life.
저자들은 점점 진행하는 하지무력증을 주소로 내원한 48세 남자에서 전기생리검사를 시행하여 VGCC 양성인 LEMS를 진단하였고, 동반한 소세포폐암을 진단하여 항암요법을 시행하였고 완치 판정을 받은 후 특별한 치료 없이도 LEMS의 임상증상과 전기생리검사에서 호전을 보인 1예를 경험하였기에 이를 보고하는 바이다.
An $Al_2O_3/AlN$ bilayer deposited on GaN by atomic layer deposition (ALD) is employed to prepare $Al_2O_3/AlN/GaN$ metal-insulator-semiconductor (MIS) diodes, and their interfacial properties are investigated using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) with sputter etch treatment and current-voltage (I-V) measurements. XPS analyses reveal that the native oxides on the GaN surface are reduced significantly during the early ALD stage, indicating that AlN deposition effectively clelans up the GaN surface. In addition, the suppression of Al-OH bonds is observed through the ALD process. This result may be related to the improved device performance because Al-OH bonds act as interface defects. Finally, temperature dependent I-V analyses show that the barrier height increases and the ideality factor decreases with an increase in temperature, which is associated with the barrier inhomogeneity. A Modified Richardson plot produces the Richardson constant of $A^{**}$ as $30.45Acm^{-2}K^{-2}$, which is similar to the theoretical value of $26.4Acm^{-2}K^{-2}$ for n-GaN. This indicates that the barrier inhomogeneity appropriately explains the forward current transport across the $Au/Al_2O_3/AlN/GaN$ interface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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