The spinel material $Li_4Ti_5O_{12}$ has attracted considerable attention as an anode electrode material for many battery applications owing to its light weight and high energy density. However, the real capacity of $Li_4Ti_5O_{12}$ powder as determined by the solid-state method is lower than the ideal capacity. In this study, we investigated the effect of the dopants in M-doped spinel $Ba_xLi_{4-2x}Ti_5O_{12}$(x=0.005, 0.05, 0.1) powders prepared by the solid-state reaction method and used as the anode material in lithiumion batteries. The results confirmed the effect of the Ba and Sr dopants on the powder properties of the spinel $Li_4Ti_5O_{12}$, which exhibited a pure spinel structure without any secondary phase in its XRD pattern. Moreover, the electrochemical properties of the spinel M-LTO materials were investigated using a half cell. The electrochemical data show that cells with anodes made of undoped $Li_4Ti_5O_{12}$ and Ba- and Sr-doped $Li_4Ti_5O_{12}$ have discharge capacities of 97, 130, and 112 mAh/g, respectively, at the first cycle. Moreover, the Ba- and Sr-doped spinel $Li_4Ti_5O_{12}$ demonstrated good properties in the mid-voltage range at 1.55 V, showing stable cyclic voltammogram properties which surpassed those of the same material without Ba or Sr at 1 C after 100 cycles.
In the fabrication of high performance red organic light emitting diode, 2-TNA TA [4,4',4" -tris (2-naphthylphenyl- phenylamino)-triphenylamine] as hole injection material and N PH [N,N'-bis (1-naphthyl) -N,N' -diphenyl-1, 1'-biphenyl-4,4'- diamine] as hole transport material were deposited on the ITO (indium tin oxide)/glass substrate by vacuum evaporation, And then, red color emission layer was deposited using Alq3 as a host material and Rubrene (5,6,11,12- tetraphenylnaphthacene) and GDI 4234 as dopants. Finally, small molecular weight OLED with the structure of ITO/2-TNATA/ NPB/Alq3+Rubrene+GDI4234/Alq3/LiF/Al was obtained by in-situ deposition of Alq3, LiF and Al as electron transport material, electron injection material and cathode. respectively. Green OLED fabricated in our experiments showed the color coordinate of CIE(0.65,0.35) and the maximum luminescence efficiency of 2.1 lm/W at 7 V with the peak emission wavelength of 632 nm.
Ta-silicide의 게이트 전극 및 비트라인(bit line)으로의 사용가능성을 알아보기 위하여 As, P, $BF_2$가 $5{\times}10^15cm^-2$의 농도로 이온주입된 다결정 실리콘에 탄탈륨을 스퍼터링으로 증착한 후 급속 열처리로 Ta-silicide를 형성하였다. 형성된 Ta-silicide의 특성은 4-탐침법, X-rayghlwjf, SEM 단면사진과 ${\alpha}$-step으로 조사하였으며, 불순물들의 거동은 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)로 알아보았다. $TaSi_2$의 형성은 $800^{\circ}C$에서 시작하며 $1000^{\circ}C$ 이상에서 완료됨을 알았다. 형성된 $TaSi_2$층으로 out-diffusion 하였다.
In this study, the dispersion stability of CeO2 based complex oxide was studied, and density, porosity, and microstructure of green body were investigated using colloid surface chemistry to manufacture the Gd2O3 doped CeO2 solid electrolyte in an aqueous system. To prepare the stable slurry for slip casting, the dispersion stability was examined as a function of pH using ESA(electrokinetic sonic anplitude) analysis. The dynamic mobility of particles was enhanced with anionic and cationic dispersant were added the amount of 0.5wt% respectively, but pH value in slurries didn't move to below 6.0 because of the influence of dopants. This phenomenon also appeared in the CeO2-Y2O3 and CeO2-Sm2O3 systems, so it could be inferred that rare earth dopants such as Gd2O3, Sm2O3 and Y2O3 not only have the similar motion with changing pH in an aqueous system but also can be dissolved in the range of pH 6.0∼6.5. In CeO2-Gd2O3 system, when the anionic dispersant was added the amount of 0.5wt% and pH value in slurries was fixed at 9.5, the green body density was 4.07g/㎤, and the relative density of sintered body was 95.2%. It could be inferred from XRD analysis that Gd3+ substituted into Ce4+ site because there was no free Gd2O3 peak.
Effects of the spherically shaped Ge and the rod-like carbon-coated Ge on the superconducting properties of $MgB_2$ were investigated. Pure Ge and carbon-coated Ge nano-powders were synthesized under the different amount of $CH_4$ (0 to 5 kPa) by using DC thermal plasma method. When the $CH_4$ was added ~100 nm sized Ge with a spherical shape changed to rod-like morphology with a diameter of ~30-70 nm and a length of ~400-500 nm. Also it was confirmed that thin carbon layers of a few nanometers were formed along the rod length and the agglomerated carbons were found on the edges of rods. Pure spherical Ge and Ge/C rods were mixed and milled with Mg & B precursor to form the doped $MgB_2$ bulk samples by the solid-state reaction method. Almost no change of $T_c$ was noticed for the pure Ge-added $MgB_2$, whereas $T_c$ was found to decrease with the Ge/C-added $MgB_2$ samples. It was found that the pure spherical Ge showed to have a negative effect on the flux pinning of $MgB_2$. However, Ge/C rods can enhance the flux pinning property of $J_c$ due to the coated carbon on Ge rods.
The temperature and frequency dependence of the dielectric constant of the BaTiO3 substituted with two types of donor dopants, Nb5+ and Ta5+, respectively, were compared and analyzed. Dielectric specimens of four specific compositions, Ba0.95Nb0.05TiO3, Ba0.90Nb0.10TiO3, Ba0.95Ta0.05TiO3, and Ba0.90Ta0.010TiO3 were prepared by calcining at 1100 ℃ and sintering at 1300 ℃ to have a perovskite structure to measure capacitance. XRD and SEM analysis were used to observe the structure, with particular focus on the integration into the Nb5+ and Ta5+ substituted BaTiO3 crystal lattice. X-ray diffraction peaks in the (200) and (002) planes were observed between 45.10° and 45.45° of the BaTiO3 solid solution substituted with different fractions of Nb5+ and Ta5+. The dielectric properties were analyzed and the relationship between the properties and structure of the substituted BaTiO3 was established. The fine particles and high density of the substituted BaTiO3 were maintained like pure BaTiO3, and in particular, a shift toward the low temperature side of the phase transition temperature range was clearly found, unlike pure BaTiO3. In addition, the phase transition at a temperature higher than the Curie temperature relatively satisfies the modified Curie-Weiss law.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권4호
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pp.266-272
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2009
In the present work three dimensional process and device simulations were employed to study the performance variations with RTA. It is observed that with the increase in RTA temperature, the arsenic dopants from the source /drain region diffuse laterally under the spacer region and simultaneously acceptors (Boron) are redistributed from the central axis region of the fin towards the Si/SiO2 interface. As a consequence both drive current and peak cut-off frequency of an n-FinFET are observed to improve with RTA temperatures. Volume inversion and hence the flow of carries through the central axis region of the fin due to reduced scattering was found behind the performance improvements with increasing RTA temperature.
Bhat, Bashir Mohi Ud Din;Dar, Jehangir Rashid;Sen, Pratima
Carbon letters
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제17권1호
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pp.29-32
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2016
This paper addresses the effect of dopants on the electronic properties of zigzag (8, 0) semiconducting single walled carbon nanotubes (SWCNTs), using extended Hückel theory combined with nonequilibrium Green’s function formalism. Through appropriate dopant concentrations, the electronic properties of SWCNTs can be modified. Within this context, we present our ongoing investigation on (8, 0) SWCNTs doped with nitrogen. Quantum confinement effects on the electronic properties of the SWCNTs have also been investigated. The obtained results reveal that the electronic properties of SWCNTs are strongly dependent on the dopant concentration and modification of electronic structures by hydrogen confinement.
Cesium lead halide ($CsPbX_3$) nanocrystals have emerged as a new family of semiconductor nanomaterials that can outperform existing semiconductor nanocrystals owing to their superb optical and charge transport properties. Although these materials are expected to have many superior properties, control of the quantum confinement and isoelectronic magnetic doping, which can greatly enhance their optical, electronic, and magnetic properties, has faced significant challenges. These obstacles have hindered full utilization of the benefits that can be obtained by using $CsPbX_3$ nanocrystals exhibiting strong quantum confinement or coupling between exciton and magnetic dopants, which have been extensively explored in many other semiconductor quantum dots. Here, we review progress made during the past several years in tackling the issues of introducing controllable quantum confinement and doping of $Mn^{2+}$ ions as the prototypical magnetic dopant in colloidal $CsPbX_3$ nanocrystals.
The effect of excitation energy and various dopants(Eu and Ce) on the emission wavelength and intensity were investigated. According to PL spectra, SrO-$Al_2O_3$ phosphors had wide absorption band at nUV. By substituting Ce for Eu, the emission band and excitation wavelength were shifted to shorter wavelength. Ce doped $SrAl_2O_4$ and $Sr_4Al_{14}O_{25}$ showed greenish blue(475nm) and blue(400nm), respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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