• 제목/요약/키워드: dissolution of oxygen

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The Processes Contributing To The Vertical Distribution Of Apparent pH In The Northeastern Pacific Ocean

  • Park, P.Kilho
    • 한국해양학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.1-7
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    • 1968
  • Two major processes that affect the vertical distribution of apparent pH in the Subarctic region of the Northeastern Pacific Ocean are (1) apparent oxygen utilization by marine organisms and (2) carbonate dissolution. Simplified mathematical approximations show that, in the pH ravge of 7.2 to 8.3, the utilization of 0.1 mM of oxygen (2.24 ml/liter) lowers the pH by 0.20 units and 0.1 mM of carbonate dissolution increases the pH by 0.25 units. Since Oxygen utilization exceeds 0.3 mM while the carbonate dissolution, with respect to the surface, is about 0.05mM, the effect of oxygen utilization is much greater than the dissolution effect of carbonate on the pH of seawater.

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Electrochemistry and Leaching Kinetics of Gold-Silver Alloys in Cyanide Solutions

  • Guan, Y.Charles;Sun, Xiaowei;Han, Kenneth N.
    • 자원리싸이클링
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    • 제10권1호
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    • pp.42-48
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    • 2001
  • The dissolution behavior of gold and silver from gold-silver alloys in aerated cyanide solutions has been investigated by an electrochemical means as well as a direct measurement of gold and silver ions reported in the bulk solution as a function of time using rotating disc electrodes. The variables studied included oxygen partial pressure, rotating speed of the disc, concentration of cyanide, temperature and composition of the allyos. The dissolution potential and the rate of dissolution were obtained in view of the anodic and cathodic current-potential relationships. The results were discussed in terms of the mixed potential theory. The results showed that the dissolution rate of gold and silver from the alloys was controlled partially by chemical reaction. but largely by transport of either oxygen or cyanide, depending on their relative concentration under the experimental conditions employed in this study.

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산소환원 및 산화니켈의 용해거동으로부터 본 삼원계 탄산염 전해질의 특성 (Characteristics of Three-Component Carbonate Electrolytes in Terms of Oxygen Reduction and NiO Dissolution)

  • 이충곤
    • 전기화학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.178-182
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    • 2003
  • 용융탄산염형 연료전지의 특성을 결정짓는 탄산염 전해질에 있어, 기존의 Li-K와 Li-Na 탄산염과는 다른 Li-Na-K 삼원계 탄산염의 특성을 산소환원 및 산화니켈 용해거동을 통해 검토하였다. 대상 삼원계 전해질은 Li-Na-K=47.4-32.6-20, 60-20-20, 50-40-10, $40-40-20mo1\%$이었으며, $650^{\circ}C$, 1기압 조건에서 산소환원 거동은 전기화학적 방법을 통해, NiO용해거동은 화학적 방법을 통해 검토하였다 삼원계 조성에 따라 산소환원 전류치의 차이가 관찰되어, 산소용해도가 조성에 의존함을 나타내었다. 또한 $Li-Na-K = 50-40-10 mol\%$ 조성에서는 다른 형태의 산소환원 피크가 관찰되어 조성에 따라 산소환원 메카니즘의 차이가 존재할 수 있음을 시사하였다. 그러나 산화니켈 용해도는 조성에 크게 의존하지 않는 특성을 보여주었다.

CZ 방법에 의해 성장된 실리콘에서 산소 석출물의 성장/감소에 관한 모델 및 해석 (Modeling and Analysis for the Growth/Dissolution of Oxygen Precipitation in CZ-grown Silicon)

  • 고봉균;곽계달
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권10호
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    • pp.29-38
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    • 1998
  • 본 논문에서는 CZ 방법으로 성장된 실리콘에서 임의의 열처리 과정 또는 VLSI 공정중에 발생하는 산소석출물(oxygen precipitates)의 성장 및 감소에 대한 모델을 유도하고 수치해석법으로 시뮬레이션을 수행하여 모델에 대한 타당성을 검증하였다. 확산제한 성장법칙(diffusion-limited growth law)과 DBET(detailed balance equilibrium theory)를 이용하여 산소 석출물의 성장률과 감소율을 유도하고 이를 CREs(chemical rate equations)와 PFE (Fokker-Planck equation)이 결합된 식에 적용하여 수치해석법으로 풀었다. 또한 어닐링 분위기에 따라 표면에서 일어나는 현상을 달리 고려해야 하는데, 특히 O₂가스 분위기에서는 산화막이 성장되는 조건을 고려해야 하므로 산화막 성장 모델과 산소 용해도 증가등의 영향을 고려하였다. 이 방법으로 기존의 결과보다 더 정확하게 깊이에 따른 산소 농도의 분포와 산소 석출물의 밀도분포 함수를 계산할 수 있었다.

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$SrCe_{0.95}Yb_{0.05}O_3$의 결함엄개와 전기전도 특성 (Defect Structure and Electrical Conductivities of $SrCe_{0.95}Yb_{0.05}O_3$)

  • 최정식;이도권;유한일
    • 한국세라믹학회지
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    • 제37권3호
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    • pp.271-279
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    • 2000
  • 5 m/o Yb-doped SrCeO3 proton conductor was prepared by a solid state reaction method and its total electriccal conductivity measured as a function of both oxygen partial pressure and water vapor partial pressure in the temperature range of 500~100$0^{\circ}C$. From the total conductivity have been deconvoluted the partial conductivities of oxide ions, protons, and holes, respectively, on the basis of the defect model proposed. The equilibrium constant of hydrogen-dissolution reaction, proton concentration, and mobilities of oxygen vacancies and protons have subsequently been evaluated. It is verified that SrCe1-xYbxO3 is a mixed conductor of holes, protons and oxide ions and the proton conduction prevails as temperature decreases and water vapor pressure increases. The heat of water dissolution takes a representative value of $\Delta$HoH=-(140$\pm$20) kJ/mol-H2O, but tends to be less negative with increasing temperature. Migration enthalpies of proton and oxygen vacancy are extracted as 0.83$\pm$0.10 eV and 0.81$\pm$0.01 eV, respectively.

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Dissolution of Protons in Oxides

  • Norby, Truls
    • The Korean Journal of Ceramics
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    • 제4권2호
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    • pp.128-135
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    • 1998
  • The paper gives a brief introduction to protonic defects and their chemistry, thermodynamics and transport in oxides. The temperature dependence of the equilibrium concentration of protons is illustrated and compared for different acceptor-doped oxides. The difficulties of saturating as well as emptying the oxides of protons are discussed. In order to illustrate the possibility of lattice relaxation of defects, a conceptual study is made of a case where the enthalpy of dissolution of protons(water) at the cost of oxygen vacancies is assumed dependent on the concentration of vacancies. It is shown how this changes the behavior of hydration curves vs temperature and water vapour pressure. finally, a discussion is given on the water uptake in heavily oxygen deficient oxides; how water uptake may affect order-disorder in the oxygen sublattice and eventually lead to defective, disordered or ordered oxyhydroxides or hydroxides of potential interest as intermediate temperature proton conductions.

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강 기판위에 이온 플레이팅된 TiCrN 박막의 산화기구 (Oxidation Mechanism of TiCrN Coatings Ion-plated on Steel Substrate)

  • 이동복;김기영
    • 한국재료학회지
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    • 제13권7호
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    • pp.420-423
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    • 2003
  • Coatings of TiCrN ion-plated on a steel substrate was oxidized at $800^{\circ}C$ in air, and their oxidation mechanism was presented. During oxidation, substrate elements and Ti and Cr in the coating always diffused outwardly to form the oxide scale. Simultaneously, oxygen from the atmosphere diffused inward1y to react with Ti and Cr to form $TiO_2$and $Cr_2$$O_3$, respectively. Also, the counter-diffusion of cations and oxygen resulted in some oxygen dissolution in the unoxidized TiCrN coating, and Fe dissolution in the oxide scale. When the Ti content in the coating was high, the $TiO_2$-forming tendency was strong, while when the Cr content was high, the $Cr_2$$O_3$-forming tendency was strong.

빈산소 수괴해역 용존산소 환경개선장치 개발과 현장 적용 (Development of a Field Oxygenation Device and Its Practice in the Oxygen Depleted Water Mass)

  • 이용화;김영숙;심정민;권기영
    • 해양환경안전학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.339-344
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    • 2010
  • 빈산소 수괴는 산소 부족뿐만 아니라, 용존산소의 결핍에 따른 혐기 상태에서 생성된 황화수소와 암모니아 등 유독가스가 어 패류를 직접 폐사시키거나, 저서생물 군집의 출현종과 개체 수에도 심각한 영향을 마친다. 본 연구에서는 빈산소 수괴가 발생한 해역의 저층 해수를 펌핑하여, 액체산소를 용해시켜 용존산소 농도를 20 mg/L 이상으로 상승시킨 해수를 다시 저층으로 주입하는 장치를 개발하여 그 효능을 검토하였다. 이 장치를 이용하여 해수를 $3.6\;m^2$/min 용량으로 저층에 주입하면서 액체산소를 분당 4.8~26.3 L 범위로 공급할 때, 단시간에 해수 중 용존산소 농도는 7~25 mg/L로 상승하였다. 이때 공급한 액체산소는 해수 중에 90% 이상 용해되는 것으로 나타났다 본 장치는 산소를 용해시키기 위한 별도의 탱크가 필요 없고, 해수를 수면위로 퍼 올리는 높이가 낮아도 되므로 적은 동력을 이용하여 높은 효율로 고농도의 산소를 저층에 공급할 수 있는 것으로 나타났다. 그러므로 본 장치는 연안 및 호소의 저층 빈산소 수괴 발생을 저감시킬 수 있어 빈산소 수괴 발생으로 인한 양식피해를 저감시킬 수 있을 것으로 기대된다.

고온 열처리에 의한 결정결함의 재용해 (The annihilation of the flow pattern defects in CZ-silicon crystal by high temperature heat treatment)

  • 서지욱;김영관
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.89-95
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    • 2001
  • 규소 결정의 용융 온도 근처인 $1350^{\circ}C$에서 Ar과 $O_{2}$gas를 이용하여 규소 wafer의 열처리시 vacancy ty[e 결함의 거동에 대해 알아보았다. 이 열처리에서는 wafer의 표면보다 wafer내부에서 결함의 용해속도가 매우 높음을 확인하였다. 이는 $1350^{\circ}C$에서는 규소내의 평형산소농도가 대부분의 CZ silicon에서의 산소농도보다 높아 산소의 understaturation현상과 silicon interstitial농도의 영향에 기인된 것으로 예상된다. 열처리 분위기의 영향을 알아보기 위하여 Ar과 $O_{2}$ 분위기에서 열처리한 결과 vacancy type 결함의 용해속도는 wafer의 내부에서는 차이가 없었고, wafer의 표면에서는 Ar이 $O_{2}$의 경우보다 결함의 용해속도가 높았다. $O_{2}$의 경우에는 표면산화막 성장시 유입된 silicon interstitial의 농도가 높아 결함의 용해속도가 떨어지는 것으로 판단된다. 이는 기존 연구에서 예상된 silicon interstitial이 vacancy cluster로 알려진 결정결함의 제거에 기여한다는 예상과는 상반된다. 본 연구의 결과 silicon interstitial의 존재는 void외부 산화막의 용해속도를 늦추어 결함 용해속도를 떨어뜨리는 것으로 예상된다.

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