Photovoltaic effect is confirmed in DSSC fabricated under the common conditions. In upper electrodes, validity of ZnO as new TCO material was investigated and an improvement of characteristics in DSSC was tried by control of process conditions at semiconductive powder layer. ZnO thin film showed very high resistivity, therefore efficiency of solar cell was lower than that of conventional ITO-related material. DSSC characteristics was able to improve by thin blocking layer doposited between the TCO and semiconductor layer.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.99-102
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1999
In recent years, attempts have been made to greatly improve the display quality of active-matrix liquid crystal display devices, and many techniques have been proposed to solve such problems as gate signal delay, feed-through voltage and image sticking. To improve these problems which are caused by the fried-through voltage, we have evaluated new driving methods to reduce the fled-through voltage. Two level gate-pulse was used for the gate driving of the cst-on-common structure pixels. And two-gate line driving methods with the optimized gate signals were applied for the cst-on-gate structure pixels. These gate driving methods were better feed-through characteristics than conventional simple gate pulse. The evaluation of the suggested driving methods were performed by using a TFT-LCD array simulator PDAST which can simulate the gate, data and pixel voltages of a certain pixel at any time and at any location on a TFT array. The effect of the new driving method was effectively analyzed.
As the flexible displays have been considered as a breakthrough to make a new electronics category, transparent electrodes have also confronted with an emerging issue, i.e., they also need to be mechanically flexible. For this to be made possible, a transparent electrode capable of withstanding large amounts of strain must be developed. Indium tin oxide (ITO) has been one of the most widely adopted transparent electrodes for displays and other transparent electronics, mainly supported by its high electrical conductivity and optical transparency. However, its brittle nature has forced the display industry to search for other alternatives. Recently, advances in nano-material researches have opened the door for various transparent conductive materials, which include carbon nanotube, graphene, Ag and Cu nanowire, and printable metal grids. Here we reviewed recently-published research works introducing flexible displays, all of which are employing the novel candidates for a conducting material.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.312-315
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2001
Recently organic electroluminescent devices have been intensively investigated for using in full-color flat-panel display. Since the quantum efficiency of electrophosphorescent device decrease rapidly as the luminance increase, it is desirable to operate the electrophosphorescent display with active matrix rather than passive matrix. Here we report the study of driving electrophosphorescent diode with all organic thin film transistor(OTFT). The structure of electrophosphorescent diode is ITO/TPD/BCP:Ir(ppy)$_3$/BCP/Alq$_3$/Li:Al/Al. In OTFT, Polymer is used as an insulator and pentacene as an active layer. Detailed performance of the integrated device will be discussed.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.2
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pp.163-169
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2000
In this paper, we showed the erosion characteristic of MgO protector layer releated to lifetime of plasma display panel(PDP). We observed MgO erosion characteristic as a functions of deposition conditions, pressure and distance between electrodes. In RIE condition of Xe gas, the lowest erosion rate appears in the conditions of no heating bias voltage -30V and pressure 5mtorr. In general, as deposition rate increases, erosion rate decreases. In real panel, when the gap distance between electrodes is narrow and the pressure is low, the heavy plasma damage appears. Also, the surfaces between electrodes and on the bus electrode are extremely damaged.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.511-514
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2000
This work aimed to develop ITO (Indium Tin Oxide) thin films ablation with a KrF Eximer laser required for the application in flat panel display, especially patterning into small geometry on a large substrate area. The threshold fluence for ablating ITO on glass substrate is about 0.1 J/cm$^2$. And its value is much smaller than using third harmonic Nd:YAG laser. Through the optical microscope measurement the surface color of the damaged ITO is changed into dark brown and irradiated spot is completely isolated form the undamaged surroundings by laser light. The XPS analysis showed that the relative surface concentration of Sn and In were essentially unchanged (In :Sn=5:1) after irradiating Eximer laser. Using aluminium mask made by second harmonic Nd:YAG laser the ITO patterning is carried out.
Park, Kang-Il;Kim, Byung-Sub;Lim, Dong-Gun;Park, Gi-Yub;Kwak, Dong-Joo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05c
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pp.95-98
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2003
Tin doped indium oxide(ITO) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure and deposition time on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. ITO films with the optimum growth conditions showed resistivity of $2.36{\times}10^{-4}(\Omega}-cm$ and transmittance of 86.28% for a film 680nm thick in the wavelength range of the visible spectrum.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.388-389
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2007
A transflective liquid crystal displays driven by fringe field switching mode of new concept is being suggested. The FFS mode is known to have the different twist angle distribution at the position when an operating voltage is applied. We make the cell design by using the different twist angle which has some region decided on transmissive region and other region used to reflective region. By optimizing simulation condition in the concept, we proposed new tansflective LCDs using FFS mode with single gap and single gamma characteristics.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.278-278
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2007
Ag conductive thick film has been used in bus and address electrodes of PDP (Plasma display panel). In PDP fabrication, the firing temperature of electrode is normally $550{\sim}580^{\circ}C$. For the application of PDP industry, we investigated an Ag conductive thick film with firing temperature. Low melting glass frit was used in the conductive thick film. The thermal properties of Ag and frit were determined by a hot stage microscopy. Based on the our results, we suggest that the Ag conductive thick film should be considered of the firing temperature which is correlated to the shrinkage, conductivity, and shape of thick film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.427-427
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2007
The global applications of aspherics surfaces will expand rapidly on the electronics, optical components, communications, aerospace, defense, and medical optics devices etc. Especially, Asymmetric aspheric prism lens is one of the important parts in HMD(Head Mounted Display) because it affects dominantly on the optical performance of HMD. The mold core is the most important device to produce the plastic lenses by injection molding method. In this study, the mold cores for asymmetric aspheric prism lens were processed using fly-cutting method which is kind of the ultra precision processing and form accuracy and surface roughness of the cores were measured.
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