한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.184-185
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2011
In this study, in order to obtain a high reflectivity for the LED lead frame, tin dip coating and tin plating were conducted respectively, and wettability of LED lead frame with tin solder also was tested by wetting balance tester. A Cu sheet was plated in Cu brighten electroplating bath and followed by immersion in a Sn electro-less plating bath [1]. On the other hand, in the dip coating process, a Cu sheet was dipped into molten tin. In the progress of wetting test, besides wetting balance curve, the maximum measured force($F_m$), the maximum withdrawal force($F_w$) and zero-cross time($t_0$) were obtained in various temperatures. With the maximum withdrawal force, the surface tension was calculated at different temperatures. The Cu sheet plated with bright Cu and Sn show a silver bright property while that of Cu dipped with Sn possessed a high reflectance density of 1.34GAM at $270^{\circ}C$.
ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.
Journal of information and communication convergence engineering
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제1권3호
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pp.133-138
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2003
The preparation of $Al_{2}O_{3}-SiO_{2}$ thin films from less than one micron to several tens of microns in thickness had been prepared from metal alkoxide sols. Two methods, dip-withdrawal and electrophoretic deposition, were employed for thin films and sheets formation. The requirements to be satisfied by the solution for preparing uniform and strong films and by the factors affecting thickness and other properties of the films were examined. For the preparation of thin, continuous $Al_{2}O_{3}-SiO_{2}$ films, therefore, metal-organic-derived precursor solutions contained Si and Al in a chemically polymerized form has been developed and produced in a clear liquid state. In the process of applying to substrates, this liquid left a transparent, continuous film that could be converted to crystalline $Al_{2}O_{3}-SiO_{2}$ upon heating to $1000^{\circ}C$. And, a significant change of the film density took place in the crystallization process, thus leading to the strict requirements as to the film thickness, which could survive crystallization.
The preparation of $Al_2$O$_3$-SiO$_2$ thin films from less than one micron to several tens of microns in thickness had been prepared from metal alkoxide sols. Two methods, dip-withdrawal and electrophoretic deposition, were employed for thin films and sheets formation. The requirements to be satisfied by the solution for preparing uniform and strong films and by the factors affecting thickness and other properties of the films were examined. for the preparation of thin, continuous $Al_2$O$_3$-SiO$_2$ films, therefore, metal-organic-derived precursor solutions contained Si and Al in a chemically polymerized form has been developed and produced in a clear liquid state. In the process of applying to substrates, this liquid left a transparent, continuous film that could be converted to crystalline $Al_2$O$_3$-SiO$_2$ upon heating to 100$0^{\circ}C$. And, a significant change of the film density took place in the crystallization process, thus leading to the strict requirements as to the film thickness, which could survive crystallization.
담지 방법을 통해 유리 기판 위에 단일벽탄소나노튜브 네트워크를 형성하였고, 코팅 공정변수(담지 횟수, 콜로이드 용액의 농도, 기판의 인출 속도)에 따른 탄소나노튜브 네트워크의 전기적 및 광학적 특성 변화를 관찰하였다. 그 결과 네트워크의 면저항 및 투과도는 코팅 공정변수들에 의해 민감하게 조절됨을 확인할 수 있었다. 탄소나노튜브 네트워크는 매우 균일한 면저항을 보이는 동시에, 가시광선 영역에서 우수한 투과도 특성을 보였다.
The wetting property and reflectivity of Sn-3.5Ag solder which was dip coated on a LED lead frame were investigated. The wettability of molten solder on Cu substrate was evaluated by the wetting balance tester, and surface tension was calculated from maximum withdrawal force and withdrawal time. Temperature of the molten solder in a bath was varied in the range of $250-290^{\circ}C$. With increasing temperature, the surface tension decreased a little. The reflectivity of Sn-3.5Ag coated on a substrate became a little lower than the highest current LED lead frame reflectivity.
This paper describes a green stripping process to effectively strip the remaining DFR layer on a non-alkali-based ITO glass surface after an etching process. A stripper, water-soluble amine compound, is used to investigate the characteristics of stripping ability and to suggest a valid method for the green process. Increasing the composition (5-30% concentration) of the ethanol amine-based stripper was found to greatly reduce the stripping time applied in the dipping method. The composition (30%) achieved an excellent stripping effect and free-residue impurities. Additionally, it was possible to obtain the effect of stripping in a way to sustain the release before generating DFR sludge from the ITO glass surface by using dipping condition (stripping time) in the composition. An Additional stripping process (buffering) out of dipping can realize productivity improvement and cost reduction because of the higher proportion of re-use of the stripping solution used in the DFR removal step.
Due to various types of Zn coatings for many decades for various applications, it is imperative to study and compare their corrosion resistance properties of some of these. Here, we introduce a systematic methodology for evaluation and validation of corrosion protection properties of metallic coatings. According to this methodology, samples are were exposed in an advanced cyclic corrosion test chamber according to ISO 14993, and removed at the end of each withdrawal for respective corrosion and electrochemical characterization to evaluate both barrier and galvanic protection properties. Corrosion protection properties of coatings were evaluated by visual examination according to ISO 10289, mass loss and subsequent corrosion rate measurements, electrochemical properties, and advanced electrochemical scanning techniques. In this study, corrosion protection properties of a commercial zinc rich coating (ZRC) on AISI 1020 mild steel substrates were evaluated and benchmarked against hot dip galvanized (HDG). Results were correlated, and corrosion protection capabilities of the two coatings were compared. The zinc rich coating performed better than hot dip galvanized coating in terms of overall corrosion protection properties, according to the exposure and experimental conditions used in this study. It proved to be a suitable candidate to replace hot dip galvanized coatings for desired applications.
In order to improve the surface characteristics of polymethylmethacrylate(PMMA), oxide thin film coatings were applied using the sol-gel dip-coating technique. The $Si(OC_2H_5)_4$, tetra-ethyl-ortho-silicate(TEOS) was used as a starting material for $SiO_2$ coating. The hardness of the alkoxy-derived oxide-coated PMMA was increased from 190 MPa for non-coated PMMA with increasing film thickness. By optimizing the heating conditions and the hydrolysis conditions, a maximum apparent hardness obtained In the present study was achieved 310 MPa using the withdrawal velocity of 5cm/min and heat treatment at $90^{\circ}C$ for 5 hours, which is about 1.6 times larger than that of uncoated PMMA.
The preparation of A1203-SiO2 thin films from less than one micron to several tens of microns in thickness had been Prepared from metal alkoxide sols. Two methods, dip-withdrawal and electrophoretic deposition, were employed for thin films and sheets formation. The requirements to be satisfied by the solution for preparing uniform and strong films and by the factors affecting thickness and other properties of the films were examined. For the preparation of thin, continuous A12O3-SiO2 films, therefore, metal-organic-derived precursor solutions contained Si and Al in a chemically polymerized form has been developed and produced in a clear liquid state.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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