• 제목/요약/키워드: diode structure

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순환전류 감소를 위한 새로운 정류회로를 갖는 위상천이 풀브리지 컨버터 (A Phase-Shifted Full-Bridge Converter With a New Rectifier Circuit for Reducing Circuiting Current)

  • 최병기;이우석;이일운
    • 전력전자학회논문지
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    • 제26권3호
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    • pp.237-240
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    • 2021
  • This research proposes a new rectifier circuit to reduce the circulating current of a phase-shifted full bridge converter. The proposed circuit is a structure in which the output inductor of the secondary rectifier circuit is changed to a coupled inductor in the phase-shifted full bridge with the existing center-tapped rectifier. The parts are rearranged after adding a diode. After applying the proposed circuit, the circulating current to the primary current of the transformer and the voltage stress of the rectifier diode on the secondary side of the transformer are reduced. Accordingly, the snubber loss of the rectifier is improved. By reducing the circulating current and snubber loss, the circuit achieves higher efficiency than conventional circuits. In this research, we present the structure of the proposed circuit, its strengths, and the analysis results from experiments. Furthermore, its effectiveness is verified through the experimental results of a prototype converter with an input of 300-400 V and an output of 50 V/1 kW.

A Novel a-Si TFT Backplane Pixel Structure Using Bootstrapped Voltage Programming of AM-OLED Displays

  • Pyon, Chang-Soo;Ahn, Seong-Jun;Kim, Cheon-Hong;Jun, Jung-Mok;Lee, Jung-Yeal
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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    • pp.898-901
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    • 2005
  • We propose a novel pixel structure using bootstrapped voltage programming for amorphoussilicon TFT backplane of AM-OLED (Active Matrix-Organic Light Emitting Diode) displays. The proposed structure is composed of two TFTs and one capacitor. It operates at low drive voltage ($0{\sim}5V$) which can reduce power consumption comparing with the conventional pixel circuit structure using same OLED material. Also, it can easily control dark level and use commercial mobile LCD ICs. In this paper, we describe the operating principle and the characteristics of the proposed pixel structure and verify the performance by SPICE simulation comparing with the conventional pixel structure.

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도파로 결합 구조에 따른 DBR-LD의 동작특성 (The Operating Characteristics of DBR-LD with Wavegudies Coupling Structure)

  • 오수환;박문호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권9호
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    • pp.666-672
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    • 2003
  • 본 논문에서는 광의 결합 메커니즘이 다른 ITG(integrated-twin-guide) 와 BT(butt coupled) 구조를 가지는 두 종류의 파장 가변 DBR-LD의 제작공정과 성능에 대해서 기술하였다. 두 종류의 DBR-LD는 PBH(planar buried heterostructure) 구조론 가지며, MOVPE 성장으로 제작하였다. 제작된 DBR-LD 광출력 특성을 측정한 결과 BT-DBR-LD가 ITG-DBR-LD보다 임계전류 변화폭, 광출력 변화 폭, 기울기 효율에서 2배 이상의 우수한 특성을 나타내었다. 그리고, 준 연속 파장 가변 특성은 BT-DBR-LD가 7.2nm, ITG-DBR-LD가 7.4nm 이며, SMSR이 35dB 이상으로 우수하게 나타났다. 이와 같이 BT DBR-LD가 특성이 우수한 것은 BT 구조가 ITG 구조보다 높은 결합 효율을 나타내기 때문이다.

패치 배열과 그리드 구조를 이용한 재구성 주파수 선택 구조 설계 (Design of Reconfigurable Frequency Selective Surface Using Patch Array and Grid Structure)

  • 이인곤;홍익표;서윤석;전흥재;박용배;조창민
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.92-98
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    • 2014
  • 본 논문에서는 패치 배열과 그리드 구조를 응용하여 C-밴드인 7 GHz 대역에서 동작하는 재구성 주파수 선택 구조를 설계하였다. 본 논문에서 제안한 구조는 바랙터 다이오드를 이용하여 슬롯에서 발생하는 커패시턴스 변화로부터 주파수 재구성 특성을 얻었으며, 커패시턴스의 변화에 따른 투과 주파수의 변화를 구현하였다. 설계한 결과를 바탕으로 유연성을 갖는 FPCB(Flexible Printed Circuit Board)와 상용 바랙터 다이오드를 이용하여 재구성 주파수 선택 구조를 제작하고, 바이어스 전압의 변화에 따른 주파수 재구성 특성을 측정하였다. 제작된 재구성 주파수 선택 구조는 약 6.6~7.6 GHz의 광대역 주파수 재구성 특성(투과 주파수의 가변 범위)을 가지며, 본 논문에서 제안한 구조는 제한된 곡률에 대하여 유연성을 갖기 때문에, 항공기 또는 군함의 레이돔과 같은 곡면 형상 구조 중 완만한 곡면 구조에 적용이 용이하다.

전력용반도체 산업분석 및 시사점 (The Study of Industrial Trends in Power Semiconductor Industry)

  • 전황수
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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    • pp.845-848
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    • 2009
  • 전력용반도체(Power Management IC)는 전력의 변환이나 제어용으로 최적화되어 있는 전력장치용 반도체 소자로서 전자기기에 들어오는 전력을 그 전자기기에 맞게 변경하는 역할을 하며, 일반 반도체에 비해서 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화 되어 있다. 전력용반도체는 전기가 쓰이는 제품에는 다 들어가며, 자동차, 공업제품, 컴퓨터와 주변기기, 통신, 가전제품, 모바일 기술, 대체 에너지 등에 대한 수요 증가가 시장의 성장을 촉진한다. 전력용반도체 개발을 통해 대일무역적자 해소 기여, 취약한 비메모리 산업의 육성을 통한 반도체산업의 균형발전, 신성장동력 창출을 통한 미래 경제발전을 도모할 수 있다. 본 고에서는 반도체 부문의 미래 유망품목인 전력용반도체의 필요성 및 중요성, 시장현황 및 전망을 중심으로 살펴보고 결론에서 정책적 시사점을 도출하고자 한다.

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Stability of ITO/Buffer Layer/TPD/Alq3/Cathode Organic Light-emitting Diode

  • Chung, Dong-Hoe;Ahn, Joon-Ho;Oh, Hyun-Seok;Park, Jung-Kyu;Lee, Won-Jae;Choi, Sung-Jai;Jang, Kyung-Uk;Shin, Eun-Chul;Kim, Tae-Wan
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제8권6호
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    • pp.260-264
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    • 2007
  • We have studied stability in organic light-emitting diode depending on buffer layer and cathode. A transparent electrode of indium-tin-oxide(ITO) was used as an anode. An electron injection energy barrier into organic material is different depending on a work function of cathodes. Theoretically, the energy barriers for the electron injection are 1.2 eV, -0.1 eV, and 0.0 eV for Al, LiAl, and LiF/Al at 300 K, respectively. We considered the cases that holes are injected to organic light-emitting diode. The hole injection energy barrier is about 0.7 eV between ITO and TPD without buffer layer. For hole-injection buffer layers of CuPc and PEDOT:PSS, the hole injection energy barriers are 0.4 eV and 0.5 eV, respectively. When the buffer layer of CuPc and PEDOT:PSS is existed, we observed the effects of hole injection energy barrier, and a reduction of operating-voltage. However, in case of PVK buffer layer, the hole injection energy barrier becomes high(1.0 eV). Even though the operating voltage becomes high, the efficiency is improved. A device structure for optimal lifetime condition is ITO/PEDOT:PSS/TPD/$Alq_3$/LiAl at an initial luminance of $300cd/m^2$.

Spur-line과 PM Diode를 이용한 편파변환 특성을 갖는 정사각형 패치 안테나 (Square Patch Antanna with Switchable Polarization Using Spur-line and PIN Diode)

  • 장태언;성영제;김영식
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권12호
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    • pp.1178-1183
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    • 2004
  • 본 논문에서는 정사각형 패치 안테나에 핀 다이오드(PIN diode)를 사용하여 편파변환 특성을 갖는 새로운 형태의 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 정사각형 패치면 위에 한 쌍의 스퍼라인(spur-line)과 스퍼라인 위에 핀 다이오드를 삽입한 구조이다. 스퍼라인은 핀 다이오드의 on/off특성에 의해 I형 슬롯라인(slot-line)과 L형 스퍼라인의 형태로 변환되어 편파 변환 특성을 나타내었다. 안테나의 측정 결과 선형편파로 동작할 때에는 -15 dB 이상의 낮은 교차 편파 특성을 나타내었고, 원형편파로 동작할 때에는 0.83 dB의 좋은 축비 특성을 나타내었다. 안테나의 -10 dB대역폭은 on/off상태에 따라 각각 $2.1\%$$4.1\%$의 특성을 나타내었다. 또한, 원형편파로 동작하는 안테나의 축비 대역폭은 $3.5\%$의 비교적 넓은 대역폭의 특성을 나타내었다. 따라서 제안된 안테나는 동일한 대역폭 안에서 편파 변환 특성을 나타낼 수 있기 때문에 단일 안테나를 이용하여 주파수를 재사용하는 시스템에서 사용할 수 있다.

Fluorescent white organic light-emitting diode structures with dye doped hole transporting layer

  • Galbadrakh, R.;Bang, H.S.;Baek, H.I.;Lee, C.H.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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    • pp.1407-1410
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    • 2007
  • This work reports on three primary color fluorescent white organic light emitting diode (WOLED) with simple device structure where only a part of the hole transporting layer was doped with dye. The maximum luminance of the device reaches $35000\;cd/m^2$ at a drive voltage below 11V and external quantum efficiency of the device is above 1% in the wide range of luminance from 10 to $35000\;cd/m^2$ and reaches its highest 1.6% at $500\;cd/m^2$. The chromaticity coordinate shift of the device is negligible in this wide range of luminance. The blue shift of emission color with an increase of current density was attributed to the narrowing of recombination zone width with raise of current density.

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DS/CDMA 무선 광전송시스템 모델에서의 비선형 효과 해석 (Analysis on the Nonlinear Effect in the DS/CDMA Wireless-Optical Transmission System Model)

  • 주창복;오경석
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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    • pp.98-101
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    • 1998
  • The intermodulation distortion(IMD) due to laser diode nonlinearity of an asynhcronous direct sequence code diviion multiple access(DS/CDMA) system in wireless-optical transmission system model is analzed. A third order polynomial is used to represent laser diode nonlinearity. In DS/CDMA system, only one harmonic of the third-order intermodulation term falls on the signal frequency band and influences the system performance characteristics. To cancel multi-user interference and nonlinear distortion in a DS/CDMA wireless-optical transmission system model, the simple transversal filter structure with N-taps of (N-1) tap delay of 1 chip time delay line is used. It is necessary to select an optimal modulation index that provides a maximum signal-to-noise ratio and the results are useful for CDMA system design.

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