In the present study, we evaluate the sensitivity and optimal stripping voltammetry (SV) conditions of copper (Cu), which is one of the main trace heavy metals inducing the environmental contamination, using carbon nanotube (CNT) electrode. In addition, the reaction mechanism of stripping reaction of Cu is investigated. The electrochemical analyses such as squarewave stripping voltammetry (SWSV) and linear scan voltammetry (LSV) are used for the evaluations. As a result of that, the best SWSV conditions like squarewave amplitude of 15 mV, frequency of 60 Hz, deposition potential of -1.0V vs. Ag/AgCl and deposition time of 200s are determined with the measured Cu sensitivity of $1.824{\mu}A/{\mu}M$. As a driving force affecting the stripping reaction of Cu, surface reaction is more dominant one than diffusion. These results are compared with other reference results and it is confirmed that our suggested CNT electrode gives rise to better Cu sensitivity result than other references.
Creativity, the ability to produce through imaginative skill, is pursued by all designers. However, originality does not refer to absolute novelty. In this age, information is shared and disseminated. Creation of works is an activity to re-establish all shared information and reorganize relationship among things. Therefore, a new design is a product of reorganization rather than originality. Moreover, designers can generate ideas different from each other because they individually espouse different system of knowledge. From such perspective, a very important task of designers is to explore methods of expanding design thinking that can enhance the ability to new connection among things in the process of assimilation and modification. The task can be carried out by identifying characteristics and limits of their unique system of knowledge. Therefore, it is necessary to seek methods of expanding design thinking for efficient cognitive activities. In explaining human knowledge, this study applied semantic network, a method used in cognitive science for creating structure, and the method of expanding design thought was proposed by corresponding method of design conceptualization. By organizing, categorizing, and flexibly combining and modifying the methods of design thinking conceptualization and expansion generated by this study, strengths of each method were enhanced and limits of each method were overcome to enable more effective design thinking. In this study, the method of expansion was used when connecting of nodes cannot be sustained after using each method of conceptualization. By avoiding unique method of thinking through diversification and vitalization of conditional points, efficient design thinking was achieved. The value of this study lies in the fact that the proposed method of expanding thinking using the mechanism of network enhances the ability to establish new connections in the process of assimilation and modification.
Sohn Yoon-Chul;Yu Jin;Kang S. K.;Shih D. Y,;Lee Taek-Yeong
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.11
no.3
s.32
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pp.37-45
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2004
Electroless Ni(P) has been widely used for under bump metallization (UBM) of flip chip and surface finish layer in microelectronic packaging because of its excellent solderability, corrosion resistance, uniformity, selective deposition without photo-lithography, and also good diffusion barrier. However, the brittle fracture at solder joints and the spatting of intermetallic compound (IMC) associated with electroless Ni(P) are critical issues for its successful applications. In the present study, the mechanism of IMC spatting and microstructure change of the Ni(P) film were investigated with varying P content in the Ni(P) film (4.6,9, and $13 wt.\%$P). A reaction between Sn penetrated through the channels among $Ni_3Sn_4$ IMCs and the P-rich layer ($Ni_3P$) of the Ni(P) film formed a $Ni_3SnP$ layer. Thickening of the $Ni_3SnP$ layer led to $Ni_3Sn_4$ spatting. After $Ni_3Sn_4$ spatting, the Ni(P) film directly contacted the molten solder and the $Ni_3P$ phase further transformed into a $Ni_2P$ phase. During the crystallization process, some cracks formed in the Ni(P) film to release tensile stress accumulated from volume shrinkage of the film.
Kim, In-Sung;Song, Jae-Sung;Yun, Mun-Soo;Park, Chung-Hoo
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.12C
no.4
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pp.208-213
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2002
The present study describe the electrical performance of amorphous T $a_2$$O_{5-X}$ fabricated on the buffer layers Ti and Ti $O_2$. T $a_2$$O_{5-X}$ thin films were grown on the Ti and Ti $O_2$ layers as a capacitor layer using reactive sputtering method. The X-ray pattern analysis indicated that the two as-deposited films were amorphous and the amorphous state was kept stable on the RTA(rapid thermal annealing) at even $700^{\circ}C$. Measurements of dielectric properties of the reactive sputtered T $a_2$$O_{5-X}$ thin films fabricated in two simple MIS(metal insulator semiconductor), structures, (Cu/T $a_2$$O_{5}$ Ti/Si and CuT $a_2$$O_{5}$ Ti $O_2$Si) show that the amorphous T $a_2$$O_{5}$ grown on Ti showed high dielectric constant (23~39) and high leakage current density(10$^{-3}$ ~10$^{-4}$ (A/$\textrm{cm}^2$)), whereas relatively low dielectric constant (~15) and tow leakage current density(10$^{-9}$ ~10$^{-10}$ (A/$\textrm{cm}^2$)) were observed in the amorphous T $a_2$$O_{5}$ deposited on the Ti $O_2$ layer. The electrical behaviors of the T $a_2$$O^{5}$ thin films were attributed to the contribution of Ti- $O_2$ and the compositionally gradient Ta-Ti-0, being the low dielectric layer and high leakage current barrier. In additional, The T $a_2$$O_{5}$ Ti $O_2$ thin films exhibited dominant conduction mechanism contributed by the Poole-Frenkel emission at high electric field. In the case of T $a_2$$O_{5}$ Ti $O_2$ thin films were related to the diffusion of Ta, Ti and O, followed by the creation of vacancies, in the rapid thermal treated thin films.films.
Sulphuric acid leaching was conducted to extract the metal values from spent refinery catalyst. More than 95% of Ni and V and 30% of Mo could be leached out in 1 M sulphuric acid and 1 hr of leaching time. The decrease in Mo leaching was due to typical characteristic of Mo matrix. The activation energies of the leaching reactions showed the dissolution process follows a diffusion control mechanism. In order to leach out all Mo, further the leaching experiments were conducted with sulfur free spent refinery catalyst. For sulfur free spent refinery catalyst, a two step process of leaching with 1 M sulphuric acid followed by sodium carbonate washing showed better leaching than a two step leaching process with sodium carbonate followed by sulphuric acid washing, with almost 99% leaching of Ni, Mo and V. Solvent extraction using LIX 841 were conducted for a leach liquor containing Ni, 2 g/L; V, 9 g/L, Mo, 0.6 g/L. More than 98% of Mo was extracted from the leach liquor at A:O ratio of 5:2 in a 2 stage process. Similarly V was extracted at A:O ratio of 5:3 in a 2 stage process with 82% of total V extraction.
The investigation of driving mechanism for the formation of tropical night in the coastal region, defined as persistent high air temperature over than 25$^{\circ}C$ at night was carried out from August 14 through 15, 1995. Convective boundary layer (CBL) of a 1 km depth with big turbulent vertical diffusion coefficients is developed over the ground surface of the inland basin in the west of the mountain and near the top of the mountain, while a depth of thermal internal boundary layer (TIBL) like CBL shrunken by relatively cool sea breeze starting at 100 km off the eastern sea is less than 150 m from the coast along the eastern slope of the mountain. The TIBL extends up to the height of 1500 m parallel to upslope wind combined with valley wind and easterly sea breeze from the sea. As sensible heat flux convergences between the surface and lower atmosphere both at the top of mountain and the inland coast are much greater than on the coastal sea, sensible heat flux should be accumulated inside both the TIBL and the CBL near the mountain top and then, accumulated sensible heat flux under the influence of sea breeze circulation combined with easterly sea breeze from sea to inland and uplifted valley wind from inland to the mountain top returning down toward the eastern coastal sea surface should be transported into the coast, resulting in high air temperatures near the coastal inland. Under nighttime cooling of ground surface after sunset, mountain wind causes the daytime existed westerly wind to be an intensified westerly downslope wind and land breeze further induces it to be strong offshore wind. No sensible heat flux divergence or very small flux divergence occurs in the coast, but the flux divergences are much greater on the top of the mountain and along its eastern slope than on the coastal inland and sea surfaces. Thus, less cooling down of the coastal surface than the mountain surface and sensible heat transfer from warm pool over the coast into the coastal surface produce nocturnal high air temperature on the coastal inland surfaces, which is not much changed from daytime ones, resulting in the persistence of tropical night (nocturnal thermal high) until the early in the morning.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.37
no.5
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pp.481-488
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2013
Nitric oxide ($NO_x$) formation characteristics in non-premixed diffusion flames of methane fuels have been investigated experimentally and numerically by adding 10% ammonia to the fuel stream, according to the variation of the oxygen ratio in the oxidizer with oxygen/carbon dioxide and oxygen/nitrogen mixtures. In an experiment of coflow jet flames, in the case of an oxidizer with oxygen/carbon dioxide, the $NO_x$ emission increased slightly as the oxygen ratio increased. On the other hand, in case of an oxygen/nitrogen oxidizer, the $NO_x$ emission was the maximum at an oxygen ratio of 0.7, and it exhibited non-monotonic behavior according to the oxygen ratio. Consequently, the $NO_x$ emission in the condition of oxyfuel combustion was overestimated as compared to that in the condition of conventional air combustion. To elucidate the characteristics of $NO_x$ formation for various oxidizer compositions, 1D and 2D numerical simulations have been conducted by adopting one kinetic mechanism. The result of 2D simulation for an oxidizer with oxygen/nitrogen well predicted the trend of experimentally measured $NO_x$ emissions.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.399-399
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2013
Metal silicides는 Si 기반의microelectronic devices의 interconnect와 contact 물질 등에 사용하기 위하여 그 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 이 중 Rare-earth(RE) silicides는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 Schottky Barrier contact (~0.3 eV)을 이룬다. 또한 낮은 resistivity와 Si과의 작은 lattice mismatch, 그리고 epitaxial growth의 가능성, 높은 thermal stability 등의 장점을 갖고 있다. RE silicides 중 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로 주목받고 있다. 또한 Silicon 기반의 CMOSFETs의 성능 향상 한계로 인하여 germanium 기반의 소자에 대한 연구가 이루어져 왔다. Ge 기반 FETs 제작을 위해서는 낮은 source/drain series/contact resistances의 contact을 형성해야 한다. 본 연구에서는 저접촉 저항 contact material로서 ytterbium germanide의 가능성에 대해 고찰하고자 하였다. HRTEM과 EDS를 이용하여 ytterbium germanide의 미세구조 분석과 면저항 및 Schottky Barrier Heights 등의 전기적 특성 분석을 진행하였다. Low doped n-type Ge (100) wafer를 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 세정하여 native oxide layer를 제거하고, 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 ytterbium 30 nm를 먼저 증착하고, 그 위에 ytterbium의 oxidation을 방지하기 위한 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, rapid thermal anneal (RTA)을 이용하여 N2 분위기에서 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium germanides를 형성하였다. Ytterbium germanide의 미세구조 분석은 transmission electron microscopy (JEM-2100F)을 이용하였다. 면 저항 측정을 위해 sulfuric acid와 hydrogen peroxide solution (H2SO4:H2O2=6:1)에서 strip을 진행하여 TiN과 unreacted Yb을 제거하였고, 4-point probe를 통하여 측정하였다. Yb germanides의 면저항은 열처리 온도 증가에 따라 감소하다 증가하는 경향을 보이고, $400{\sim}500^{\circ}C$에서 가장 작은 면저항을 나타내었다. HRTEM 분석 결과, deposition 과정에서 Yb과 Si의 intermixing이 일어나 amorphous layer가 존재하였고, 열처리 온도가 증가하면서 diffusion이 더 활발히 일어나 amorphous layer의 두께가 증가하였다. $350^{\circ}C$ 열처리 샘플에서 germanide/Ge interface에서 epitaxial 구조의 crystalline Yb germanide가 형성되었고, EDS 측정 및 diffraction pattern을 통하여 안정상인 YbGe2-X phase임을 확인하였다. 이러한 epitaxial growth는 면저항의 감소를 가져왔으며, 열처리 온도가 증가하면서 epitaxial layer가 증가하다가 고온에서 polycrystalline 구조의 Yb germanide가 형성되어 면저항의 증가를 가져왔다. Schottky Barrier Heights 측정 결과 또한 면저항 경향과 동일하게 열처리 증가에 따라 감소하다가 고온에서 다시 증가하였다.
The author's theory for plastic deformation was applied to superplastic alloys (Zn-Al eutectoid, Al-Cu, Pb-Sn, Sn-Bi, Mg-Al eutectics). The plastic deformation of the superplastic alloys could be described by two Maxwell models connected in parallel which represent two grain boundary flow units. The flow units are characterized by the two parameters $X_{gj}/{\alpha}_{gj}\;and\;{\beta}_{gj}$ (j=l or 2, g signifies the grain boundary) the values of which were obtained by applying our flow equation [Eq. (5)] to experiment. We confirmed that our flow equation describes the superplasticity very well. The curve of strain rate sensitivity m (=${\partial}\;In\;f/{\partial}\;In\;\dot{s})\;vs.\;-In\dot{s}$, where f and s are stress and strain rate, respectively, showed two peaks corresponding to flow unit gl and g2, the separation of the two peaks is determined by the difference between ${\beta}_{g1}\;and\;{\beta}_{g2}$. The condition of superplasticity is also determined by ${\beta}_{gj}$, which satisfies $\dot{s}_{mj}{\leqslant}1.53}{\beta}_{gj}$ [Eq.(13)], where $\dot{s}_{mj}$ is the s of the jth unit at the peak. The grain size dependence of ${\beta}_{gj}$ is described by $ln({\beta}_{gj})^{-1}$=alnx+b [Eq. (16)], where x is the grain size, and a and b are constants. The activation enthalpy for each flow unit, ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ was also determined from the temperature dependence of ${\beta}_{gj}$ which is proportional to the relaxation time of the j th unit. Since the superplasticity is determined by Eq. (13), and since ${\beta}_{gj}$ and ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ are related, we obtained the conclusion that superplasticity occurs in the system having small ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ values. The Aej values were equal to the activation enthalpies of grain boundary self-diffusion of the component atoms of the alloys, this accords with our proposed flow mechanism. The ${\Delta}H_{gj}^{\neq}$ value increases with grain size as expected from Eq. (16).
This study was performed to improve the foaming generated in the effluent of wastewater treatment plant from March 2015 to July 2016. The main cause of foaming was air entrainment by an impinging jet and the internal accumulation by the diffusion barrier. Particularly, the foam growth was most active when there is low tide and larger discharge. To solve this problem, we experimented after installing fine mesh screen and the artificial channel device with underwater discharging outlet in the treated wastewater discharge channel and the outlet, respectively. As a result, the effects of foam reduction by devices ranged 85.0~92.0% and 70.7~85.6%, respectively. In addition, the foam and the noise were easily solved, first of all look to contribute to the prevention of complaints. Our device studies were applied to a single wastewater treatment plant. However, it is considered to be able to apply in other similar cases of domestic sewage treatment plants.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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