The presence of transition metals V, Cr or Mn in a 55%Al-Zn based coating metal can modify the equilibrium intermetallic phase, τ5c, by diffusion of transition metals and substituting for iron in the τ5c phase. We experimentally confirmed the modification of the IMC phase using various analytical techniques to characterize IMC phases. Experimental results confirmed the formation of a modified τ5c-Al20(Fe,V)5Si2(+Zn) intermetallic phase. The modified IMC phase showed periodic repeating layers with varying concentrations of V while still maintaining a constant (Fe+V)/Fe ratio within the homogeneity range of Fe in the equilibrium IMC phase. We proposed a reaction-diffusion mechanism for forming a modified IMC phase and a periodic layered structure. The initial reaction of the steel strip resulted in the formation of Fe4Al13 IMC phase. Al, Si, and Zn diffused and reacted with Fe4Al13 to form the equilibrium bcc phase, τ5c. The Fe4Al13 phase was consumed in the reaction, followed by diffusion of V into the newly formed phase by substitution of Fe by V, resulting in formation of the modified IMC phase. At 600 ℃, the τ5c phase could dissolve up to 4.13 wt% (2.73 at.%) V without changing its overall bcc crystal structure.
Cadmium (Cd) adsorption by the activated carbon containing hydroxyapatite (HAP) was investigated. Cd adsorption with different HAP mass ranged from 10% to 30%. With more HAP, more Cd was adsorbed. These results suggest that the higher HAP dose causes an increase of the ion exchange potential in HAP sorbent. Kinetics and equilibrium studies were investigated in series of batch adsorption experiments. Langmuir and Freundlich isotherm models were fit to the equilibrium data and Cd adsorption on HAP sorbent were found to follow the Freundlich isotherm model well in the initial adsorbate concentration range. The simple kinetic model, the pseudo first order kinetic model and the pseudo second order kinetic model, were used to investigate the adsorption. The adsorption reaction of Cd followed the pseudo second order kinetic model, and the adsorption pseudo second order kinetic constants ($k_2$) increased with increasing initial HAP amounts onto activated carbon. Also, intraparticle diffusion model was used to investigate the adsorption mechanism between adsorbate and adsorbent in the aqueous phase. Surface adsorption reaction and intraparticle diffusion occur simultaneously Cd adsorption mechanism from aqueous phase in this study.
Journal of the Korean Society of Groundwater Environment
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v.1
no.2
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pp.100-104
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1994
The rock matrix diffusion provides a retarding mechanism for sorbing and especially non-sorbing radionuclides. It has to be verified not only theoretically and experimentally but also from natural phenomena, before the mechanism can be incorporated fully into transport codes. The natural analogue studies, such as the concentration variation of radionuclides in profiles perpendicular to fluid-conducting fractures and to intrusive contact zones, have been believed to provide a validation. In thermal alteration zones of Naeduckri granite intruded by a pegmatite, large alkali and alkaline earth elements such as K, Rb, Sr, and Ba were moderately migrated during thermal alteration. Li, V. and Nb were also migrated about 9cm in width from the contact between the granite and the pegmatite. The concentration variation of these elements in thermally altered zones seems to be resulted from the local migration due to the re-equilibration among the elements released from the breakdown of primary minerals in the granite. Most of these natural analogue studies simply show only the concentration variation of elements without detailed informations on the diffusion time and other important data fir interpreting the behaviour of radionuclides, because of the absence of appropriate minerals for age data. Despite this problem, natural analogue studies will be needed for transport models of radionuclides in safety assessment.
In this study, the effects of cosurfactant on phase equilibrium and dynamic behavior were studied in systems containing nonylphenol ethoxylate (NP) surfactant solutions and nonpolar hydrocarbon oils. All the cosurfactants used during this study such as n-pentanol, n-octanol and n-decanol acted as a hydrophobic additive and the hydrophobic effect was found to increase with both increases in chain length and amount of addition of a cosurfactant. Dynamic behavior studies under hydrophilic conditions showed that the solubilization of hydrocarbon oil by NP micellar solution is controlled by an interface-controlled mechanism rather than a diffusion-controlled mechanism. Both spontaneous emulsification of water into oil phase and expansion of oil drop were observed under lipophilic conditions because of diffusion of surfactant and water into oil phase. Under conditions of a three phase region including a middle-phase microemulsion, both rapid solubilization and emulsification of oil into aqueous solutions were found mainly due to the existence of ultralow interfacial tension.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.26
no.1
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pp.48-61
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1989
In this paper, two-dimensional numerical simulation of GaAs MESFFT with 0.7${\mu}m$ gate length is perfomed. Drift-diffusion model which consider that mobility is a function of local electric field, is used. As a discretization method, instead of FDM (finite difference method) and FEM (finite element method), the Control-Volume Formulation (CVF) is used and as a numerical scheme current hybrid scheme or upwind scheme is replaced by power-law scheme which is very approximate to exponential scheme. In the process of numerical analysis, Peclet number which represents the velocity ratio of drift and diffusion, is introduced. And using this concept a current equation which consider numerical scheme at the interface of control volume, is proposed. The I-V characteristics using the model and numerical method has a good agreement with that of previous paper by others. Therefore, it is confined that it may be useful as a simulator for GaAs MESFET. Besides I-V characteristics, the mechanism of both velocity saturation in drift-diffusion model is described from the view of velocity and electric field distribution at the bottom of the channel. In addition, the relationship between the mechanism and position of dipole and drain current, are described.
Park, Juwon;Kim, Daehae;Park, Dae Geun;Yoon, Sung Hwan
Journal of the Korean Society of Marine Environment & Safety
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v.26
no.7
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pp.915-921
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2020
Thermoacoustic instability caused by air conditioning in a combustion chamber has emerged as a problem that must be solved to establish a stable combustion system. Thermoacoustic instability is largely divided into primary and secondary acoustic instability. In this study, an experimental study of the effects of heat losses was conducted to investigate the mechanism of secondary acoustic instability. To generate the secondary acoustic instability, a quarter-wavelength resonator with one open end and one closed end was used, and the inside of the resonator was filled with premixed gases. Subsequently, secondary acoustic instability with downward-propagating flames could be realized via thermal expansion on the burnt side. To control heat losses qualitatively, an additional co-axial tube was installed in the resonator with air or nitrogen supply. Therefore, additional diffusion flames can be formed at the top of the resonator depending on the injection of the oxidizer into the co-axial tube when rich premixed flames are used. Consequently, secondary acoustic instability could not be achieved by increasing heat losses to the ambient when the additional diffusion flame was not formed, and the opposite result was obtained with the additional diffusion flame.
The GaP crystals were grown by synthesis solute diffusion method and its properties were investigated. High quality single crystals were obtained by pull-down the crystal growing ampoule with velocity of 1.75mm/day. Etch pits density along vertical direction of ingot was increased from 3.8 ${\times}{10^4}$c$m^{-2}$ of the first freeze to 2.3 ${\times}{10^5}$c$m^2$ of the last freeze part. The carrier concentration and mobilities at room temperature were measured to 197.49cc$m^2$/V.sec and 6.75 ${\times}{10^{15}}$c$m^{-3]$, respectively. The temperature dependence of optical energy gap was empirically fitted to $E_g$(T)=[2.3383-(6.082${\times}{10^{-4}}$)$T^2$/(373. 096+TJeV. Photoluminescence spectra measured at low temperature were consist with sharp line-spectra near band-gap energy due to bound-exciton and phonon participation in band edge recombination process. Zn-diffusion depth in GaP was increased with square root of diffusion time and temperature dependence of diffusion coefficient was D(Tl = 3.2 ${\times}{10^3}$exp( - 3.486/$k_{\theta}$T)c$m^2$/sec. Electroluminescence spectra of p-n GaP homojunction diode are consisted with emission at 630nm due to recombination of donor in Zn-O complex center with shallow acceptors and near band edge emission at 550nm. Photon emission at current injection level of lower than 100m A was due to the band-filling mechanism.
The Poly (4-vinyipyridine-co-styrene) membrane containing Pyridine as fixed carrier was synthesized and characterized. And the active transport mechanism of Cl- and $CCl_3COO^-$ with changing concentration of $H^+$ and $OH^-$ was investigated. $CCl_3COO^-$ was transported not only by a symport mechanism with $H^+$ transfer but also by an antiport mechanism with $OH^-$transfer, while $Cl^-$ was transported only by a symport mechanism with $H^+$ transfer. Observing the initial flux of anions, salt formation constant between ions and membrane (K), and diffusion coefficient in membrane (D) were calculated as follows: for $Cl^-, \;K=4.60{\times}10^2\;mol^{-1}{\cdot}\textrm{cm}^3, \;D=1.57{\times}10^{-3}{\textrm{cm}^2/h$ and for $CCl_3COO^-, \;K=1.l0{\times}10^4\;mol^{-1}{\cdot}\textrm{cm}^3, \;D=1.14{\times}10^{-4}{\textrm{cm}^2}/h$.
Choi, Hyun Woo;Yoon, Hae Won;Yang, Yong Suk;Yoon, Su Jong
Korean Journal of Materials Research
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v.26
no.1
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pp.54-60
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2016
We have investigated the crystallization mechanism of the lithium disilicate ($Li_2O-2SiO_2$, LSO) glass particles with different sizes by isothermal and non-isothermal processes. The LSO glass was fabricated by rapid quenching of melt. X-ray diffraction and differential scanning calorimetry measurements were performed. Different crystallization models of Johnson-Mehl-Avrami, modified Ozawa and Arrhenius were adopted to analyze the thermal measurements. The activation energy E and the Avrami exponent n, which describe a crystallization mechanism, were obtained for three different glass particle sizes. Values of E and n for the glass particle with size under $45{\mu}m$, $75{\sim}106{\mu}m$, and $125{\sim}150{\mu}m$, were 2.28 eV, 2.21 eV, 2.19 eV, and ~1.5 for the isothermal process, respectively. Those values for the non-isothermal process were 2.4 eV, 2.3 eV, 2.2 eV, and ~1.3, for the isothermal process, respectively. The obtained values of the crystallization parameters indicate that the crystallization occurs through the decreasing nucleation rate with a diffusion controlled growth, irrespective to the particle sizes. It is also concluded that the smaller glass particles require the higher heat absorption to be crystallized.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.490-490
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2011
Graphene, hexagonal network of carbon atoms forming a one-atom thick planar sheet, has been emerged as a fascinating material for future nanoelectronics. Huge attention has been captured by its extraordinary electronic properties, such as bipolar conductance, half integer quantum Hall effect at room temperature, ballistic transport over ${\sim}0.4{\mu}m$ length and extremely high carrier mobility at room temperature. Several approaches have been developed to produce graphene, such as micromechanical cleavage of highly ordered pyrolytic graphite using adhesive tape, chemical reduction of exfoliated graphite oxide, epitaxial growth of graphene on SiC and single crystalline metal substrate, and chemical vapor deposition (CVD) synthesis. In particular, direct synthesis of graphene using metal catalytic substrate in CVD process provides a new way to large-scale production of graphene film for realization of graphene-based electronics. In this method, metal catalytic substrates including Ni and Cu have been used for CVD synthesis of graphene. There are two proposed mechanism of graphene synthesis: carbon diffusion and precipitation for graphene synthesized on Ni, and surface adsorption for graphene synthesized on Cu, namely, self-limiting growth mechanism, which can be divided by difference of carbon solubility of the metals. Here we present that large area, uniform, and layer controllable graphene synthesized on Cu catalytic substrate is achieved by acetylene-assisted CVD. The number of graphene layer can be simply controlled by adjusting acetylene injection time, verified by Raman spectroscopy. Structural features and full details of mechanism for the growth of layer controllable graphene on Cu were systematically explored by transmission electron microscopy, atomic force microscopy, and secondary ion mass spectroscopy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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